Коэффициент показывающий

Монокристаллические ортоферриты привлекли внимание как материалы с подвижными цилиндрическими магнитными доменами. При комнатной температуре подвижность доменной единицу достигает 104 см/(с • Э), увеличиваясь при - 10ЮГ С до 50 000 см (с • Э). В видимой области удельное фарадеевское вращение 9/.- в ортофер-ритах достигает 10* град см, что в сочетании с их хорошей прозрачностью в красном свете позволяет получать высокие значения магнитооптической добротности т). В коротковолновой части спектра фарадеевское вращение возрастает, однако поглощение растет быстрее, вследствие чего магнитооптическая добротность низка. С ростом длины волны QF падает по закону, близкому к IX2 (где К — длина волны), и поглощение также снижается. Причем при К 1,35 мкм коэффициент поглощения ос 0,1 см"1, в результате чего в инфракрасном свете магнитооптическая добротность ортоферритов превышает 104 град.

Среди замещенных ферритгранатов наивысшие магнитооптические параметры QP и гз имеют висмутзамещенные гранаты, которые в настоящее время считаются наиболее перспективными для использования в магнитооптических устройствах. Установлено, что удельное фарадеевское вращение в них почти линейно увеличивается с ростом концентрации висмута. Коэффициент поглощения а при этом также растет во всем диапазоне длин волн от ультрафиолетового до ближнего инфракрасного. В результате магнитооптическая добротность с ростом концентрации висмута сначала быстро растет, а затем насыщается и даже несколько падает, когда рост поглощения начинает обгонять увеличение фарадеевского вращения.

Коэффициент kn определяется суммой коэффициентов поглощения и рассеивания. В области прозрачности стекол (0,4...0,9 мкм) коэффициент поглощения порядка Ю-4...Ю-5 см'1.

где М — квантовый выход, т. е. число пар носителей, образуемых одним квантом света; К — коэффициент поглощения; Ф — интенсивность света (плотность светового потока); тн — время жизни электрона.

Выражение (4.13) описывает спектральную зависимость фотопроводимости полупроводникового материала, так как коэффициент поглощения а зависит от длины волны света. В области собственного поглощения, где поглощение фотона сопровождается генерацией свободных электрона и дырки, коэффициент а=103-;-Ч-106 см"1. Кроме коэффициента поглощения еще две величины зависят от длины волны: коэффициент квантового ныхода р и коэффициент отражения R. При энергиях фотонов, меньших ширины за-

прещенной зоны, резко падают коэффициент поглощения и избыточная концентрация носителей заряда. В интервале энергий фотонов от одной до двух значений ширины запрещенной зоны р»1.

Методы определения параметров. Поверхностная генерация носителей заряда осуществляется, когда коэффициент поглощения очень велик. Она реализуется в коротковолновой области спектра за краем собственного поглощения и предполагает выполнение условия aW^> 1. Тогда

Следовательно, на горизонтальной оси эта прямая отсекает отрезок а = —-Lp-', a на вертикальной оси —отрезок Dp/(sLp). Таким образом, по спектральному распределению фотопроводимости можно определить диффузионную длину и скорость говерхностной рекомбинации, если коэффициент диффузии неосновных носителей заряда известен. Нужно отметить, что в выражение (4.17) не входит скорость генерации неравновесных носителей зраяда, а потому фотопроводимость выражают в относительных единицах. Коэффициент поглощения может быть измерен по пропусканию тонких образцов (см. § 6.2).

Для создания однородной генерации носителей заряда во всем объеме образца используют оптические фильтры, с помощью которых выделяют узкий интервал длин волн, приход зщийся на край собственного поглощения, где коэффициент поглощения невелик. Самым подходящим для этого является фильтр из того же полупроводникового материала, что и исследуемый образец. При этом толщина фильтра должна быть больше толщины of разца.

При возбуждении фотолюминесценции фотоьами с энергией, большей ширины запрещенной зоны, носители заряда генерируются вблизи освещенной поверхности полупроводник*. Поверхностная рекомбинация уменьшает эффективность излучатгльной рекомбинации тем больше, чем ближе к поверхности генерируются носители заряда. При увеличении длины волны возбуждающего света коэффициент поглощения уменьшается, область генерации носите-

Фотоны, испускаемые при люминесценции, частично перепоглощаются, и степень их перепоглощения зависит от расстояния х до освещенной поверхности, где происходит испускание этих фотонов. Координата х, в свою очередь, связана с диффузией носителей заряда. Если коэффициент поглощения этих фотонов достаточно велик, т. е. полоса излучения возникает вблизи края поглощения, то перепоглощение будет достаточным, чтобы изменить форму полосы излучения. В обратном случае, т. е. при малом коэффициенте поглощения, перепоглощение будет мало и не приведет к заметным изменениям формы полосы излучения.

