Интенсивности охлаждения

Число пар, генерируемых в тонких слоях, мало. Поэтому в структуре на 4.13 основная масса электронно-дырочных пар образуется в толще подложки, под транзисторами, на значительном удалении от поверхности. Диффундируя к поверхности и подходя к обедненным слоям р-п переходов, неосновные носители экстрагируются и увеличивают токи переходов. Возникают импульсы тока в стоковых цепях закрытых транзисторов, и происходит их кратковременное отпирание. Это приводит к сбою, в частности теряется информация в запоминающих элементах цифровых микросхем. Полупроводниковая структура не разрушается, так как доза облучения мала; по окончании воздействия схема остается работоспособной и параметры транзисторов сохраняются. В структуре КНС число электронно-дырочных пар, генерируемых в тонкой эпитаксиаль-ной пленке кремния, мало, а диффузия их из глубины подложки к поверхности отсутствует, так как подложка диэлектрическая. Следовательно, сбой может произойти лишь при гораздо большей интенсивности облучения, чем в структурах на кремниевых подложках.

10-7. Счетная характера интенсивности облучения от напря-стика газоразрядного счетчика жения и, приложенного к счетчику.

где k — коэффициент пропорциональности, учитывающей поглощение света и интенсивность образования фотоносителей. Величина фотопроводимости зависит не только от интенсивности облучения, но и от его спектрального состава. Явление фотопроводимости (внутренний фотоэффект) используется в фоторезисторах, обладающих чувствительностью к свету и его спектральному составу.

8-8. Зависимость фотопроводимости полупроводников от интенсивности облучения

Зависимость фотопроводимости от интенсивности облучения. При энергии квантов, обеспечивающей появление фотопроводимости, значение ее возрастает с увеличением интенсивности облучения, так как одновременно происходят два процесса с противоположным влиянием на фотопроводимость: с одной стороны, увеличивается число носителей, а с другой — возрастает рекомбинация с увеличением концентрации носителей как одного, так и другого знака. В результате получается зависимость, показанная на 8-8. Закономерности возрастания фотопроводимости с изменением интенсивности облучения у разных полупроводников различные. На практике в некоторых случаях пользуются зависимостью вида

веществ; значительно реже — рентгеновские лучи и нейтронное излучение. Для измерения степени ионизации используются ионизационные преобразователи — ионизационные камеры и ионизационные счетчики, работающие на различных участках вольт-амперной характеристики газового промежутка между двумя электродами. На 247 показана зависимость тока / в камере ( 246) с постоянным составом газа от приложенного напряжения U и интенсивности облучения /. На участке / характеристики ток увеличивается прямо пропорционально напряжению, затем рост его замедляется и на участке II ток достигает насыщения. Это указывает на то, что все ионы, образующиеся в камере, уносятся электрическим полем к электродам. На участке III ионизационный ток снова начинает расти, что вызывается вторичной ионизацией при ударениях первичных электронов и ионов о нейтральные молекулы. Это

При выборе эквивалента радиационного повреждения исходили из процессов взаимодействия падающей частицы с атомами вещества, не включающих процесс отжига возникающих при этом точечных дефектов, — в экспериментах по ионному и электронному облучению, как правило, имитируется доза, выраженная в числе смещений на атом. Из экспериментальных данных следует, что на развитие радиационного распухания существенно влияют структура первичных повреждений, наличие напряжений в облучаемом образце (под напряжением находятся оболочки твэлов, являющиеся основным объектом исследования реакторного повреждения, и распухающие слои в имитационных экспериментах) и зависимость от интенсивности облучения (т. е. от числа смещений / а • с) соотношения скорости создания точечных дефектов и скорости их исчезновения на стоках.

конов при интенсивности облучения около 1 мкВт/см2 составляла

при различной интенсивности облучения (а) (мВт/см2):

и зависимости от интенсивности облучения (б)

В качестве интенсификатора процесса химического эмульгирования при рельефной и пористой поверхности обрабатываемых изделий применяют ультразвук. Здесь главную роль играют газовые пузырьки, которые всегда присутствуют в жидкости вследствие тепловых флуктуации. Возникнув, они не сразу растворяются, потому что на их оболочке (поверхность раздела) образуется монослой из адсорбированных органических молекул, препятствующий диффузии газа в окружающую жидкость. Пузырьки преимущественно возникают на жировой пленке, так как между ней и полярными молекулами воды наиболее слабое взаимодействие. Под воздействием ультразвуковых колебаний часть пузырьков входит в механический резонанс. В таком режиме интенсивность их воздействия на жировую пленку велика и пленка легко разрывается. Длительность процесса при интенсивности облучения 1 Вт/см2 составляет 1—2 мин.

