Используются магнитные

В качестве фотоприемников в диодных оптронах используются кремниевые фотодиоды, которые хорошо согласуются по

Управляемые выпрямители позволяют одновременно с выпрямлением переменного напряжения осуществлять плавное регулирование в широких пределах среднего значения выпрямленного напряжения. Обычно управляемые выпрямители строятся по тем же схемам, что и неуправляемые, однако в вентильной группе используются кремниевые управляемые вентили — тиристоры (см. § 6.1), включение которых осуществляется подачей импульса от схемы управления на управляющий электрод тиристора (табл. 10.7).

500 Гц (ВТГ) через два выпрямителя (ВУТГ). Выпрямители ВУТГ выполнены по трехфазной мостовой схеме. В каждом плече моста имеется 12 параллельных ветвей, в каждой ветви — по два вентиля, соединенных последовательно. В качестве вентилей используются кремниевые диоды типа В200 класса 5—6.

Для получения постоянного тока из переменного используются кремниевые выпрямительные агрегаты. Они применяются для питания электролизных установок цветной металлургии и химической промышленности и состоят из трансформатора, выпрямительных блоков и другого комплектного оборудования. Трансформаторы преобразовательных агрегатов питаются t>T сети переменного тока напряжением 6, 10 или 35 кВ.

10е ... 10') при достаточно высоком быстродействии (средняя задержка 0,5 ... 1 не). Во втором направлении используются кремниевые биполярные транзисторы и обеспечивается повышенное быстродействие (средняя задержка 0,1 ... 0,5 не), но при меньшей степени интеграции (число элементов 104 ... 105). Третье направление позволяет достигать сверхвысокого быстродействия (средняя задержка 50 ... 200 пс) при числе элементов 103 ... 104; оно развивается на основе ар-сенид-галлиевых МЕП-транзисторов.

В качестве электрических вентилей в низковольтных выпрямителях статических преобразователей наиболее часто используются кремниевые или германиевые диоды, в высоковольтных — селеновые выпрямительные столбы.

Так как в ИМС главным образом используются кремниевые транзисторы (для которых изменение /ко не имеет решающего значения), то температурная нестабильность каскадов в основном определяется изменениями р"л/ и 1/э.

зисторах приведен на 3.95, а. Генератор тока /0 подключен к точке соединения эмиттеров транзисторов 7\ и Т2 п-р-п-типа. Такая проводимость транзисторов взята потому, что в интегральных схемах в подавляющем большинстве случаев используются кремниевые транзисторы «-р-л-типа. База транзистора Т2 подключена к источнику постоянного высокостабильного опорного напряжения Е0. На базу TI подается входной управляющий сигнал «вх(/). Ток /0 должен переключаться в нагрузку RKi либо в нагрузку RK2. Выходное напряжение может сниматься либо с коллектора 7\, либо с коллектора Tz. Изменение напряжения на коллекторах этих транзисторов проти-вофазно. Наконец, можно включить нагрузку и между коллекторами 7\ и Т2 (так называемое дифференциальное включение нагрузки). В этом случае при переключениях направление тока в нагрузке изменяется .

. Наиболее широко в технологии ИМС используются кремниевые монокристаллы. Эти монокристаллы кремния могут поступать'в производство в виде слитков, 'Необработанных или шлифованных и полированных монокристаллических пластин, а также в виде пластин, покрытых эпитаксиалъным слоем.

В качестве фотоприемника чаще всего используются кремниевые пленарные транзисторы п-р-п с внешними выводами только эмиттера и коллектора, иногда выводят и базовый электрод. В качестве излучателя используются арсенидогаллиевые излучающие диоды.

генератора тока /„ течет в левую цепь, в положении 2—в правую. Выполняющий аналогичные функции переключатель тока на биполярных транзисторах приведен на 3.101, а. Генератор тока /„ подключен к точке соединения эмиттеров транзисторов Т1 и Т2 п-р-л-типа. Такая проводимость транзисторов взята потому, что в интегральных схемах "в подавляющем большинстве случаев используются кремниевые транзисторы n-p-n-типа. База транзистора Т2 подключена к источнику постоянного высокрстабильного опорного напряжения Е0. На базу 7\ подается входной управляющий сигнал ивх (/). Ток /0 должен переключаться либо в нагрузку ^К1,

Магнитный усилитель. Последнее время в системах автоматического регулирования п в вычислительной технике широко используются магнитные усилители, имеющие простую констпукщ;::; и надеж-

В электрических аппаратах широко используются магнитные системы «полюс против полюса», а также комбинированное расположение полюсов, когда одна грань полюса с другой составляют «полюс — плоскость», а другая (рань — «полюс — полюс».

