Исходного состояния

Сильное влияние на Аф0 оказывает ширина запрещенной зоны исходного полупроводника: чем больше е3, тем больше и Афд. Так, для большинства />и-переходов из германия Аф0«0,35 В, а из кремния—0,7 В.

Высокочастотные диоды предназначены для работы в различных схемах преобразования элекрических сигналов в диапазоне частот до нескольких сотен мегагерц. Диоды этой группы чаще всего бывают точечными, так как в них используется точечный переход ( 18). Точечные диоды отличаются от плоскостных более сложными процессами, протекающими в них при выпрямлении. В большинстве случаев основой точечных диодов служиг кристалл германия, в который упирается тонкая металлическая игла. Точечный контакт получают путем специальной формовки. Через диод пропускается несколько сравнительно мощных, но-коротких импульсов прямого тока. При этом возникает сильный местный нагрев контакта и происходит сплавление кончика иглы с полупроводником. Процесс формовки сопровождается изменением типа электропроводности части исходного полупроводника, которая примыкает к контакту. В месте контакта иглы и полупроводниковой пластины возникает р—л-переход.

Выпрямительные диоды. В выпрямительных диодах используется свойство односторонней проводимости p-n-перехода. Их применяют в качестве вентилей, которые пропускают переменный ток только в одном направлении. Вентильные свойства диода зависят от того, насколько мал обратный ток. Для уменьшения обратного тока необходимо снижать концентрацию неосновных носителей, что может быть обеспечено за счет высокой степени очистки исходного полупроводника. Обычно применяют полупроводники, в которых на 109-1010 атомов основного элемента приходится один атом примеси.

примесью вплавляемого материала. Е.сли рекристаллизованный слой получился с другим типом электропроводности по сравнению с электропроводностью исходного полупроводника, то на границе их раздела возникает p-n-переход ( 2.3).

тивление исходного полупроводника. Поэтому,- учитывая связь концентрации примеси или концентрации основных носителей с удельным сопротивлением, соотношение (3.72) удобнее записать в виде

Промышленность выпускает туннельные диоды из арсенида галлия и из германия. Их вольт-амперные характеристики показаны на 3.61. Из рисунка видно, что чем больше ширина запрещенной зоны исходного полупроводника, тем при больших напряжениях наблюдается отрицательное дифференциальное сопротивление.

Следует отметить, что емкость МДП-конденсатора может иметь сложную зависимость от напряжения постоянного смещения и от частоты переменного напряжения. Связано это с возможностью образования у поверхности полупроводника (в данном примере у поверхности /г+-области) обедненных и инверсных слоев под действием проникающего в полупроводник электрического поля. Частотная зависимость емкости МДП-конденсатора может появиться, если в полупроводнике образуется инверсный слой, в котором накопление и рассасывание неосновных для исходного полупроводника носителей заряда происходят в результате процессов тепловой генерации и рекомбинации, а инерционность этих процессов может быть велика.

квантам видимого света, ширина запрещенной зоны исходного полупроводника должна быть относительно большой (ДЭ>1,7 эВ). При меньшей ширине запрещенной зоны исходного полупроводника кванты энергии, освобождающиеся при рекомбинации носителей заряда, соответствуют инфракрасной области излучения. Таким образом, разница между полупроводниковыми приборами отображения информации (визуального представления информа-

В результате при преобразовании солнечного света в электрическую энергию КПД кремниевых фотоэлементов не превышает 12%. Однако его можно существенно повысить, используя в качестве исходного полупроводника теллурид кадмия, арсенид галлия и другие материалы с несколько большей шириной запрещенной зоны, чем у кремния, а также используя фотоэлементы на основе гетеропереходов.

Полевой транзистор имеет три основных электрода: управляющий электрод — затвор 3 и выходные электроды — сток С и исток И. Стоком называется электрод, к которому поступают носители заряда из канала. Если канал, например, я-типа, то носители заряда, поступающие из канала, — электроны, а полярность напряжения стока положительная. Возможен также четвертый электрод П, который соединяется с пластиной исходного полупроводника — подложкой.

7.1 позволяет определить энергию фотонов в этом диапазоне). Поскольку в светодиодах основную роль играет межзонная излучательная рекомбинация, то необходимая ширина запрещенной зоны полупроводников, вычисленная до энергии фотонов видимого диапазона, должна быть 1,8 эВ < &E3 = hvS3,2 эВ. Из-за относительно большой ширины запрещенной зоны исходного полупроводника реком-бинационный ток р-я-перехода оказывается большим по сравнению с током инжекции, особенно при малых прямых напряжениях (см. §2.5), т.е. процесс рекомбинации в этом случае реализуется в основном в p-n-переходе. В светодиодах можно получить излучательную рекомбинацию и при подаче обратных напряжений, достаточных для ударной ионизации атомов в р-/г-переходе (см. § 2.5). Образовавшиеся в результате ионизации носители рекомбини-руют в р-я-переходе с излучением света. Однако такие приборы менее эффективны.

