Используются интегральные

В аналоговых линиях квантование сообщений по времени осуществляется с помощью последовательности видеоимпульсов с постоянным периодом повторения (импульсная поднесущая). В первой ступени модуляции производится изменение одного из параметров импульсной последовательности в соответствии со значениями сообщений в моменты появления импульсов. При этом используются импульсные виды модуляции: АИМ, ШИМ или В ИМ.

При питании от источников постоянного напряжения для регулирования мощности постоянного тока в нагрузке с высоким КПД используются импульсные преобразователи (регуляторы) постоянного напряжения с ключевым режимом работы.

температурной плазмы, электрогидравлического эффекта и т. д. используются импульсные силовые конденсаторы.

В настоящее время в быстродействующих ограничителях используются импульсные диоды с сравнительно узкой базой и малым объемным сопротивлением, изготовленные из полупроводникового кристалла с малым временем жизни. В импульсных диодах переходный процесс устанавливается за десятки наносекунд, что значительно меньше времени перезаряда паразитных емкостей, входящих в схему ограничителя. Поэтому при расчетах схем микросекундного диапазона инерционностью полупроводникового диода, определяемой временем установления заряда в базе, можно пренебречь.

Для современной радиоаппаратуры характерно также применение специальных мощных высоковольтных трансформаторов на передающих и ретрансляционных станциях. При генерировании сверхмощных радиосигналов широко используются импульсные трансформаторы с мгновенным значением мощности 500— 1000 МВт.

Для измерения амплитуд видео- или радиоимпульсов большой скважности используются импульсные электронные вольтметры. Импульсные напряжения характеризуются рядом параметров:

Подавляющее большинство логических элементов относится к потенциальным, в них используются только потенциальные сигналы и совсем не используются импульсные сигналы.

При питании от источников постоянного напряжения для регулирования мощности постоянного тока в нагрузке с высоким КПД используются импульсные преобразователи (регуляторы) постоянного напряжения с ключевым режимом работы.

Для регулирования значений напряжения и тока в настоящее время эффективно используются импульсные электронные регуляторы и быстродействующие магнитные ключи. Эти виды ЭА, включая разнообразные датчики, наиболее широко применяются в системах автономного электроснабжения как наземных, так и аэрокосмических систем.

Для организации обратной связи по положению ротора двигателя используются импульсные датчики положения. Сигналы с датчика вводятся непосредственно в МК. Для приема и обработки этих сигналов могут быть использованы аппаратные средства таймера общего назначения с несколькими каналами захвата внешних сигналов или задейство-

В случае дискретных сигналов для разделения между ними каналов передачи информации, для отделения канала синхронизации от канала передачи информации, а также для образования кодовых слов различными способами кодирования используются импульсные признаки, проанализированные в ч. I.

Главы, относящиеся к усилителям, генераторам, выпрямительным и другим преобразовательным устройствам, существенно переработаны в направлении более широкого представления устройств, в которых используются интегральные микросхемы.

Дискретные ТА. Информация о первичных токах передается от ИП, как правило, в аналоговой форме. В свое время В. Е. Казанский высказал убедительные соображения о целесообразности в ряде случаев использования дискретных форм передачи этой информации. Дискретные сигналы менее чувствительны к помехам, особенно промышленной частоты, не предъявляют, как аналоговые, жестких требований к сопротивлениям соединительных проводов. Удачным оказалось создание дискретных ТА на базе магнитных ТА, в которых в качестве выходных параметров используются интегральные (не мгновенные) значения электрических величин, их средние значения за период. При этом аналого-цифровые преобразователи оказываются достаточно простыми по использованию, устанавливаются у места расположения ИП и дают возможность значительно более широко применять магнитные ТА и выполнять на их базе защиты разного принципа действия [44]. Имеются сведения о выполнении зарубежными фирмами дискретных ТА, у которых собственно ТА, блок оперативного питания и аналого-цифровой преобразователь находятся на потенциале первичного тока. Информация о мгновенных значениях it с большой частотой дискретизации в них передается последовательным двоичным кодом по оптико-волоконному каналу непосредственно к микропроцессорным устройствам защиты. Дискретная форма передачи информации может, конечно, оказываться весьма полезной и для оптико-электронных ТА, а принципиально и для обычных ТА.

