Импульсных магнитных

ПУЭ, являются протяженными (а > 1) при малых значениях /, но при увеличении / значения импульсных коэффициентов приближаются к значениям коэффициентов для сосредоточенных заземлителей (а<4) благодаря усилению искровых процессов в грунте с большим удельным сопротивлением.

Коэффициенты использования заземлителей при импульсных токах отличаются от коэффициентов использования при токе промышленной частоты, что объясняется различием в характере растекания импульсного и пятидесятипериодного токов в земле. Значения импульсных коэффициентов использования т)„ для заземляющих устройств, приведенных на 249, даны в табл. 59. С учетом коэффициента использования импульсное сопротивление заземления сложного заземления, состоящего из п вертикальных электродов и горизонтального соединительного электрода, может быть определено по формуле

На 4-7 приводится зависимость импульсных коэффициентов от произведения /р для электродов длиной 1=2, 5, 10 м при электрической прочности грунта ?пр= =6 и 12 кВ/см и го=1 см.

Очевидно, что использование импульсных коэффициентов, приведенных на 4-9, при указанных длинах

На основании этого при построении зависимостей найденных импульсных коэффициентов вертикальных электродов в качестве аргумента принята величина /р//в- Это дало возможность получить одну обобщенную зависимость импульсных коэффициентов вертикальных электродов длиной 2,5, 5, 10 м, при значениях тока молнии до /^100 кА с Тф=3-5-6 мкс и при р^2000 Ом-м ( 6-3).

Из 6-3 видно, что кривая импульсных коэффициентов с ростом значения /р//в вначале резко снижается, а начиная с величины /р//в^Ю000 кА-Ом становится пологой, т. е. значения коэффициента а мало изменяются.

Сравнение импульсных коэффициентов тех же заземлителей на 6-6 при одинаковом токе 7/пл=25 кА, стекающем с одного луча (кривые 2, 3 при /л=30 м и кривые 6, 7 при /л=10 м), показывает, что соотношения между значениями коэффициентов заземлителей с ял=4 и пл=2 изменяются с увеличением р. В грунте с низким удельным сопротивлением коэффициенты а четырехлучевого заземлителя при длине луча 30 и 10 м меньше, чем двухлучевого, и при /Л=Ю м остаются такими во всем диапазоне удельного сопротивления грунта. При /л=30 м в грунте с р>400 Ом-м кривые 2, 3 пересекаются и коэффициенты а четырехлучевого заземлителя становятся больше, чем двухлучевого, вследствие увеличения экранирования лучей четырехлучевого заземлителя с возрастанием р. В грунте же с р<400 Ом-м более низкие значения а четырехлучевого заземлителя обусловлены снижением, по сравнению с двухлучевым, влияния индуктивности и уменьшения экранирования из-за ослабления искровых процессов. Зависимости a=f(p) двух- и четырехлучевых заземлителей при /л= =10 м с увеличением р сближаются и совпадают (кривые 6 и 7).

выяснение возможности расчета za с использованием импульсных коэффициентов а э, принятых по эквивалентному удельному сопротивлению рэ стационарного режима, т. е. при растекании тока промышленной частоты.

Для выяснения возможности расчета импульсного сопротивления заземлителей в неоднородном грунте zH с использованием импульсных коэффициентом а , принятых по эквивалентному удельному сопротивлению рэ стационарного режима, рассмотрена закономерность расхождений между а э и действительным значением коэффициента сен- Для этого значения импульсных коэффициентов сен, полученные для заземлителей в неоднородном грунте, сравнивались с импульсными коэффициентами

Проведенный анализ показывает, что при расчете zH заземлителей ВЛ в неоднородном грунте с верхним менее проводящим слоем (р1>рг) с использованием импульсных коэффициентов а в расчет вносится ошибка, 'преувеличивающая значение гя заземлителя. Найденные значения Д, вводимые в расчет сопротивления zH по выражению (6-6) и компенсирующие эту ошибку, при рассмотренном соотношении pi>p2 всегда меньше единицы.

