Коэффициентов поглощения

Коэффициент т) является функцией нескольких переменных и при расчете определяется по таблицам с учетом типа светильника, коэффициентов отражения стен, пола и потолка, высоты подвеса светильника над рабочим местом, а также соотношения между размерами помещения. По расчетному световому потоку лампы подбирают мощность ближайшей стандартной лампы. Если задана единичная мощность ламп, то из формулы (10.1) может быть найдено необходимое число светильников (так, в частности, рассчитывают люминесцентное освещение).

Коэффициент использования светового потока определяется по таблицам, в которых он подсчитан для каждого типа светильника в зависимости от коэффициентов отражения поверхностей и индекса помещения.

Для расчета используются таблицы удельной мощности, составленные в зависимости от типа светильника, освещенности, высоты подвеса, коэффициентов отражения поверхностей помещений, коэффициента запаса и коэффициента z.

где тос — коэффициент светопропускания ОС; рвх — средний коэффициент отражения таблицы (равный полусумме коэффициентов отражения таблицы для белой и черной полос); 0 = D/f — относительное отверстие ОС; D — диаметр ОС; /' — фокусное расстояние; М — отношение линейного размера изображения (Ь„3 или Апз) к аналогичному размеру таблицы (объекта). Выражение (1.31) справедливо для любых объектов передачи. В частности, оно позволяет рассчитать, например, требуемую освещенность ?об объекта телевизионной передачи по известной освещенности ?м на мишени передающей трубки или наоборот, если ?вх ср заменить на ?об, а ?вых.ср — на ?м, при этом значение р06 берется для белой полосы.

Значения коэффициентов отражения для различных цветов поверхности

щенности (не более 40%), с относительно большим коэффициентом отражения (50—70%). В табл. 4.1 приведены значения коэффициентов отражения для различных цветов поверхности.

Коэффициент поглощения а(п0) вычисляют по экспериментальным результатам измерения коэффициентов отражения и пропускания образцов (см. § 6.2). Пользуясь функцией (6.36), можно непосредственно вычислить концентрацию носителей заряда, однако, ввиду того что между теоретическими и экспериментальными данными наблюдается расхождение, концентрацию определяют по калибровочным зависимостям.

Погрешность измерения модулей коэффициентов отражения и> передачи обусловлена непостоянством их в различных узлах прибора в диапазоне частот. Фазовая погрешность появляется из-за разной электрической длины опорного и измерительного каналов с диапазоне частот.

Методом раздельных испарителей предусматривается одновременное испарение компонентов сплава из индивидуальных испарителей, имеющих в общем случае различные температуры. На пути движения к подложке пары образуют смесь определенного состава, которая осаждается на подложку. Сложность учета геометрии системы, а также коэффициентов отражения от подложки атомов различных компонентов не позволяет решить эту задачу аналитически. Поэтому подбор температур на испарителях и температуры подложки производят экспе-

преломления п зависят от ориентации молекул и поэтому являются анизотропными величинами. В отличие от активных индикаторов жидкокристаллические не генерируют оптическое излучение, а модулируют его интенсивность за счет изменения таких его характеристик, как амплитуда, фаза, длина волны, плоскость поляризации и направление распространения. Например, при прохождении света через ЖК происходит поворот плоскости поляризации электромагнитной волны на угол 7-Ю4 град/мм, в то время как у кварца эта величина 15 град/мм. В ЖКИ запись информации происходит в результате изменений параметров жидкокристаллической среды под действием электрических, магнитных и акустических полей. Эти изменения приводят к вариации коэффициентов отражения, поглощения и рассеяния, изменению показателя преломления. Конструкция ЖКИ очень проста: между двумя стеклянными пластинами, на которые нанесены полупрозрачные электроды, заключено жидкокристаллическое вещество, толщина которого определяется прокладками (10—20 мкм).

Заметим, что для технических расчетов удобно пользоваться коэффициентом отражения не только в конце, но и в любом сечении линии. Коэффициентов отражения р в любом сечении линии называют отношение напряжения (тока) отраженной волны к напряжению

Коэффициент kn определяется суммой коэффициентов поглощения и рассеивания. В области прозрачности стекол (0,4...0,9 мкм) коэффициент поглощения порядка Ю-4...Ю-5 см'1.

Из (4.33) следует, что одно и то же значение Un может быть получено для различных значений /0 и а. Например, для двух длин волн AI и Я2 в соответствии со значениями коэффициентов поглощения ai(A-i) и «2(^.2) можно выбрать интенсивности света /i и /г такими, чтобы поверхностная фото-ЭДС осталась неизменной. Тогда

Помимо различия в скорости распространения право- и левополяризован-ной составляющих волны, в намагниченном феррите неодинаковой оказывается и зависимость их коэффициентов поглощения от напряженности под-магничивающего поля Я0 ( 11.22): правополяризованная составляющая при Я0 = Ярез испытывает сильное резонансное поглощение, в то время как у левополяризованной составляющей с увеличением Я0 коэффициент поглощения меняется незначительно.

