Используют дополнительные

При решении многих инженерных задач, например при измерении электрических и неэлектрических величин, приеме радиосигналов, контроле и автоматизации технологических процессов, возникает необходимость в усилении электрических сигналов. Для этой цели служат усилители, т. е. устройства, предназначенные для усиления напряжения, тока и мощности. В современных усилителях, широко применяемых в промышленной электронике, обычно используют биполярные и полевые транзисторы, а в последнее время — интегральные микросхемы. Усилители на микросхемах обладают высокой надежностью и экономичностью, большим быстродействием, имеют чрезвычайно малые размеры и массу, высокую чувствительность. Они позволяют усиливать очень слабые электрические сигналы (напряжение порядка 10~13 В, токи до 10~17 А, мощность порядка 10~24 Вт).

ниже необходимых требований. С помощью ^С-автогенераторов можно получать колебания и высокой частоты вплоть до 10 МГц. Однако преимущества ^С-автогенераторов проявляются именно на низких и инфранизких частотах. В этом частотном диапазоне за счет применения резисторов и конденсаторов .RC-автогенераторы обладают более высокой стабильностью, имеют меньшие габариты, массу и стоимость, чем LC-автогенераторы. Для создания ^С-авто-генераторов широко используют биполярные транзисторы, а в последнее время полевые транзисторы и операционные усилители в интегральном исполнении.

В параметрических стабилизаторах тока в качестве нелинейного элемента используют биполярные и полевые транзисторы. На 9.19 изображена схема стабилизатора тока на полевом транзисторе. Значение стабилизируемого тока определяется резистором Ru. Коэффициент стабилизации тока в таком стабилизаторе составляет несколько десятков.

Устройство выборки-хранения может быть выполнено в виде конденсатора С, который с помощью ключа подключается на некоторое, обычно весьма малое время к источнику сигнала ?/вх (t) и заряжается до значения напряжения сигнала в этот момент времени. После этого производится подключение конденсатора С ко входу операционного усилителя А ( 122, а). Операционный усилитель включен по схеме повторителя с коэффициентом передачи К — 1 и имеет очень высокое входное сопротивление: /?вх = = 108ч-1010 Ом. Вследствие этого напряжение сигнала на конденсаторе в режиме хранения практически постоянно и изменяется с весьма малой скоростью, определяемой в основном током утечки самого конденсатора (выполняемого обычно на основе высококачественных диэлектриков — полиэтилена, фторопласта) и в лучших схемах не превышает единиц милливольт в I с, В быстродействующих схемах в качестве ключа используют биполярные или полевые МОП-транзисторы ( 122, б), работающие в режиме обогащения. При отсутствии сигнала управления МОП-транзистор имеет очень высокое сопротивление, достигающее 1013 Ом, и конденсатор оказывается отключенным от источника сигнала. При подаче на затвор импульса управления транзистор полностью открывается (при этом сопротивление составляет несколько десятков — сотен Ом) и конденсатор подключается к источнику сигнала на заданное время, запоминая тем самым значение сигнала в момент отсчета,

Диодные ПЗУ отличаются простотой, но имеют существенный недостаток, потребляют значительную мощность. Чтобы облегчить работу дешифратора, вместо диодов используют биполярные ( 21.7,6) и ( 21.7, в) транзисторы.

нагрузка. Шина данных подключается к ячейке памяти через транзисторы VT7 и VT8. При считывании информации для выбора ячейки задается адрес строки и адрес столбца через затворы транзисторов VT5—VT8, транзисторы открываются и в шине данных появляется дифференциальный ток. Состояние триггера после считывания не изменяется. При записи информации таким же образом выбирается нужная ячейка памяти и по шине данных посылается сигнал, приводящий ячейку ЗУ в нужное состояние. Для построения памяти с высоким быстродействием используют биполярные транзисторы.

В специальных случаях в полупроводниковых микросхемах используют биполярные транзисторы в сочетании с МДП- либо полевыми транзисторами с управляющим р-п переходом. Для изготовления таких микросхем требуется более сложная технология.

левые транзисторы применяют во входных каскадах аналоговых микросхем, а в остальных каскадах используют биполярные транзисторы. В связи с этим возникает необходимость формирования на одном кристалле биполярных транзисторов и полевых транзисторов с управляющим р-п переходом.

Для изготовления линейных ИМС в гибридном исполнении наибольшее распространение получили методы тонкопленочной технологии изготовления пассивной части. В качестве навесных элементов используют биполярные транзисторы различных структур и МДП-транзисторы. Большие возможности гибридной технологии при изготовлении линейных ИМС обусловлены хорошей изоляцией между элементами схемы, что позволяет улучшить схемотехнические параметры, в частности частотный диапазон.