где Рпом - номинальная (механическая) мощность двигателя, кВт; гном - КПД двигателя при номинальной нагрузке; ос - коэффициент, показывающий, какую часть общих потерь составляют потери мощности в сопротивлении якоря г„.

— отношением скоростного напора жидкости, вращающейся вместе с валом, к статическому перепаду давления на ГСП, где ср — коэффициент, показывающий долю окружной скорости вала, которую имеет усредненная по зазору окружная скорость жидкости. Параметр ?2 введен, поскольку скоростной напор может существенно изменить статическое давление в рабочих камерах. С учетом этого параметра перепад давления между камерами необходимо вычислять по формуле

На 2.44 показана схема трехкаскадного усилителя, на вход которого поступает емкостная помеха ( 2.44, а) с выхода последнего каскада. Для оценки допустимой величины паразитной емкости предположим, что обратные связи имеются только между входом и выходом однокаскадного усилителя ( 2.45), коэффициент усиления которого без обратной связи равен К, а коэффициент, показывающий, какая доля выходного сигнала передается на вход через обратную связь, равен 0. Коэффициент . усиления ^ усилителя с обратной связью

— пазовый коэффициент, показывающий, какая часть «активного» зубцового деления в ножке (за вычетом суммарной ширины изоляции Ьиз) отводится на зубец, т. е. на проведение магнитного потока. Учитывая, ЧТО ti' — n(Da—2h)/Z и ti = nDa/Z, получим

где Рном - номинальная (механическая) мощность двигателя, кВт; гном — КПД двигателя при номинальной нагрузке; а — коэффициент, показывающий, какую часть общих потерь составляют потери мощности в сопротивлении якоря гя.

Норма закладки силикагеля назначается из расчета M\ — 4Q. Это количество силикагеля необходимо для поддержания влажности #„< <55 % внутри оболочки путем поглощения поступающей сквозь нее влаги. Для обеспечения RS=2Q % упаковку следует производить в боксах при пониженной температуре, в осушенном воздухе. Если это не представляется возможным, то должно быть введено дополнительное количество силикагеля Мг для поглощения влаги из законсервированного воздуха: M?*&aV, кг, где а — коэффициент, показывающий, сколько силикагеля требуется для снижения влажности 1 дм3 воздуха с Ян = 65 % до /?к=20 % (в среднем а = 5 г/дм3); V— объем воздуха в оболочке, дм3. Можно считать, что V— VP3A /2, где V РЭА — геометрический объем РЭА, упакованной во внутреннюю тару.

где г/, — внутреннее сопротивление амперметра; п = /тах//лп — коэффициент, показывающий, во сколько раз расширяются пределы измерения.

Выход по току — коэффициент, показывающий, какую часть металла можно действительно выделить на катоде по сравнению с количеством, рассчитанным по закону Фарадея.

Практически на изделие осаждается только часть металла, рассчитанная по закону Фарадея. Коэффициент, показывающий, какую часть металла действительно можно выделить на катоде, называется выходом по току. Например, выход по току электролита блестящего никелирования равен 95—96%. Выход по току цианистого электролита золочения равен 60—80%, а выход по току железоси-неродистого электролита золочения составляет только 25—35%. Это значит, что производительность гальванической ванны с цианистым электролитом более чем в два раза выше производительности ванны с железоси-неродистым электролитом.

Для защиты стабилизатора от короткого замыкания "используется транзистор VT10. Сопротивление резистора R3 схемы защиты определяется по формуле R3 — 0,7/(/с •_/„. тах), где /н. тах— максимальный ток, отдаваемый в нагрузку/ А; к = 1,2. ..2,0 — коэффициент, показывающий, во сколько раз ток короткого замыкания превышает максимальный рабочий ток. При работе микросхемы в широком диапазоне изменения температуры окружающей среды рекомендуется выбирать к ж 2. Произведение к • /н. тах не должно превышать предельно допустимого тока короткого замыкания, равного для данной микросхемы 400 мА [31].

Здесь: Я„ — номинальная мощность трансформатора, выраженная в ва; Еит — э. д. с. на виток: &ст — коэффициент, показывающий, какая часть номинальной мощности приходится на один стержень, в однофазных трансформаторах, в которых обмотка располагается