Интервале изменений

6.55. В собственном германии ширина запрещенной зоны равна 0,72 эВ. На сколько надо повысить температуру по сравнению с 300 К, чтобы число электронов проводимости увеличилось в 2 раза? Объясните качественно температурную зависимость числа электронов проводимости в полупроводнике и-типа для широкого интервала температур.

а0 — температурный коэффициент для интервала температур, начинающегося от t0.

Формула (6-1) выражает линейную зависимость сопротивления от температуры, мало отличающуюся от действительной зависимости. При этом следует помнить, что сопротивление R0 должно соответствовать начальной температуре того интервала температур, для которого задано значение а0.

Действительно, положим, что значение а0 задано для интервала температур от t0 до tK ( 6-1). Тогда сопротивление R преобразователя в функции температуры t выразится участком прямой АВ между абсциссами / и 2.

Все эти решения относятся к условиям, когда не учитываются отводы теплоты конвекцией и излучением. Кроме того, теплофизи-ческие параметры дугового газа /V, с и у принимаются усредненными (для определенного интервала температур) и не зависящими от температуры.

Обычные изолирующие композиции обеспечивают герметизацию элементов при температурах от —20 до +60° С. Существуют более хладостойкие изоляционные смеси, предназначенные для более широкого интервала температур от —50 до +60° С.

Графики зависимости удельного сопротивления жидких диэлектриков от температуры в полулогарифмическом масштабе координат практически очень близки к прямым. На 2-10 показана зависимость удельного сопротивления трансформаторных масел разной степени очистки от температуры (масштаб по оси ординат логарифмический). Для более узкого интервала температур с достаточной степенью точности может быть

Используя значение коэффициента ар, определенное для интервала температур Тг—Т0, можно достаточно точно определить удельное сопротивление р2 для любой температуры Т3 внутри этого интервала:

Так как ТКЕ в общем случае является функцией температуры, то обычно его определяют для небольшого рабочего" интервала температур или считая зависимость емкости от температуры линейной находят приближенное значение ТКЕ для широкого диапазона температур:

Изменяя угол среза, можно сместить прямолинейный участок частотной характеристики, а также получить ТКЧ = 0 в любой точке интервала рабочих температур. Обычно угол среза выбирается так, чтобы нулевое значение ТКЧ совпадало с серединой рабочего интервала температур.

энергии с величиной понижения критической точки физически неправомерно, так как большая часть запасенной при деформации энергии успевает релаксировать при нагреве до критического интервала температур. Кроме того, как видно из приведенной термодинамической схемы 11.21, даже сохранившаяся к моменту превращения часть энергии АеЯ1 в определенных условиях может не вызывать понижения точки фазового равновесия, если новообразовавшаяся фаза полностью унаследует эту избыточную энергию (пересечение линий свободной энергии «j и YI произойдет при той же температуре Т0).

т. е. напряжение н. э. при заданных условиях (заданном интервале изменений тока или напряжения) равно постоянной составляющей напряжения U0, пропорциональной отрезку, отсекаемому прямой на оси напряжений, и падению напряжения, равному произведению дифференциального сопротивления и тока нелинейного элемента. Рассуждая аналогичным образом, для 2.23, б получим уравнение

аналитические выражения для вольт-амперных характеристик этих схем, т. е. зависимости /АВ=/(?/АВ); б) начертить на одном и том же графике вольт-амперные характеристики для указанных схем включения в интервале изменений токов от 0 до 2 мА.

13) характеристики погрешности средства измерений в интервале изменений влияющей величины или неинформативного параметра входного сигнала.

13) характеристики погрешности средства измерений в интервале изменений влияющей величины или неинформативного параметра входного сигнала.

Энергетические характеристики фотодиода ( 14-14, б) линейны в достаточно широком интервале изменений светового потока. Рост фототока с увеличением обратного напряжения объясняется расширением запирающего слоя и соответственным уменьшением ширины базы, в результате чего меньшая часть неосновных носителей рекомбинирует в толще базы в процессе диффузии к р-п переходу.

Энергетические характеристики фотодиода ( 14-14, б) линейны в достаточно широком интервале изменений светового потока. Рост фототока с увеличением обратного напряжения объясняется расширением запирающего слоя и соответственным уменьшением ширины базы, в результате чего меньшая часть неосновных носителей рекомбинирует в толще базы в процессе диффузии к р-п переходу.

= f(x). Так как экстремальные значения Т„ (х) в интервале изменений х от 0 до 1 равны ± 1, то максимальное значение

В интервале изменений ut от 0 до и„ оба диода закрыты и потому и2 = 0. При Uj^w,, открывается диод Дг; в этом случае

Таким образом, в интервале изменений Uj и от и{ до Wj^ui — 2ы„ выходное напряжение «2 неизменно и равно и' — иа (участок cd на 10. 7, а).

В интервале изменений w^ от 120 до 180° ucd = 0, i = ii— — sin wt=

В интервале изменений w^ от 120 до 180° ucd = 0, i = ii— — sin wt=