Из приведенных отношений следует, что импульсные сопротивления при вводе тока в угол или на стороне сетки увеличиваются по сравнению с вводом тока в центр сетки при уменьшении р и / вследствие усиления влияния индуктивности при ослаблении искровых процессов. Стационарное сопротивление заземлителя не зависит от места ввода тока, поэтому отношение импульсных сопротивлений равняется отношению импульсных коэффициентов заземлителя при различном месте ввода тока.

При анализе импульсных магнитных устройств дискретного действия часто приходится указывать направление изменения потока (индукции) в сердечнике. Говорят, что сердечник перемагни-чивается в состояние 1, если индукция в нем изменяется от —Вг до -{-Вг, и сердечник перемагничивается в состояние 0, если индукция изменяется от +ВГ до —Вг. Условно будем считать, что ток, протекающий по обмотке от начала к концу, перемагничивает сердечник в состояние 1, а ток, протекающий от конца к началу — в состояние 0.

НА ИМПУЛЬСНЫХ МАГНИТНЫХ ЭЛЕМЕНТАХ

ОСНОВЫ КОНСТРУИРОВАНИЯ ИМПУЛЬСНЫХ МАГНИТНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И УСТРОЙСТВ

Порядок конструирования был рассмотрен в § 7-1. Начинается конструирование с компоновки — разделения устройства на узлы. В импульсных магнитных устройствах большое число соединений выполняется методом прошивок. Это следует учитывать при компоновке. Связь между узлами целесообразно выполнять в виде разъемных соединений. Соединения прошивками выполняются внутри узлов. Обычно при этом конструктивные узлы соответствуют функциональным. Рассмотрим особенности конструкции некоторых узлов.

и комплекты. Результатом проектирования импульсных магнитных устройств являются специфицированные изделия, состоящие из нескольких частей. По ГОСТ 2.103—68 установлены следующие стадии разработки изделий: 1. Техническое задание. На данной стадии разработки устанавливается основное назначение устройства, порядок функционирования, технические, технико-экономические и конструктивные требования, условия эксплуатации, состав технической документации и этапы ее разработки. Техническое задание разрабатывается совместно заказчиком и исполнителем. При учебном проектировании техническое задание выдается руководителем и далее уточняется и дополняется проектировщиком в ходе выполнения проекта.

Глава шестая. Проектирование функциональных устройств и комплексов на импульсных магнитных элементах.......... 217

Глава седьмая. Основы конструирования импульсных магнитных элементов и устройств.................... 275

Рассмотренные приборы находят все более широкое распространение, так как они обладают рядом положительных свойств. Они достаточно просты, имеют удовлетворительную точность — погрешность не превышает ±(1,0 -=- 2,5)% (специальными мерами погрешность может быть доведена до ±0,05%), позволяют измерять магнитную индукцию или напряженность в постоянных, переменных (в широком диапазоне частот) и импульсных магнитных полях. Измерительные преобразователи имеют малые размеры, что позволяет проводить измерение индукции в узких зазорах.

тельную точность — 1,0 -н 3,0% (специальными мерами точность может быть доведена до 0,05%), позволяют измерять магнитную индукцию или напряженность в постоянных, переменных (в широком диапазоне частот) и импульсных магнитных полях. Измерительные преобразователи имеют малые размеры, что позволяет проводить измерение индукции в узких зазорах.

дукции постоянных, переменных и импульсных магнитных полей, для измерения градиента напряженности неоднородного магнитного поля, намагниченности ферромагнитных материалов.

Так как гальваномагнитные преобразователи являются малоинерционными приборами (постоянная времени 10~s и Ю"9 с), их используют в приборах для измерения переменных и импульсных магнитных полей. Для уменьшения паразитных наводок со стороны измеряемого поля ПХ питают переменным током, частота которого выбирается на порядок выше частоты измеряемой магнитной индукции. Наилучшая помехозащищенность достигается, если частота измеряемой магнитной индукции имеет строго фиксированное значение. Характеристики тесламетров для изме-