своего исходного состояния Q триггер бу- "Г\ ~~ Т ^ а.)

В зависимости от состава ТП как объекта управления изменяются и методы управления объектом. Основные операции управления ТП (ТС) можно реализовать ручными методами, механизированными, автоматизированными и автоматическими. Основные операции по управлению ТП при различных методах управления совпадают. Конкретный состав операций по управлению ТП (ТС) может быть представлен основными группами: 1) подготовительные операции (контроль и проверка оборудования, наличие сырья, материалов); 2) пусковые операции (контроля исходного состояния технологической системы и объекта, выполнение циклопрограммы пуска и пуск технологической системы); 3) операции сбора и предварительной обработки данных (опрос источников информации, изменения и передачи данных); 4) накопление и анализ информации (фиксация и запоминание данных, сопоставление информации, генерация альтернативных вариантов и их предварительная оценка); 5) операции по принятию решения и его реализации (окончательный выбор варианта решения, формирование способа выполнения команд, регулирование, управление); 6) операции по останову (выполнение временной последовательности выключения, контроль состояния системы и объекта); 7) заключительные операции (решение организационных вопросов).

Наличие перепада температур по диаметру вала возможно для насосов, находящихся в горячем состоянии. В этом случае искривления осей вала и корпуса насоса имеют одинаковое направление и величины изменения зазоров равны разности прогибов корпуса насоса и вала. При вращении искривленного вала изменение зазоров в зоне лабиринта рабочего колеса описывается периодической функцией углового перемещения вала. При повороте вала на 180° относительно исходного состояния фактический зазор

Для предотвращения отрицательного выброса напряжения [7ВХ j в момент времени /2 и уменьшения таким образом времени восстановления исходного состояния схемы резистор R шунтируют диодом VD.

Время восстановления исходного состояния схемы заканчивается в момент ?2, когда открывается диод F.DJ и напряжение Uc фиксируется на уровне десятых долен вольт (U.lL =().7-:--0,9 В).

Время обратного хода определяется по формуле (6.10). Напряжение Uc=Uxl во время обратного хода уменьшается почти до нуля. Диод открывается, a V7\ входит в режим насыщения (момент ?3). Отпирание диода позволяет конденсатору С0 снова подзарядиться до напряжения, близкого к — Ек. Длительность подзаряда С0, определяющая восстановление исходного состояния схемы, равна

3. Если / = 1 нК = 1, то независимо от своего исходного состояния Q триггер бу-дет переключаться в течение времени действия переднего фронта импульса синхронизации положительной полярности. При этом частота изменения напряжения на выходе триггера будет в 2 раза меньше частоты импульсов синхронизации ( 10. И 5, в).

3. Если / = 1 и К = 1, то независимо от своего исходного состояния Q триггер будет переключаться в течение времени действия переднего фронта импульса синхронизации положительной полярности. При этом частота изменения напряжения на выходе триггера будет в 2 раза меньше частоты импульсов синхронизации ( 10.115, в).

устанавливается в состояние «1» (при /—1) или «О» (при К= 1) независимо от исходного состояния. При одновременной подаче на входы логической «1» триггер изменяет предыдущее состояние на обратное. Таким образом, //(-триггер повторяет логику /?5-триггера, за исключением четвертой комбинации (/=1 и /( = 1), которая не приводит к неопределенному состоянию, а осуществляет инверсию предыдущего состояния триггера (табл. 6.4).

Одновременно с увеличением напряжения на конденсаторе С повышается потенциал в точке присоединения конденсатора С„ к резистору /?„, поэтому ток через резистор RK, а следовательно, и скорость нарастания напряжения остаются почти постоянными. На время заряда Тр конденсатора С (рабочий ход пилы), диод Д разрывает непосредственную связь цепи заряда конденсатора с источником э. д. с. ?к, зарядный ток поступает через резистор RK, конденсатор С0 и транзистор Тг. Во время паузы тп происходит восстановление исходного состояния схемы. Время задержки т3 определяется временем заряда

9.3. В электронно-лучевой трубке с электростатической фокусировкой пятно сфокусировано на экране. Затем сначала уменьшается, а потом увеличивается относительно исходного состояния напряжение первого анода. Объяснить, как изменяются траектории движения электронов в обоих случаях и что будет видно на экране трубки.