Используемого оборудования

стички полимера заряжаются и движутся к электроду с противоположным зарядом (т. е. к изделию). Для облегчения процесса порошок полимера взвихривается сжатым воздухом, проходящим через пористое дно камеры 5. Нанесенный слой оплавляется в печи, температурный режим которой зависит от нагревостойкости изделий и от вида используемого материала. За один проход получается покрытие толщиной 0,05.. .0,2 мм, время напыления одного слоя колеблется от 3 до 20 с в зависимости от габаритных размеров и сложности изделий.

8) вид используемого материала для контактных элементов, корпуса, диэлектрических деталей;

Эффективная проницаемость диэлектрика отличается от значений, которые указываются в справочниках для используемого материала, так как часть линий поля в ПЛ проходит не через диэлектрик, а через воздух.

Допустимое значение рассеиваемой мощности. Для каждого используемого материала и типа подложки установлено предельное значение мощности Л>, которое можно рассеивать на единице поверхности резне- • тора (см., например, табл. 12.2 и 12.3). Ее называют удельной допустимой .мощностью. Зная значение Ро и размеры резистора Ъ и /, нетрудно найти допустимую мощность для резистора:

Широко распространенным излучающим прибором является светодиод. В качестве материалов для изготовления светодиодов используются соединения карбида кремния SiC, фосфид галлия GaP, арсенид галлия GaAs. Спектр излучения зависит от ширины запрещенной зоны используемого материала, а также от рода и концентрации примесей. Например, для арсенида галлия ДИК,= = 1,4эВ, а максимум спектральной характеристики лежит в инфракрасной области спектра (А,%0,9 мкм); светодиоды из карбида кремния излучают желтый цвет (^ як 0,6 мкм). Использование совокупности люминесцирующих кристаллов позволяет синтезировать знаковые индикаторы.

где К — коэффициент теплопроводности используемого материала, Вт/(м -°С):

их поверхностей внешней силой F зависит от твердости используемого материала:

§ 14.19. Дополнительные замечания к расчету магнитных цепей. 1. При построении ВАХ участков магнитной цепи в § 14.12 и далее явление гистерезиса не учитывалось. Поэтому ВАХ выходили из начала координат, не зависели от предыдущих процессов намагничивания и размагничивания и удовлетворяли соотношению ф(—{/, =— Ф(ии). Если учитывать гистерезис, то у ВАХ каждой ветви будут неодинаковые восходящий и нисходящий участки, которые, в свою очередь, зависят от магнитного состояния, предшествующего рассматриваемому (от магнитной предыстории). В этом случае Ф(— UM\ =? — Ф(^м)- Для получения более правильных результатов при построении ВАХ следует учитывать гистерезис, что практически возможно, если известны гистерезисные зависимости используемого материала.

Исходный полупроводниковый материал, а также технология изготовления транзисторов в значительной мере определяют их характеристики и параметры. В зависимости от используемого материала транзисторы классифицируют на германиевые и кремниевые, а по технологии изготовления — на сплавные, диффузионные, планарные и планарно-эпитаксиаль-ные. Одна из распространенных конструкций маломощных транзисторов приведена на 3.14.

SiC, фосфид галлия GaP, арсенид галия GaAs и др. Спектр излучения зависит от ширины запрещенной зоны используемого материала, а также от рода и концентрации .примесей. Так, как для арсенида галлия характерны прямые межзонные переходы, то в со-

§ 14.19. Дополнительные замечания к расчету магнитных цепей. 1. При построении вебер-амперных характеристик участков магнитной цепи в § 14,12 и далее явление гистерезиса не учитывалось. Поэтому в. а. х. исходили из начала координат, не зависели от предыстории и им соответствовало соотношение Ф(—?/„) =—Ф (U„). Если учитывать гистерезис, то у в. а. х. каждой ветви будут неодинаковые восходящий и нисходящий участки, которые в с&рю очередь зависят от магнитного состояния, предшествующего рассматриваемому (от магнитной предыстории). В этом случае Ф(—UK)=? — Ф (Uu). Для получения более правильных результатов при построении в. а. х. следует учитывать гистерезис, что практически возможно, если .известны гистерезисные зависимости используемого материала.

где M={Mi, М2,—,М„} — объем запасов; h= {Ki, ta, ...Дп} — интенсивность спроса на запасенные компоненты и сборочные единицы различных уровней; s={Si, S2, ...,Sn} — число каналов изготовления и сборки в производственной системе; \л={]ц, Ц2, — , Ц«) — квалификация специалистов, участвующих в изготовлении и сборке изделия; R= {Ki, K,2,...,Kn} — сложность используемого оборудования и оснастки; п — номенклатура.

Оптимальная последовательность технологических операций зависит от их содержания, используемого оборудования и экономической эффективности. В первую очередь выполняются неподвижные соединения, требующие значительных механических усилий. Каждая предыдущая операция не должна препятствовать выполнению последующих. На заключительных этапах собираются подвижные части изделий, разъемные соединения, устанавливаются детали, заменяемые в процессе настройки. Методика оптимизации структуры ТП приведена в гл. 3 и 4.

Выход отверстий за пределы контактных площадок наблюдается из-за недостаточной точности используемого оборудования и технологической оснастки, смещения слоев при прессовании, деформации диэлектрических оснований и неправильного базирования ПП при выполнении отверстий. Дефект практически не устраняется.

7. Каковы основные этапы пропитки, обволакивания, заливки и герметизации намоточных изделий и сборочных единиц, разновидности технологических процессов и применяемых материалов? 8. Какие материалы применяют для изготовления постоянных магнитов и магнитопроводов; каковы особенности технологии и используемого оборудования? 9. Какие материалы используют в производстве печатных плат? 10. Какие существуют методы изготовления печатных плат и в чем заключается их сущность? 11. Каковы методы и особенности изготовления многослойных печатных плат?

Отбор производителей электрической энергии (мощности) на потребительский рынок при краткосрочном планировании осуществляет ЦДС АО-энерго. Источником информации так же, как и при долгосрочном планировании, служат нижние уровни управления — электростанции АО-энерго, которые передают свои уточненные данные в ЦДС. Критерием оптимальности режима работы РЭС является минимум суммарных затрат на топливо с учетом ограничений по загрузке электростанций и пропускной способности электрической сети Для реализации принципа оптимального планирования на этапе краткосрочного планирования также используется характеристика относительного прироста стоимости (ХОПС) топлива на производство одного дополнительного киловатт-часа электроэнергии, зависящая от технических характеристик используемого оборудования, цены на топливо и других факторов.

и поэтому она вытесняет пайку. Преимуществом пайки является простота используемого оборудования. Для пайки используют низкотемпературные припои, например ПОСК 50-18.

по характеру обработки и конструкции используемого оборудования — одностороннее и двустороннее;

подключать для использования в диалоговом режиме программные средства АС ТПП, позволяющие определять количественные параметры технологических процессов, и в первую очередь время изготовления, а также стоимостные показатели используемого оборудования.

Когда варианты оказываются равноэкономичными (разница в приведенных затратах не превышает 5 %), для окончательного выбора варианта приходится учитывать ряд дополнительных факторов (удобство и безопасность эксплуатации, показатели надежности, перспективы использования и развития, серийность используемого оборудования, прогрессивность технических решений, влияние на окружающую среду и т. п.).

Ковка и штамповка. При ковке деформирование металла заготовки осуществляется путем целенаправленно наносимых ударов или нажатий. В зависимости от используемого оборудования ковка делится на свободную и ковку в штампах (штамповку).

Помимо воздействия природных источников радиации, каждый из нас может подвергаться воздействию самых разнообразных источников ионизирующего излучения, возникающих в результате деятельности человека. Среди этих техногенных источников радиации наиболее заметная роль, без сомнения, принадлежит рентгеновскому излучению, которое используется для целей медицинской диагностики. Доза, получаемая при рентгеновском обследовании, колеблется в широких пределах в зависимости от типа применяемой пленки, от того, какие органы подвергаются облучению, от состояния и качества используемого оборудования, от профессионального умения специалистов-рентгенологов. Экспозиционные дозы по оценкам варьируются от 10 мР (2,4X ХЮ-7 Кл/кг) до 3000 мР (7,2-Ю-4 Кл/кг),а поглощенные дозы — от 100 мкГр (10 мрад) до 30 мГр (3 рад). Индивидуальная доза, полученная при однократном рентгеновском обследовании, вполне может оказаться сравнимой с годовой дозой за счет естественного радиационного фона.