* Чувствительность счетчика выражается числом регистрируемых нм в единицу времени импульсов при установленной интенсивности облучения и рабочем напряжении.

Однако на практике значения В 'и / в ряде машин не сохраняются постоянными и отклонения от идеальных законов подобия неизбежны, так как в машинах малой мощности возрастают падение напряжения, относительный ток х. х. и их можно выдержать в допустимых пределах только путем увеличения размеров, а в машинах большой мощности требуется, как было показано, повышение интенсивности охлаждения, что также нарушает закон подобия. Поэтому приведенные соотношения выдерживаются тем точнее, чем уже диапазон рассматриваемого ряда машин. Но хотя при расширении диапазона и неизбежны отклонения, знание общих закономерностей имеет практическое значение, так как дает возможность оценить тот или иной характерный параметр для всего ряда, если он известен только для одной машины.

Самой простой схемой охлаждения, которая применяется преимущественно в машинах мощностью до 1 кВт, является схема с естественной вентиляцией без применения особых средств для повышения интенсивности охлаждения.

вующего значениям АР2 и kro2. Это может иметь место при уменьшении потерь АР или увеличении интенсивности охлаждения.

Для электрических машин различных мощностей и интенсивности охлаждения 7 = 0,3 ...2 ч, для микромашин 7 = 3... 10 мин.

Сухие трансформаторы с естественным воздушным охлаждением могут иметь открытое (С), защищенное (СЗ) или герметизированное {СГ) исполнение. Трансформаторы типа СЗ закрывают защитным кожухом с отверстиями, а типа СГ — герметическим кожухом. Для повышения интенсивности охлаждения применяют обдув обмоток и магнитопровода потоком воздуха от вентилятора. Сухие трансформаторы •с воздушным дутьем имеют условное обозначание СД.

Для повышения интенсивности охлаждения в масляных трансформаторах применяют навесные или отдельно установленные теплообменники, обдуваемые воздухом. Циркуляция масла между баком трансформатора и теплообменниками обеспечивается естественным путем за счет конвекции (с дутьем — Д) или принудительно с помощью

При охлаждении превышение температуры 0 уменьшается (кривая 2) до установившейся величины Gx2, соответствующей другим значениям Д/>2 и ?Т02. Это может иметь место при уменьшении потерь А/3 или увеличении интенсивности охлаждения. В начальной точке 0 (при t = 0) производная dQ/dt = (б^ — 60)/Г. Следовательно, постоянная

Из (13.3) следует, что при заданных размерах охлаждающей поверхности 5ОХЛ и интенсивности охлаждения, определяемого коэффициента &то, электрическая машина может быть нагружена только до определенной мощности, при которой потери ее АР не превышают величины, соответствующей максимально допустимому превышению температуры Эмакс- Величина Эмакс определяется нагревостойкостью изоляции обмоток, применяемой в данной машине.

Однако на-практике значения В'и / в ряде машин не сохраняются постоянными и отклонения от идеальных законов подобия неизбежны, так как в машинах малой мощности возрастают падение напряжения, относительный ток х. х. и их можно выдержать в допустимых пределах только путем увеличения размеров, а в машинах большой мощности требуется, как было показано, повышение интенсивности охлаждения, что также нарушает закон подобия. Поэтому приведенные соотношения выдерживаются тем точнее, чем уже диапазон рассматриваемого ряда машин. Но хотя при расширении диапазона и неизбежны отклонения, знание общих закономерностей имеет практическое значение, так как дает возможность оценить тот или иной характерный параметр для всего ряда, если он известен только для одной машины.

Для машин летательных аппаратов, работающих в длительном режиме, в зависимости от интенсивности охлаждения можно принимать следующие значения плотности тока:

В более мощных двигателях для повышения интенсивности охлаждения воздух прогоняется через аксиальные каналы ротора отдельным вентилятором или тем же вентилятором, который обдувает внешнюю поверхность машины. Для этой цели при использовании одного общего вентилятора в аксиальные отверстия ротора вставляют воздухопроводящие трубки, укрепленные в отверстиях опорных дисков, насаженных на вал ротора ( 1.2, б). Этим предотвращается возможность проникновения к обмоткам машины наружного воздуха, в котором содержится влага. Торцовые щиты имеют жалюзи для прохода и выхода наружу воздуха.