Использовать соотношения

Учитывая это, вместо (1.6) удобнее использовать следующую форму записи второго закона Кирхгофа:

Для практических расчетов удобно использовать следующую формулу:

несимметричный /?-и-переход почти полностью расположен в высокоомной базе, то и его расширение происходит в сторону базы. Для практических расчетов удобно использовать следующую формулу:

Будем использовать следующую систему обозначений.

Учитывая это, вместо (1.6) удобнее использовать следующую форму записи второго закона Кирхгофа:

При малых значениях w/Ln (когда это отношение меньше 0,5) можно использовать следующую аппроксимацию для коэффициента переноса:

Опыты показывают, что для коэффициента теплоотдачи в рассматриваемом случае можно использовать следующую приближенную эмпирическую фэрмулу:

Для расчета коэффициента гидравлического сопротивления при продольном обтекании теплоносителя пучка твэлов, расположенных по треугольной решетке, можно использовать следующую зависимость {3.7]:

где г и у — соответственно входной и выходной сигналы a.j и bj—функции параметров объекта (при нестационарном объекте эти коэффициенты также зависят от времени). Если входной и выходной сигналы являются наблюдаемыми, т. е. известны (измеряемы) как сами функции z(t) и y(t), так и их и и га производные, то для целей идентификации можно использовать следующую модель:

Опыт проектирования линии напряжением до НО кв показывает, что для решения сформулированной задачи можно использовать следующую зависимость приведенных затрат от F и U:

Опыты показывают, что для коэффициента теплоотдачи в рассматриваемом случае можно использовать следующую приближенную эмпирическую формулу:

регулирования напряжения можно использовать только одно дифференциальное уравнение для цепи возбуждения, а для якорной цепи использовать соотношения, вытекающие из векторной диаграммы генератора.

Для выбора параметров импульсного трансформатора следует использовать соотношения:

Необходимо отметить, что диффузия носителей заряда может происходить в полупроводнике, имеющем первоначально равномерное распределение концентрации носителей, т. е. равный нулю градиент концентрации, но при наличии в полупроводнике разности температур или градиента температуры. В этом случае носители заряда (например, электроны), находящиеся в местах полупроводника с большей температурой, будут иметь большую энергию, т. е. будут занимать более высокие энергетические уровни в зоне проводимости. В местах полупроводника с меньшей температурой энергетические уровни с аналогичной энергией свободны от электронов. Поэтому возникает диффузия электронов из нагретых мест полупроводника в холодные места. Результатом такой диффузии является возникновение градиента концентрации носителей заряда. Это явление аналогично процессу диффузии в газе — при нагревании давление повышается и частицы газа диффундируют в области с низкой температурой. Процессы, происходящие в полупроводниковых приборах, часто рассматривают, пренебрегая разностью температур между различными областями полупроводниковой структуры прибора. В этом случае для расчета диффузионных токов можно использовать соотношения (1.26) и (1.27).

(см. 2.3) располагаются на разной высоте, а разность между ними равна q\U\. При прямом смещении напряженность поля в переходе уменьшается, условие равновесия диффузионного и дрейфового токов нарушается — диффузия электронов из n-области и встречная диффузия дырок преобладают по сравнению с их дрейфовым движением. Вследствие диффузии увеличивается концентрация неосновных носителей в нейтральных областях, граничащих с переходом. Этот процесс называется инжекцией неосновных носителей. Концентрации избыточных электронов Дпр в р-области и дырок Арп в n-области у границ перехода получим, предполагая, что эти величины малы по сравнению с равновесными значениями основных носителей в соответствующих областях. Тогда можно использовать соотношения (2.1а). Заменим в первом из них ф0 на ф0 — U, а пр0 на пр = пр0 + Мр, тогда q(q>0 — U) = kT \п[ппо/ (про + Апр)] = =&Лп (п„о/Про) — kTln ( I -f-Artp/rtpo) . Отсюда

Функции /о (т) и У! (т) табулированы [15], а при более высоких порядках п — 2, 3, 4, ... можно использовать соотношения

Для описания частотно-модулированного сигнала можно использовать соотношения (5.68), где Um(t)= t/m = const, а изменение частоты (5.67) является не символическим, а реальным и определяется формулой (5.128). Например, при модулирующем сигнале (1.17)' из соотношений (5.128) и (5.68) получаем уравнение ЧМ-сигна.ла при гармонической модуляции:

лиза этих свойств можно использовать соотношения, которые получаются аналогично соотношениям (9.47):

Для расчета коэффициентов сопротивления трения при течении в сборках цилиндрических твэлов и других некруглых каналов рекомендуется использовать соотношения, полученные для течения газов. Свойства теплоносителя выбираются при температуре стенки tw.

Далее рассмотрим фильтры, состоящие из реактивных элементов, собранных в цепные схемы. При этом сможем использовать соотношения, полученные в предыдущих главах, содержащих теорию четырехполюсников.

12. Для решения задачи следует использовать соотношения:

Если использовать соотношения между коэффициентами обогащения и обеднения, вытекающие из материального баланса *, то разделительную мощность ступени можно представить в следующей форме: