Использования принципов

Более совершенными являются ГЛИН с токостабилизирующи-ми двухполюсниками, которые позволяют получить напряжения с большей линейностью при коэффициенте использования питающего напряжения, близком к единице.

Ключевой каскад с цепью нелинейной отрицательной обратной связи. Рассмотренные схемы ключевых каскадов, обладая существенным достоинством — большим, приближающимся к единице коэффициентом использования питающего напряжения /С„, в то же время имеют и недостаток — большую задержку выключения. В ключевых каскадах с форсирующим конденсатором (см. 3.89) этот недостаток только ослаблен, но не устранен, так как перед выключением /б > /бн, и выключение, как и в других схемах, начинается с этапа рассасывания неосновных носителей. Этап рассасывания, а следовательно, и задержку включения можно было бы устранить, если создать транзистору во включенном состоянии не насыщенный, а активный режим работы. Однако непосредственное использование активного режима транзистора в схеме 3.81 вызывает новые трудности. Дело в том, что в активном режиме транзистора /н = В/в. Остаточное напряжение на выходе включенного каскада U К9 Ост = = — (Е — /к^к)- Остаточное напряжение может быть значительным, ^кэ ост! > ?/кн» что приводит к уменьшению амплитуды выходного импульса и снижению коэффициента /Си. Но этот недостаток не единственный. Более существен тот факт, что UK3 OCT зависит от коэффициента усиления В транзистора. Если отпирающий ток /б, создаваемый входным источником ывх(0> неизменен, то ток /к — = В/в оказывается прямо пропорционален В. Соответственно напряжение икз ост = — (Е — B/6RK) будет тем меньше, чем больше В. Так как разброс значений В биполярных транзисторов велик, то повторяемость выходных параметров ключевого каскада оказывается неудовлетворительной. Даже в том случае, когда осуществляется индивидуальная подстройка режимов каскадов по уровню U кэ ост, например за счет регулировки включающего тока /б путем подбора значений RQ, что само по себе крайне нежелательно при серийном производстве аппаратуры, температурные отклонения В приведут к разбросу значений (Укэ Оот и V 'т в заданном диапазоне температур. Поэтому ненасыщенный режим транзистора в простейшей схеме включения ( 3.81) обычно не используют, а применяют каскады с дополнительными цепями обратной связи, стабилизирующими выходное напряжение в широком диапазоне изменения В. Для повышения значений коэффициента Ка остаточное напряжение на выходе вклю-

Коэффициент использования питающего напряжения /Си«1. Действительно, при открытом транзисторе Т* ивых = ^вы^о » О, так как напряжение на выходе получается за счет деления напряжения Е между сопротивлениями каналов транзисторов 7\ и Т2. Второе из этих сопротивлений очень велико. При открытом транзисторе TZ «вых = ^вы*1 ^ Е, так как очень велико сопротивление канала транзистора TI. Амплитуда выходного сигнала Um = f/BMXi — ^выхо близка к Е, /Си = Um'E « 1.

Амплитуда изменения напряжения на нагрузке или на ключе равна разности абсцисс точек 1 и 2: Um = U1 — U2. Поскольку в данном случае ?/2=.0, Ut = E, то Um==E. Коэффициент использования питающего напряжения для идеального ключа /Си = Um/E = 1.

Ключевой каскад с цепью нелинейной отрицательной обратной связи. Рассмотренные схемы ключевых каскадов, обладая существенным достоинством— большим, приближающимся к единице коэффициентом использования питающего напряжения /Си, в то же время имеют и недостаток— большую задержку выключения. В ключевых каскадах с форсирующей емкостью (см. 3.95) этот недостаток только ослаблен, но не устранен, так как перед выключением /6 > /6н, и выключение, как и в других схемах, начинается с этапа рассасывания неосновных носителей. Этап рассасывания, а следовательно, и задержку выключения можно было бы устранить, если создать транзистору во включенном состоянии не насыщенный, а активный режим работы. Однако недосред-ственное использование активного режима транзистора в схеме 3.87 вызывает новые трудности. Дело в том, что в активном режиме транзистора 1К = В16. Остаточное .напряжение на выходе включенного каскада ?/кэ_ ост = — (Е — /к/?к). Остаточное напряжение может быть значительным, ?/кэ. осг > UKI, \, что приводит к уменьшению амплитуды выходного импульса и снижению коэффициента /Си, Но этот недостаток не единственный. Более существен тот факт, что UK3 осг зависит от коэффициента усиления В транзистора. Если отпирающий ток /б, создаваемый входным источником мвх (/), неизменен, то ток /к = В16 оказывается прямо пропорционален В. Соответственно напряжение ?/кэ.осг = — (Е — BI6RR) будет тем меньше, чем больше В. Так как разброс значений В биполярных транзисторов весьма велик, повторяемость выходных параметров ключевого каскада оказывается неудовлетворительной.

Коэффициент использования питающего напряжения /(„ близок к единице. Действительно, при открытом транзисторе Т1 мвых = = ^выхо~ 0. так как напряжение на выходе получается за счет деления напряжения Е межд*у сопротивлениями каналов транзисторов 7\ и Т2. Второе из этих сопротивлений очень велико. При открытом транзисторе Т2 ивых== ?7ВЫХ1« Е, так как очень велико сопротивление канала транзистора 7\. Амплитуда выходного сигнала ?/m = {/Bblxl— ^выхо близка к Е, /Си = U JE близок к единице.

жать коэффициент использования питающего напряжения /Сн- Поэтому / Тогда, с учетом указанных допущений, Ua — — Е э х—Е -=~-. Транзистор TI при этом должен быть заперт.

этого условия из (6.2) получим Umftf (E — IKOR) -^- , а коэффициент использования питающего напряжения /Си = ( 1 .— "° ) .-^- . При

нии линейности напряжения ухудшается степень использования питающего напряжения, уменьшается амплитуда выходного 'импульса; б) при заданной величине /С„ получение выходного импульса значительной амплитуды возможно только при использовании высоковольтного источника питания Е.

Преимуществом данной схемы является простота. Однако схеме присущ и ряд недостатков: а) невозможность получения высокого коэффициента использования питающего напряжения при обеспечении высокой линейности напряжения; б) невысокая температурная стабильность амплитуды выходного сигнала.

После запирания диода Д функцию зарядного источника принимает на себя конденсатор С„. Напряжение 1/зар на конденсаторе С0 большой величины за время заряда остается постоянным, близким к начальному значению U3av = E. На зарядную RC-цепъ действует сумма напряжений с/зар и «вых. По мере заряда конденсатора напряжение на базе Т2 возрастает; возрастает и выходное напряжение на выходе эмиттерного повторителя «вых(/). Поскольку коллекторная цепь транзистора Т2, используемого в схеме эмиттерного повторителя, питается непосредственно от источника + Е, для сохранения активного режима работы этого транзистора необходимо обеспечить неравенство цЙ2 < Е. В противном случае коллекторный переход транзистора Т2 сместится в прямом направлении и транзистор окажется насыщенным. Как и в предыдущей схеме различие между значениями иб2 и иК2 = Е можно доводить до очень малых величин (порядка 1В), при которых коллекторный переход еще остается смещенным в обратном направлении. Отсюда следует, что амплитуда напряжения на конденсаторе С может быть близкой Е, но должна оставаться меньшей Е. Коэффициент использования питающего напряжения /Си = 0,8 — 0,9. Для того чтобы к моменту окончания действия внешнего импульса, определяющего длительность прямого хода пилообразного напряжения tnx, напряжение на выходе достигло амплитудного значения Um, близкого к Е, нужно путем правильного выбора сопротивления резистора R задать необходимое значение зарядного тока в цепи. Поскольку

Более совершенными являются ГЛИН с токостабилизирующи-ми двухполюсниками, которые позволяют получить напряжения с большей линейностью при коэффициенте использования питающего напряжения, близком к единице.

Методом измерения называется совокупность приемов использования принципов и средств измерений (ГОСТ 16263 — 70). Применяемые в практике методы электрических измерений можно разделить на две большие группы: методы непосредственной оценки и методы сравнения.

Без использования принципов типизации технологический процесс на каждое изделие разрабатывается таким образом, как будто эта работа производится впервые. В этом слу1 ае не обобщается опыт, не гарантируется правильность технологических разработок, создается большое разнообразие методов решения одинаковых задач.

Метод измерений — совокупность приемов использования принципов и средств измерения.

Метод измерения — совокупность приемов использования принципов и средств измерений.

Другим преимуществом использования принципов дискретизации является ограниченность номенклатуры цифровых схем. К последним относятся запоминающие, логические, усилительные и формирующие элементы.

В зависимости от совокупности приемов использования принципов и средств измерений все методы делятся на методы непосредственной оценки и методы сравнения.

Методом измерений называют способ (совокупность приемов) использования принципов и средств измерений. Алгоритм измерении представляет собой последовательность операций подготовки и выполнения измерений, по-другому, процедуру измерений.

Методом измерений называют способ (совокупность приемов) использования принципов и средств измерений. Алгоритм измерении представляет собой последовательность операций подготовки и выполнения измерений, по-другому, процедуру измерений.

Метод измерения — совокупность приемов использования принципов и средств измерений. Простейшим является метод непосредственной оценки, в котором значение измеряемой величины определяют непосредственно по отсчетному устройству измерительного прибора. Наи-

Электрические схемы управления отдельными производственными машинами составляют на основе изучения технологического процесса, выбора типа электродвигателя и использования принципов построения схем автоматизированного электропривода. Широкое распространение

Рассмотрим классификацию измерений, наиболее важную для теории и практики электрических измерений. К такой классификации можно отнести классификацию измерений с методологической точки зрения, т. е. в зависимости от общих приемов получения результатов измерений (виды или классы измерений), классификацию измерений в зависимости от использования принципов и средств измерений (методы измерений) и классификацию измерений в зависимости от динамики измеряемых величин.