Качественные показатели

8.2. КАЧЕСТВЕННЫЕ ОСОБЕННОСТИ ДИНАМИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ

Здесь в отличие от (8.1) введен демпферный коэффициент Рц, с*, пропорциональный скорости изменения угла 6. Наличие демпфирования является характерным свойством работы синхронной машины в электрической системе. Оно накладывает ряд особенностей на динамические свойства электрической системы. Проиллюстрируем эти качественные особенности фазовыми траекториями и кривыми протекания переходных процессов во времени. Фазовые траектории на фазовой плоскости ( 8.3) имеют разомкнутый вид. Се-щщатоисса (кривая /) проходит через точку О2 типа седла, определяющую точку неустойчивого равновесия. При возмущениях, ограниченных сепаратриссой, фазовые траектории приближаются к точке Oi типа фокус — точке устойчивого равновесия, т. е. все переходные процессы, вызванные возмущением, затухают (кривая 2 на 8.3,6). При возмущениях, соответствующих изображающим точкам, лежащим на фазовой плоскости вне сепаратриссы, возникает апериодически нарастающее движение, отображающееся фазовой траекторией 3 ( 8.3, а) и кривой 3 процесса во времени ( 8.3, б). Сепаратрисса определяет совокупность критических возмущений, разделяющих два вида движения — периодически затухающее и апериодически нарастающее. Нелинейные свойства, появляющиеся при больших, но меньше критических возмущениях, остаются такими же, как и в примере 8.1, — появление ангармоничности и потеря изохронности.

Опыт показал, что обычно применяемый АРВ с. д., реагирующий как на отклонение, так и на первую и вторую производные режимного параметра, эффективно демпфирует колебания только при быстродействующей системе возбуждения. Существуют некоторые критические значения постоянных времени Temax, Tvmax, при которых такой АРВ с. д. не может устранить самораскачивание в системе, т. е. оказывается неэффективным. При введении третьей производной вносится положительная составляющая в демпферный коэффициент и система может стабилизироваться, т. е. может устраниться возникновение самораскачивания. Качественные особенности различных сигналов АРВ, выявленные при анализе регулирования по углу S, не изменяются и при использовании в АРВ других режимных параметров. Это подтверждают исследования и опыт эксплуатации существующих АРВ.

8.2. Качественные особенности динамических свойств электрической системы..........410

Чтобы выяснить некоторые качественные особенности явлений в рассматриваемой нелинейной цепи, предельно упростим решение, пренебрегая также и третьей гармоникой, как это мы делали, пользуясь методом эквивалентных синусоид. Первое и второе уравнения приобретают вид

Чтобы выяснить некоторые качественные особенности явлений в рассматриваемой нелинейной цепи, предельно упростим решение, пренебрегая также и третьей гармоникой, как мы это делали, пользуясь методом эквивалентных синусоид. Первое и второе уравнения приобретают вид

Иногда практикуется соединение схемы замещения преобразованной части системы с принципиальной схемой непреобразуемой ее части, как показано на 2-4, где сохранены те же обозначения, что и на предыдущих рисунках. При этом получается схема, по которой удобно качественно оценивать условия работы элементов системы в ее непре-образованной части. Так, в соответствии с принятой ранее терминологией на примере схемы, приведенной на 2-4, можно сказать, что генераторная станция ГЭСг работает в трехмашинной системе, которая по ряду своих свойств относится к категории сложных систем. Следовательно, в рассмотренном примере преобразование исходной схемы привело к более простой расчетной схеме, но сохранило качественные особенности исходной системы, которая также относилась к числу сложных систем.

Основные качественные особенности режима простейшей электрической системы, установленные применительно к ее идеализированной расчетной схеме, остаются справедливыми.и в случае сложной связи