На 1.1, б показан ИВЭП, в состав которого входят преобразователь и стабилизатор. Этот ИВЭП можно упростить, убрав из него стабилизатор, а его функцию возложить на преобразователь. Такой преобразователь называют стабилизированный преобразователь и схемы его имеют много разновидностей. Рассмотрим схему, в которой используются интегральные микросхемы, которые вырабатывают им-

Так как все электротехнические устройства основаны на использовании электромагнитного поля их систем, состоящих из заряженных тел и контуров с токами, для решения многих задач необходимо привлечение теории этого поля со сложными математическими зависимостями. Однако в большинстве устройств используются ограниченные пути электрического тока и магнитного потока — изолированные проводники малого сопротивления и магнитопроводы из материала с высокой магнитной проницаемостью, называемые электрическими и магнитными цепями. Их расчеты могут быть значительно упрощены, так как не требуют знания составляющих поля в каждой точке устройств. Теория этих цепей основана на использовании интегральных величин: напряжения U = \ Edl, заряда Q = = \Ш8, тока / = ^Ы8, магнитного потока Ф = ^BdS, намагничивающей силы (н. с.) F = ^Ш1 (/ — длина, S — площадь) взамен Е, D, 6, Н и В, характеризующих поле. Взамен характеристик среды е, ^ и Y используются интегральные характеристики носителей полей: электрического — емкость С —у-, магнитного — индуктивность

Усилительные каскады на составных транзисторах применяются во многих устройствах: в мощных оконечных каскадах усилителей (чаще когда в качестве предварительных усилителей используются интегральные ОУ), в дифференциальных каскадах, в различных аналоговых микросхемах. Они могут также входить в состав самих ОУ [5, 7].

Модификация такого АЦП реализована в универсальном цифровом вольтметре В7-22. Цикл преобразования в нем начинается с разряда конденсатора током, пропорциональным входному напряжению за фиксироваиное время (сначала происходит интегрирование вниз). Затем конденсатор заряжается до исходного состояния. Интервал времени, в течение которого конденсатор заряжается, и является мерой входного напряжения. В современных АЦП этого типа используются интегральные схемы.

Пример 22. Рассчитать интегральную схему ( 3.33) диодно-тран-зисторного логического элемента (ДТЛ) так, чтобы полное время переключения Гпер трехвходового элемента (М = 3) при подключении к нему Л^ = 5 аналогичных элементов не превышало 100 не. Помехоустойчивость схемы в закрытом состоянии должна быть не менее 0,8 В. Напряжения источников питания и смещения заданы: ?„ = 6 В; ?ом = 2 В. В схеме используются интегральные транзисторные структуры, параметры которых приведены в п. 2.2.2. Паразитные емкости компонентов указаны в примере 21.

Пример 24. Выбрать элементы цепи нелинейной обратной связи в схеме усилителя-ограничителя на интегральных транзисторах и рассчитать продолжительность переходных процессов. На вход усилителя подаются прямоугольные импульсы амплитудой U^m m — 5,5 В от источника с внутренним сопротивлением R^, — 2 кОм. Длительности фронта и среза входных импульсов /фр упр = tov упЕ = 20 не. Запирающее смещение создается источником напряжения ?см == 3 В, подключаемым к базе транзистора-усилителя через резистор сопротивлением /?а = 20 кОм. Коллекторная цепь питается от источника напряжения ?„ = 6 В через резистор сопротивлением Rv = 2 кОм. Паразитные емкости, шунтирующие базовую и коллекторную цепи, соответственно равны Q = 15 пФ и С2 = 10 пФ. В схеме используются интегральные транзисторные структуры, параметры которых приведены в п. 2.2.2.

э. д. с. (f = § ECTOpdl, где Естор — вектор распоряженности стороннего электрического поля, заряда Q = ^ DdS, тока / = ^ MS, магнитного потока Ф = ^ IMS, магнитодвижущей силы F — \ НсЛ (здесь 1 — длина, S — площадь). Взамен характеристик среды еа, \ia и 7 используются интегральные характеристики носителей полей: электрического — емкость С --- Q/U, магнитного — индуктивность L = 4*7/ (? — потокосцепление), а также преобразователей энергии поля в тепловую — сопротивление R = VII. Эти величины называют параметрами цепей.

В электронной части устройства используются интегральные схемы и дискретные компоненты.

Число входов по И и по ИЛИ лежит в пределах от 2 до 16. Если имеющегося числа входов недостаточно, то для их увеличения используются интегральные схемы расширителей по ИЛИ, обозначаемые ЛД.