Коэффициента распыления

казаниями термометра и индикаторного микрометра, регистрирующего нарастающую деформацию образца по мере его нагревания. В качестве критерия холодостойкости принимают температуру, при которой деформация образца достигает 1 мм. Груз 2 выбирают с таким расчетом, чтобы прогиб образца при нормальной температуре составлял примерно 1 мм. После замораживания образца груз увеличивают в 2—3 раза в зависимости от заданных условий и наблюдают деформацию образца при медленном его размораживании. Кварцевое стекло выбрано материалом для деформирующей трубки 5 из-за весьма малого температурного коэффициента расширения. Иногда холодостойкость оценивают изменением модуля упругости при малых деформациях в условиях низких температур.

Так, например, температурный коэффициент расширения стали на 30—35% меньше температурного коэффициента расширения констангана; поэтому при наклейке решетки из константана на сталь преобразователь при повышении температуры будет испытывать деформацию сжатия, что равноценно отрицательному температурном) коэффициенту. Наоборот, при наклейке преобразователя из конс'-антана на дюраль в преобразователе при повышении температуры будет возникать деформация растяжения, что равноценно положи--ельному температурному коэффициенту сопротивления.

ных полимерных составах, при больших значениях температурного коэффициента расширения может снизиться стойкость к резким температурным перепадам — стойкость к термоударам, что приводит к появлению недопустимых трещин в материале.

С увеличением температуры поляризованность при электронной поляризации уменьшается за счет расширения тела. Однако в соответствии с малым значением температурного коэффициента расширения диэлектрическая проницаемость при электронной поляризации очень слабо снижается с увеличением температуры. Эта зависимость определяется температурным коэффициентом ДИЭЛСКТрИЧесКОЙ проницаемости:

В большинстве случаев ситаллы имеют электрические параметры, определяющие более высокие свойства, чем у обычных стекол соответствующего состава. Возможности, заложенные в изменениях рецептуры стекломасс и режиме кристаллизации ситаллов, позволяют создавать их с различными свойствами, в том числе с повышенной механической прочностью, разными значениями температурного коэффициента расширения вплоть до близких к нулю, что обеспечивает стойкость к температурным колебаниям.

где Хг — молярная доля компонента стекла; Я,— значение исследуемого параметра, например температурного коэффициента расширения, теплопроводности, диэлектрической проницаемости, удельного сопротивления и др.

Кроме того, в состав компаундов могут входить активные ра.> бавители, понижающие вязкость компаунда, пластификаторы, от-вердители. инициаторы и ингибиторы, назначения которых те же, что и в лаках. В состав компаунда могут также входить наполнители — неорганические и органические порошкообразные или волокнистые материалы, применяемые для уменьшения усадки, улучшения теплопроводности, уменьшения температурного коэффициента расширения и снижения стоимости. В качестве наполнителей применяют пылевидный кварц, тальк, слюдяную пыль, асбестовое и стеклянное волокно и ряд других.

Коэффициент расширения одной ступени расширителя импульсов обычно не превышает 103. Для получения большего коэффициента расширения применяют многоступенчатые расширители импульсов. Какие же требуются коэффициенты расширения? Пусть требуется измерить импульс длительностью 0,1 икс стрелочным прибором с временем установления показаний тр=3 с. Коэффициент расширения /СР при этих условиях должен быть Кр^З-107. Ясно, что с одним каскадом расширения такого значения КР достигнуть нельзя. На 5.12 изображена функциональная схема многокаскадного расширителя. Коэффициент расширения «-каскадного расширителя

Отношение толщин стенок вкладыша и втулки должно быть выбрано так, чтобы приведенный коэффициент расширения рабочего диаметра вкладыша был больше коэффициента расширения шипа (вала).

Тепловая интерпретация пика смещения, не предусматривающая, согласно концепции Бринкмана, образование дефектов в зоне конечного участка траектории атома, инициирующего как смещения, также приводит к выводу о возможности образования дислокационных петель, обусловливающих ориентационную зависимость радиационного роста а-урана [4]. Если представить область пика смещения в виде сферы, нагретой до температуры порядка 1000° С, то после охлаждения до средней температуры решетки она должна деформироваться в эллипсоид, большая ось которого совпадает с направлением минимального коэффициента расширения. При этом число атомных плоскостей в направлении большой оси эллипсоида должно оказаться большим по сравнению с окружающей средой. В направлениях, перпендикулярных большой оси, положение должно быть обратным. Характерной особенностью данного процесса является то, что он не требует образования петель дисло-

коэффициента расширения легкоплавких стекол.

Для количественной характеристики ионного травления вводят понятие коэффициента распыления s, определяемого отношением числа распыленных атомов мишени к числу падающих ионов. Коэффициент распыления аналитически может быть вычислен из выражения

нов, угла падения ионов на мишень и некоторых других факторов. Характерно, что значение коэффициента распыления практически не зависит от температуры мишени.

На 2.25 показана зависимость коэффициента распыления от энергии ионов. При энергиях, соответствующих участку /, распыления мишени практически не происходит вплоть до пороговой энергии. На участке II наблюдается почти линейный рост коэффициента распыления с увеличением энергии ионов. Уменьшение коэффициента распыления при больших энергиях (участок ///) объясняется проникновением ионов в глубину материала с последующим рассеянием их энергии главным образом в объеме.

В соответствии с тем, что катодное падение напряжения при дуговом разряде мало и нарастает оно с током достаточно медленно, кривые удельного распыления Gn на 1-43, а и б имеют малый подъем. Численные значения коэффициента распыления при исчислении его числом атомов, выбиваемых одним ионом, у легкоплавких металлов лежат в пределах от 0,6 до 1,5 атома на ион, в то время как у тугоплавких металлов они не превышают 0,06— 0,08 атома на ион.

он нормален к поверхности ЗС- мишени. Энергия импульса атома, покидающего поверхность мишени и переходящего в пар, должна быть равна или больше энергии испарения и составляет лишь часть энергии бомбардирующей частицы. Схема, показанная на 3-13, иллюстрирует, что большая часть энергии тратится на радиационные повреждения решетки твердого тела, из которого изготовлена мишень. Исходя из предположения, что основной вклад в процесс распыления вносит первое столкновение иона с атомом мишени, была предложена простая формула для расчета коэффициента распыления

Как было показано выше, пороговые энергии мало отличаются для разных материалов. Тем не менее для разных материалов наблюдается заметное различие в скорости увеличения коэффициента распыления при увеличении энергий ионов ( 3-14).

3-15. Зависимость коэффициента распыления некоторых металлов от энергии Е бомбардирующих ионов при катодном распылении.

3-16. Зависимость коэффициента распыления металлов от угла падения ионов а.

Sv увеличивается с ростом температуры, а после 906°С уменьшается. На 3-17 показан пример зависимости коэффициента распыления от температуры мишени для некоторых металлов.

3-17. Зависимость коэффициента распыления от температуры мишени.

Коэффициент распыления зависит от энергии иона Еи, его массы, угла падения, материала мишени, температуры я состояния поверхности. Экспериментальное определение коэффициента распыления сводится к взвешиванию мишени до и после распыления, 1вычислению количества распыленных атомов с помощью числа Аво-гадро и определению числа ионов, достигших поверхности мишени за данный отрезок времени.