В гл. 1 дан краткий исторический обзор исследований, выполненных в Японии в области аморфных полупроводников и приборов на их основе. Гл. 2 содержит статьи, посвященные вопросам физики электронных явлений в аморфных полупроводниках. Дан краткий обзор теории электронных свойств аморфных полупроводников с тетраэд-рическими координациями связей, описаны качественные особенности спектров межзонного поглощения и родственных явлений в аморфных полупроводниках. Основное внимание уделено решеточной релаксации правилам fc-отбора, хвостам Урбаха, межзонным корреляциям флуктуации потенциала и фотостимулированным изменениям структуры. Приведен обзор исследований структуры связей в аморфном кремнии a-Si и родственных материалах. Результаты этих исследований проливают свет на локальные особенности структуры сеток a-Si, такие как координационное число атомов в a-Si:H, a-SixGe!_x: H, атомная структура a-SijCi-x: Н, a- Si:F, структурные позиции накопленных в a-Si:H атомов инертных газов. Обсуждаются также попытки создания теории влияния взаимодействия отдаленных один от другого атомов на структуру связей в аморфных полупроводниках. В последней статье описываются явления переноса в аморфном гидрогенизированном кремнии. Показано, что перенос носителей заряда в a-Si: Н имеет дисперсионный характер. Подчеркивается, что теоретический анализ переноса электронов в пленках a-Si: Н необходимо проводить с учетом влияния флуктуации состава и структурного порядка.

В гл. 1 дан краткий исторический обзор исследований, выполненных в Японии в области аморфных полупроводников и приборов на их основе. Гл. 2 содержит статьи, посвященные вопросам физики электронных явлений в аморфных полупроводниках. Дан краткий обзор теории электронных свойств аморфных полупроводников с тетраэд-рическими координациями связей, описаны качественные особенности спектров межзонного поглощения и родственных явлений в аморфных полупроводниках. Основное внимание уделено решеточной релаксации правилам ^-отбора, хвостам Урбаха, межзонным корреляциям флуктуации потенциала и фотостимулированным изменениям структуры. Приведен обзор исследований структуры связей в аморфном кремнии a-Si и родственных материалах. Результаты этих исследований проливают свет на локальные особенности структуры сеток a-Si, такие как координационное число атомов в a-Si:H, a-SixGei_x: H, атомная структура a-SijCi-x: Н, a- Si:F, структурные позиции накопленных в a-Si:H атомов инертных газов. Обсуждаются также попытки создания теории влияния взаимодействия отдаленных один от другого атомов на структуру связей в аморфных полупроводниках. В последней статье описываются явления переноса в аморфном гидрогенизированном кремнии. Показано, что перенос носителей заряда в a-Si: Н имеет дисперсионный характер. Подчеркивается, что теоретический анализ переноса электронов в пленках a-Si: Н необходимо проводить с учетом влияния флуктуации состава и структурного порядка.

2. Проверяемая гипотеза, сформулированная в связи и в соответствии с описанием объекта. Гипотеза может быть тривиальной, например, сводиться к утверждению о существовании параметра, находящегося в заданном поле допуска, или может предсказывать сложные качественные особенности поведения объекта. Все предусмотренные гипотезой воздействия и реакции должны исходить из описания объекта.

ключает необходимости разработки способов коррекции системы, когда при известном математическом описании системы определяется структура и параметры дополнительных корректирующих устройств, обеспечивающих ее заданные качественные показатели в статических и динамических режимах.

Электрическая часть 'электростанции включает связанные между собой ГЭСЭ и схему с. н. ГЭСЭ, существенно влияет на качественные показатели электрической части, а также всей электростанции (надежность, экономичность, ремонтопригодность, удобство эксплуатации и т. д.). Схема неразрывно связана с энергосистемой, в сеть которой через трансформаторы по Л'ЭП генераторы электростанции выдают вырабатываемую электрическую энергию. Наблюдается влияние как электростанции на развитие энергосистемы, гак и энергосистемы на выбор ГЭСЭ.

От электростанции до электроприемника электрическая энергия передается на десятки, сотни и даже тысячи километров, и при этом неоднократно изменяются напряжения и токи — величины, определяющие ее количественные и качественные показатели.

Эти показатели определяются качеством построения и уровнем эксплуатации всей системы электроснабжения, в которую входит комплекс устройств для производства, передачи и распределения электрической энергии. Однако на качественные показатели (кроме отклонения частоты) влияют и некоторые электроприемники: вентильные преобразователи, мощные электротермические установки (особенно дуговые сталеплавильные печи), электросварочные установки, электродвигатели в период пуска и т. д.

При включении аппаратуры передачи дискретной информации в каналы связи следует соблюдать нормы на уровни мощности, указанные в табл. 9.5. Несоблюдение норм может вызвать перегрузку усилителей систем ВЧ передачи, что заметно ухудшает качественные показатели каналов ТЧ данной системы. Максимально допустимое количество каналов, занятых под передачу дискрет-

Выработка цели проектирования состоит в конкретизации замысла. Конкретизация может выражаться и в качественных, и в количественных (если это возможно) показателях. Так, в отличие от замысла спроектировать радиоприемник для приема УКВ радиостанций, в том числе стереофонических передач, при выработке цели может быть установлен конкретный диапазон перестройки, желательные качественные показатели, степень автоматизации устройства.