.•:. .Иная ситуация имеет место в вырожденных полупроводниках. Слабое вырождение приводит к уменьшению коэффициентов поглощения на частотах, близких к краю собственного поглощения. Сильное же вырождение вообще сдвигает край поглощения в сторону более коротких волн. Этот эффект называют сдвигом Бурштейна. Он. отчетливо проявляется в полупроводниках с малой плотностью состояний у дна зоны проводимости (или у потолка валентной зоны), в. которых сильное вырождение достигается при сравнительно малых уровнях легирования. Так, в InSb легирование донорами (концентрация 5 • 1024 М'3) приводит к сдвигу длинноволновой границы собственного поглощения с 7,1 до 3,5 мкм. Во многих же случаях сдвиг Бурштейна маскируется другим эффектом сильного, легирования — изменением плотности состояний у краев энергетических зон. Это изменение происходит вследствие размытия примесных уровней в примесную зону и слияния последней с зоной проводимости или с валентной зоной.

вания коэффициентов поглощения и независимости от вида излу-

В то же время, объемная доля аморфной фазы в каждой пленке мк-Si : Н, рассчитанная из отношения оптических коэффициентов поглощения аморфной и микрокристаллической фаз (аа/ас) и интенсивности фотолюминесценции, оказывается меньше значения (1 — Хс), рассчитанного по данным рентгеноструктурного анализа. Как впервые замечено в [57] (см. 4.3.5), среднее волновое число полосы поглощения, связанной с колебательной модой растяжения связи Si: Н и с переходом системы Si: Н из аморфного и микрокристаллическое состояние, резко увеличивается.

Изменения фотовольтаических характеристик в зависимости от отношения ^птп!^ртр (пунктирные линии) и параметра эффективной. поверхностной рекомбинации $п (сплошные линии) на лицевой стороне представлены на 5.1.8. Как видно из рисунка, чем меньше отношение ^птп/^ртр, тем больше плотность тока короткого замыкания Jsc и коэффициент заполнения (КЗ) и тем ниже ожидаемая величина напряжения холостого хода Voc. Уменьшение параметра эффективной поверхностной рекомбинации на границе раздела лицевой стороны приводит к улучшению фотовольтаических характеристик. Таким образом, фотовольтаические характеристики в большей степени определяются параметром эффективной поверхностной рекомбинации, чем отношением произведений подвижности на время жизни Иптп1^рТр- При Sn = 102 В/см КЗ изменяется немонотонно с изменением коэффициента поглощения. В области реальных коэффициентов поглощения нелегированных a-Si : Н пленок, способных генерировать фотоносители при освещении в условиях АМ-1, КЗ несколько увеличивается с увеличением коэффициента поглощения, т.е. с уменьшением длины волны падающего света. Таким образом, такая тенденция наблюдалась бы, если можно было производить солнечные элементы на основе a-Si : He очень хорошими свойствами на границе раздела.

5.1.7. Световые ВАХ в зависимости от суммы (иптп + ^ртр), см2/В для различных коэффициентов поглощения падающего света [ 13J

Рассмотрены последние достижения в области разработки солнечных элементов на основе аморфного'кремния, изготовленных на подложке из нержавеющей стали. Обсуждаются вопросы захвата легирующего элемента в /-слое р-/-я-структуры и в частности влияния примесных атомов бора (~ 10'7 см"3) на перенос носителей и характеристики элементов. Показано, что слой микрокристаллического легированного фосфором гидрогенизированного кремния со стороны окна существенно улучшает параметры солнечного элемента за счет уменьшения коэффициентов поглощения и отражения. Обсуждаются характеристики солнечных батарей большой площади в сочетании с вопросами оптимизации конструкционных параметров расположения элементов. Кратко затронуты также вопросы изучения модульных структур и стабильности солнечных элементов на основе аморфного кремния.

В то же время, объемная доля аморфной фазы в каждой пленке мк-Si : Н, рассчитанная из отношения оптических коэффициентов поглощения аморфной и микрокристаллической фаз (аа/ас) и интенсивности фотолюминесценции, оказывается меньше значения (1 — Хс), рассчитанного по данным рентгеноструктурного анализа. Как впервые замечено в [57] (см. 4.3.5), среднее волновое число полосы поглощения, связанной с колебательной модой растяжения связи Si: Н и с переходом системы Si: Н из аморфного и микрокристаллическое состояние, резко увеличивается.

Изменения фотовольтаических характеристик в зависимости от отношения ^птп!^ртр (пунктирные линии) и параметра эффективной. поверхностной рекомбинации $п (сплошные линии) на лицевой стороне представлены на 5.1.8. Как видно из рисунка, чем меньше отношение м^м/Мртр, тем больше плотность тока короткого замыкания Jsc и коэффициент заполнения (КЗ) и тем ниже ожидаемая величина напряжения холостого хода Voc. Уменьшение параметра эффективной поверхностной рекомбинации на границе раздела лицевой стороны приводит к улучшению фотовольтаических характеристик. Таким образом, фотовольтаические характеристики в большей степени определяются параметром эффективной поверхностной рекомбинации, чем отношением произведений подвижности на время жизни Иптп1^рТр- При Sn = 102 В/см КЗ изменяется немонотонно с изменением коэффициента поглощения. В области реальных коэффициентов поглощения нелегированных a-Si : Н пленок, способных генерировать фотоносители при освещении в условиях АМ-1, КЗ несколько увеличивается с увеличением коэффициента поглощения, т.е. с уменьшением длины волны падающего света. Таким образом, такая тенденция наблюдалась бы, если можно было производить солнечные элементы на основе a-Si : He очень хорошими свойствами на границе раздела.