Коэффициент сглаживания

Коэффициент сегрегации выражается отношением концентрации примеси в твердой фазе к концентрации примеси в газовой фазе:

Влияние скорости осаждения и температуры пластин на удельное сопротивление слоя заметно проявляется в кинетической области, так как в этой области коэффициент сегрегации сильно зависит от условий осаждения. С повышением температуры пластин отражение возрастает, коэффициент сегрегации падает и р возрастает. При повышении скорости осаждения отражение уменьшается, /( возрастает, а р падает.

Коэффициент сегрегации выражается отношением концентрации примеси в твердой фазе к концентрации примеси в газовой фазе:

Влияние скорости осаждения и температуры пластин на удельное сопротивление слоя заметно проявляется в кинетической области, так как в этой области коэффициент сегрегации сильно зависит от условий осаждения. С повышением температуры пластин отражение возрастает, коэффициент сегрегации падает и р возрастает. При повышении скорости осаждения отражение уменьшается, /( возрастает, а р падает.

где С и С0 - концентрации примеси в кристаллизующейся части кристалла и в исходном кристалле, ат/см3; k0 - коэффициент сегрегации; х - длина перекристаллизовавшейся части стержня, см; / - длина зоны расплава, см.

Влияние асимметрии нагрева иллюстрирует 153. Радиальная неоднородность возрастает с увеличением смещения исходного стержня (см. 153], что является следствием оплавления уже закристаллизовавшейся части монокристалла. Естественно, что этот эффект тем больше, чем больше оплавившийся слой и чем меньше коэффициент сегрегации примеси. Авторами [247] получена зависимость, позволяющая определить условия выращивания, при которых оплавление не будет происходить: м < v/(2nrtgot), где « - скорость вращения, об/мин; v - скорость выращивания, мм/мин; г - радиус монокристалла, мм; а - угол наклона фронта кристаллизации ( 154).

Выращивание структур для СЭ осуществляется в среде очищенного водорода охлаждением насыщенных мышьяком расплавов Ga+As+Sn(Te) для получения raGaAs и Ga+Al-[-As+Zn(Be) для pAl^Ga^As. В первых работах [58 — 63] в качестве базового материала в гетероструктурных СЭ использовался raGaAs (гс=(1 — 5)Х XlO17 см"3), получаемый методом Чохральского. В этом случае перед процессом жидкофазной эпитаксии или в процессе роста обычно осуществляется высокотемпературный (850 — 950 °С) отжиг [76, 77, 126], обеспечивающий увеличение диффузионной длины дырок от значений 1 — 2 мкм в исходном материале до ~5 мкм в отожженном. Коэффициент сегрегации олова приблизительно в 103 раз меньше коэффициента сегрегации теллура, что обеспечивает при использовании олова лучшую воспроизводимость уровня легирования [127 — 129]. Для получения концентрации основных носителей и=1017 — 1018 см"3 содержание Sn в расплаве устанавливается в диапазоне 3 — 10 ат. % при температуре начала выращивания 7^=900 — 750 °С.

На 4.28 представлены случаи медленной диффузии примеси в слой окисла (о и б) и быстрой диффузии (виг), причем для а я б коэффициент т<;1, а для виг коэффициент т~>\. На 4.28, а и б показана диффузия В, на 4.28, в — диффузия Р, а на 4.28, г — диффузия примеси Ga. На 4.28, а показан случай рассасывания примеси на границе раздела, а на 4.28, в — накопления примеси на границе раздела. При легировании примесью В коэффициент сегрегации при использовании Si-подложки с ориентацией (100) больше, чем в случае Si-подложки с ориентацией (1 1 1). Кроме того, коэффициент сегрегации т больше в слу-

в горизонтальном направлении ехр(—у/25 мкм) заменяется на ехр(—у/2 мкм), что основано на экспериментальных результатах. При перераспределении примеси на границе раздела Si—SiC>2 при окислении получаем, используя коэффициент сегрегации т (раздел 4.5, 4.28):

Коллекторный переход 149 Комплементарные МОП ИС 150 Контакт Шоттки 75, 203, 278 Координационное число 28 Коэффициент сегрегации 173 КНИ-технология 150, 158 КНС-технология 150, 156—158 Кремниевый затвор 177 Кристаллические дефекты 162, 199 Кристаллическая ориентация 168

состоящих из двух, трех и т. д. отдельных фильтров, можно получить высокий коэффициент сглаживания (fcc > 100).

Более эффективное сглаживание выпрямленного напряжения можно получить путем использования более сложных фильтров, например, Г-образных LC-фильтров ( 9.18). В этих фильтрах индуктивная катушка уменьшает переменную составляющую тока, а конденсатор, уменьшая эквивалентное сопротивление цепи нагрузки zab, снижает еще больше гармонические составляющие напряжения на нагрузочном резисторе. Коэффициент сглаживания таких фильтров может достигать очень большой величины.

Основным параметром, характеризующим эффективность действия сглаживающего фильтра, является коэффициент сглаживания, равный отношению коэффициентов пульсаций на входе и выходе фильтра:

Если требуется более высокий коэффициент сглаживания, то прибегают к сложным сглаживающим фильтрам. К ним относятся Г-образные фильтры LC- и /?С-типов.

Можно показать, что коэффициент сглаживания /?С-фильтра приближенно определяется по формуле

Если Г-образные фильтры не позволяют уменьшить пульсации до необходимого уровня, то применяют многозвенные фильтры. Общий коэффициент сглаживания многозвенного

3. Заменить в исследуемых ИВЭ емкостный фильтр RC-фильтром (см. 1.7, б), повторить все измерения и расчеты п. 1, рассчитать коэффициент сглаживания ЯС-фильтра и построить внешнюю характеристику.

14. Как изменится коэффициент сглаживания Г-образного фильтра при последовательном соединении двух таких фильтров (коэффициент сглаживания каждого из них q\ и (/г)?

противление индуктивной катушки очень мало. Сопротивление транзистора постоянному току (статическое сопротивление) на два-три порядка меньше сопротивления переменному току (динамическое сопротивление). Основным параметром, характеризующим эффективность действия сглаживающего фильтра, является коэффициент сглаживания, равный отношению коэффициентов пульсаций на входе и выходе фильтра:

массу, габариты и стоимость фильтра. При выборе Xc<^.R$ на резисторе R$ создается значительно большее падение напряжения от переменных составляющих выпрямленного тока, чем на резисторе RH. Если выбрать значение R$ из соотношения RH/(RvJrR^) = =0,5-=-0,9, то падение постоянной составляющей напряжения на резисторе R$ будет минимальным. В итоге доля переменной составляющей в выпрямленном напряжении по отношению к постоянной составляющей на нагрузочном резисторе R$ значительно уменьшается. Коэффициент сглаживания для Г-образного /?С-фильтра определяется из выражения

Следует отметить, что коэффициент сглаживания #С-фильтра меньше, чем у LC-фильтра.