В идеальных условиях три системы ЦТВ: НТСЦ, ПАЛ и СЕКАМ дают примерно одинаковое качество изображения (в системе НТСЦ цветовая четкость по вертикали в 1,5—2 раза выше). Однако в условиях эксплуатации, когда действуют дифференциальные искажения и помехи, которые накапливаются при передаче на большие расстояния, качественные показатели систем ПАЛ и СЕКАМ превосходят показатели НТСЦ. Другими словами, в системах ПАЛ и СЕКАМ качество изображения может быть получено таким же, как и в НТСЦ, но при гораздо менее жестких требованиях, предъявляемых к характеристикам аппаратуры и каналов связи. Отметим, что приводимые в литературе значения некоторых характеристик сильно колеблются и к тому же относятся иногда к разным шкалам оценок, что затрудняет точное сравнение.

Более высокие качественные показатели выходного сигнала можно обеспечить, используя демодулятор по схеме синхронного детектора (последовательно соединенные перемножитель и фильтр нижних частот [15, 16]). Если на второй вход перемножителя подается

Начиная с первых послевоенных лет и до сегодняшнего дня сменилось несколько поколений телевизионных радиопередатчиков, каждое из которых отличалось структурой построения и элементной базой. Современные ТРП построены на принципе осуществления модуляции на малом уровне мощности в диапазоне промежуточных частот (ПЧ) с последующим преобразованием модулированного сигнала в полосу требуемого радиоканала ( 5.11). Это имеет следующие достоинства: во-первых, вся аппаратура ПЧ, включая модулируемый каскад и устройства формирования АЧХ и предыскажений, является унифицированной и неперестраиваемой, поэтому она может регулироваться в заводских условиях; во-вторых, качественные показатели канала изображения ТРП оказываются более высокими и достигаются проще, чем в ТРП предыдущих поколений. Резервирование маломощных каскадов / — 13 ТРП, образующих блок возбудителя, осуществляется методом замещения на резервный блок (обведен штрихпунктирной линией) с помощью коммутаторов 14 и 18. Резервирование мощных каскадов осуществляется с помощью двух постоянно включенных полукомплектов (обведены штрихом), объединяемых с помощью мостовых схем 15, 19, 21. Полный цве-

Различают одно-, двух- и трехмерное предсказание. В первом случае для предсказания сигнала в точке х (в момент времени /,-) используют значения сигнала в ближайших на данной строке точках А, В, С ( 7.13, а), т. е. в моменты ti— Тл, // —2ГД, /, — ЗГД. Такое предсказание называется межэлементным. При этом линии задержки в предсказателе имеют задержку, кратную Гд. Как показывает опыт, наибольший вклад в размах предсказанного отсчета вносит первый соседний элемент А, поэтому в большинстве случаев используют одну линию задержки (A/i = Гд) с коэффициентом включения ai = l. При двухмерном предсказании используют значения сигнала в точках, ближайших от предсказываемой по горизонтали и вертикали ( 7.13,6). При чересстрочной развертке и выборе только элементов А и С в предсказателе будут две линии задержки: одна для элемента С с временем задержки на длительность поля, другая — для элемента А с задержкой Тя, коэффициенты включения oti = «2 = = 0,5. При трехмерном предсказании можно использовать сигналы точек, ближайших к предсказываемой по горизонтали и вертикали в данном и предыдущем кадрах ( 7.13, в). При выборе трех точек А, С и X' в предсказателе применяются линии задержки с памятью на элемент, поле и кадр и коэффициентами включения ai—а2 = «з = = 3~'. Наиболее прост по реализации, естественно, одномерный предсказатель, однако качественные показатели системы ДИКМ при этом значительно хуже, чем при двухмерном предсказании.

(синхронизации, если передаются синхроимпульсы). В остальные промежутки времени диод VD закрыт, а конденсатор С медленно разряжается через резисторы Ru и /?„. Напряжение на конденсаторе С является дополнительным напряжением смещения для последующих каскадов. Неуправляемые схемы ВПС имеют более низкие качественные показатели, чем управляемые, и поэтому чаще приме-