В качестве базового элемента в полупроводниковых микросхемах используют биполярные транзисторы в основном со структурой /г-р-п+-типа проводимости, изготовляемые по планарной или планарно-эпитаксиальной технологии, и униполярные транзисторы с МД'П-структурой одного или двух типов проводимости канала, изготовляемые по планаряой технологии.

В качестве активного элемента используют биполярные и полевые транзисторы, туннельные диоды.

Диодные ПЗУ отличаются простотой, но имеют существенный недостаток, потребляют значительную мощность. Чтобы облегчить работу дешифратора, вместо диодов используют биполярные ( 21.7,6) и ( 21.7, в) транзисторы.

Для расширения возможностей однокорпусных микро-ЭВМ используют дополнительные БИС: памяти, интерфейса и т. д. В совокупности они образуют микропроцессорный комплект БИС. Для расширения функциональных возможностей отдельных БИС иногда их выполняют в виде многокристальной конструкции ( 8.56) или они имеют переходные контактные колодки для подключения сменных элементов (например, БИС ПЗУ микропрограмм; 8.57).

Из формулы (16-29) следует, что число типов колебаний возрастает с увеличением размеров резонатора. Максимальные допустимые размеры рабочей камеры связаны технологическими ограничениями, из которых главным является мощность генератора СВЧ. По этой причине для возбуждения большего числа типов колебаний используют дополнительные средства.

Шероховатость поверхности оценивается либо по среднему арифметическому отклонению профиля Ra от базовой плоскости, либо по высоте микронеровностей R2. В некоторых случаях для оценки шероховатости используют дополнительные параметры: Кта, — наибольшую высоту неровностей профиля; Sm — средний шаг неровностей профиля; S — средний шаг неровностей по вершинам.

Следует отметить, что из-за имеющей всегда место некоторой начальной магнитной анизотропии материала при отсутствии нагрузки будет существовать и некоторая начальная э. д. с. Для ее уменьшения в магнитопроводах из листового материала чередуют листы со взаимно перпендикулярными направлениями проката, используют дополнительные обмотки, специальные магнитные шунты и т. п.

Для создания некоторых цифровых и особенно аналоговых микросхем кроме п-р-п необходимы р-п-р транзисторы. Если допускается, что электрические параметры последних могут быть хуже, чем у п-р-п транзисторов, то транзисторы обоих типов изготовляют одновременно. В этом случае не используют дополнительные технологические операции. Таким образом можно создавать только горизонтальные р-л-р-транзисторы.

Для более подробной характеристики шероховатости поверхности используют дополнительные параметры: Rmax — наибольшую высоту неровностей профиля, представляющую собой расстояние между линиями выступов и впадин; Sm — средний шаг неровностей профиля и S — средний шаг неровностей по вершинам. В технической докумен-

Обычно уровни t/Lx и t/вых несколько различаются, вследствие чего строгое равенство значений T? и т2 не обеспечивается. Для обеспечения указанного равенства во всем рабочем диапазоне температур используют дополнительные цепи стабилизации выходного напряжения. Схема автоколебательного генератора с двусторонним ограничителем напряжения на стабилизаторе (см. § 3.7, 3.78) показана на 6.110. Здесь Ka. = R'2/R2, где /?а — сопротивление той части потенциометра R2, которая включена между движком и общей шиной. Период колебаний

Для того чтобы исключить смещение физической нейтрали, в машинах постоянного тока мощностью свыше 0,3 кВт используют дополнительные полюсы, которые устанавливают на геометрической нейтрали. Эти полюсы создают магнитный поток, направленный навстречу потоку реакции якоря, компенсируя тем самым поле реакции якоря в относительно узкой зоне поверхности якоря, где находятся проводники замыкаемых щетками секций. Обмотки дополнительных полюсов соединяют через щегки последовательно с обмоткой якоря таким образом, чтобы направление м. д. с. дополнительных полюсов было противоположно направлению м. д. с. реакции якоря. При наличии дополнительных полюсов щетки нужно устанавливать на коллекторе по линии геометрической нейтрали. Дополнительные полюсы служат также для улучшения коммутации.

Чтобы облегчить возникновение разряда, иногда используют дополнительные поджигающие электроды, вызывающие начальную ионизацию газа.

Цифровые электронные вольтметры постоянного напряжения являются одним из самых распространенных видов цифровых измерительных приборов, поскольку цифровые измерители других величин используют дополнительные преобразователи в постоянное напряжение. К достоинствам вольтметров относятся, помимо представления результата в цифровой форме, исключающей субъективные погрешности, возможность автоматического выбора пределов измерения и полярности, быстродействие, возможность ввода данных измерений в ЭВМ. Рассмотрим некоторые особенности

Чтобы облегчить возникновение разряда, иногда используют дополнительные поджигающие электроды, вызывающие начальную ионизацию газа.