Современные электрические нагрузки характеризуются значительным потреблением реактивной мощности. Рост потребления реактивной мощности связан в первую очередь с широким применением электроустановок, в которых для преобразования энергии используются магнитные поля (электродвигатели, трансформаторы и т. п.). Значительную реактивную составляющую имеют токи преобразовательных устройств с ртутными вентилями и тиристорами, люминесцентное освещение и др. В связи с этим электрические сети загружаются реактивной составляющей тока, что сопровождается понижением напряжения и большими потерями мощности при передаче и распределении электроэнергии.

В § 8.1 указывается возможность использования полупроводникового усилителя в качестве элемента нуль-индикатора. В § 3.22 указывалась возможность применения полупроводникового усилителя как элемента измерительных схем. В настоящее время в устройствах регулирования широко используются магнитные усилители.

Выбор электромагнитных нагрузок В6 и Л зависит от мощности АД, использованной марки стали, класса нагревостойкости, электрической и механической прочности изоляционных материалов (табл. 2.1, 2.2). Увеличение Вв и А позволяет уменьшить размеры двигателя. Однако рост Be ограничивается насыщением зубцов и ярем. При повышенных требованиях по уровню звука приходится выбирать Be на более низком уровне. Увеличение линейной нагрузки А ограничивается классом нагревостойкости и требуемой толщиной изоляции. Более высокие электромагнитные нагрузки имеют двигатели новых серий, в которых используются магнитные и изоляционные материалы с улучшенными свойствами. Например, применение для АД серии 4А стали 2013 позволило увеличить Вв до 0,8—1,0 Тл.

Для осуществления определенной программы автоматического управления электроприводами используются магнитные станции различного назначения, блоки управляющей аппаратуры и магнит-

Для управления электротехническими установками с номинальными токами более тысячи ампер и мощностями до 100 кВт используются магнитные станции, включающие командный аппарат или кнопочные посты, реле управления и защиты и контакторы постоянного или переменного тока, располагаемые на специальных панелях и устаналиваемые, как правило, в шкафах.

В импульсных СЭП сигнал, пропорциональный сигналу рассогласования 5, подается на вход импульсного элемента системы управления, на выходе которого вырабатываются разнополярные импульсы прямоугольной формы; скважность (отношение длительности импульсов к периоду их следования) пропорциональна значению сигнала 8, а полярность — его знаку. Исполнительные элементы, выполненные в виде модуляторов, различны по исполнениям для приводов постоянного и переменного токов. В них используются магнитные, полупроводниковые (типа триггеров) переключающие элементы.

Среди магнитных элементов используются магнитные усилители, работающие в релейном режиме, магнитные элементы с прямоугольной петлей гистерезиса и феррорезонансные элементы. Магнитные элементы получили очень широкое распространение, в частности, благодаря относительно малой стоимости и практически неограниченному сроку службы. В дискретных системах телемеханики используются пермаллоевые торы и

Для отклонения записывающего и считывающего лучей обычно используются магнитные катушки. В некоторых типах графеконов имеется электростатическое отклонение.

В цифровых вычислительных системах находят широкое применение магнитные материалы. Магнитные ленты, диски или барабаны используются во входных и выходных устройствах в качестве средств накопления информации, а магнитные сердечники,— в сдвиговых регистрах, дешифраторах, буферных накопителях и блоках памяти. Поскольку плотность магнитного потока и масса магнитного материала в названных носителях и устройствах невелики, последние оказываются весьма чувствительными к воздействию посторонних магнитных полей. Например, поле постоянного тока может вызвать переход всех сердечников устройства в одинаковое состояние, а поле переменного тока — стереть записанную" на магнитоносителе информацию. Скачки магнитного поля могут привести к появлению ложных или исчезновению рабочих информационных импульсов. Поэтому системы, где используются магнитные носители информации, должны быть надежно защищены от магнитных полей.