Интегральную чувствительность

В настоящее время усилительная техника основана на широком внедрении усилителей в интегральном исполнении. Поэтому актуальным становится не разработка самих усилителей, а их применение для реализации различных функциональных узлов систем автоматики, управления и измерения.

К недостаткам бесконтактных генераторов с вращающимися выпрямителями можно отнести сложность машины и большую постоянную времени системы регулирования напряжения. Как отмечалось выше, бесконтактный генератор с вращающимися выпрямителями представляет систему, состоящую из трех синхронных машин. Это увеличивает длину машины даже в интегральном исполнении - размещение в одном корпусе и привода постоянной частоты, и бесконтактного генератора усложняет вопрос консольного крепления привода с генератором на авиадвигателе.

Усилитель постоянного тока (УПТ) на базе дифференциального каскада ( 9.1) широко используется в операционных и широкополосных усилителях общего применения на дискретной элементной базе и в интегральном исполнении. В свою очередь,

Из сказанного ясно, что ОУ в интегральном исполнении, имеющий коэффициент усиления порядка 10*. . . 105, является почти идеальным компаратором, позволяющим получить при разности уровнений логических «1» и «О» порядка 1 В чувствительность от 10 до 100 мкВ. Техника измерения интервалов времени с цифровым отсчетом наиболее отработана и обеспечивает высокую точность.

Помимо рассмотренных мультивибраторов промышленность выпускает специализированные мультивибраторы в интегральном исполнении.

Следует иметь в виду, что в интегральных микросхемах отсутствуют конденсаторы связи, входные и выходные разделительные конденсаторы, так как конденсаторы большой емкости трудно выполнять в интегральном исполнении, поэтому помимо входных и выходных выводов, выводов для подключения источников питания микросхемы снабжают выводами для подключения конденсаторов связи. На 6.5 показана схема усилителя напряжения с ре-зистивно-емкостной связью на интегральной микросхеме К224УП1. Усилитель содержит три транзистора и девять резисторов и представляет собой трехкаскадный усилитель на транзисторах типа п-р-п. Второй транзистор включен в усилительный каскад по схеме с общим коллектором, третий — с общим эмиттером, а первый

ниже необходимых требований. С помощью ^С-автогенераторов можно получать колебания и высокой частоты вплоть до 10 МГц. Однако преимущества ^С-автогенераторов проявляются именно на низких и инфранизких частотах. В этом частотном диапазоне за счет применения резисторов и конденсаторов .RC-автогенераторы обладают более высокой стабильностью, имеют меньшие габариты, массу и стоимость, чем LC-автогенераторы. Для создания ^С-авто-генераторов широко используют биполярные транзисторы, а в последнее время полевые транзисторы и операционные усилители в интегральном исполнении.

время компенсационные стабилизаторы создают на полупроводниковых дискретных элементах и в интегральном исполнении. Аналогично параметрическому стабилизатору, компенсационный стабилизатор включают между сглаживающим фильтром и нагрузочным резистором.

Компенсационные стабилизаторы непрерывного действия в интегральном исполнении в настоящее время получили широкое распространение. Такие устройства позволяют по-новому осуществлять питание сложных электронных устройств. Их применяют в качестве индивидуальных стабилизаторов для отдельных блоков и кас-

— компенсационный в интегральном исполнении 248

Необходимо отметить, что существенным недостатком бустера ( 3.36) является большой Кг (более 10%), что и ограничивает его использование на практике. Свободным от этого недостатка является бустер класса АВ, принципиальная схема которого приведена на 3.37. Токи покоя транзисторов здесь задаются с помощью резисторов Rt и R2, а также диодов VDV и VD2. При интегральном исполнении в качестве диодов используются транзисторы в диодном включении. Напомним, что падение напряжения на пря-мосмещенном кремниевом ди-оде составляет примерно 0,7 В, а в кремниевых ИМС с помощью диодов осуществляется термокомпенсация рабочего режима.

Чувствительность. Различают монохроматическую и интегральную чувствительность. При воздействии на фоторезистор монохроматического излучения токовая чувствительность характеризует монохроматическую чувствительность:

Когда фоторезистор подвергается немонохроматическому излучению заданного спектрального состава, величина S/ определяет интегральную чувствительность. Для измерения интегральной чувствительности фотоэлектрических приборов принято использовать лампу накаливания с вольфрамовой нитью при температуре 2850 К. Чувствительность фоторезисторов достигает 20 А/лм.

освещении фоторезистора светом сложного спектрального соста-.ва. Удельную интегральную чувствительность принято измерять при освещенности 200 лк источником света с цветовой температурой 2850 К;

10.3. Вычислить интегральную чувствительность фотоэлемента, если при световом потоке Ф=0,05 лм ток фотоэлемента составляет 5 мкА.

10.5. На 10.1 изображены вольт-амперные характеристики вакуумного фотоэлемента СЦВ-3. Для анодного напряжения (Уа=70 В постройте световую характеристику и определите интегральную чувствительность фотоэлемента.

10.9. Объясните, как можно определить интегральную чувствительность фотоэлементов по их спектральным характеристикам и спектральным характеристикам источников излучения.

10.14. Определить интегральную чувствительность газонаполненного фотоэлемента ЦГ-1 для световых потоков Ф=0,01 и 0,03 лм при напряжениях анода Ua: a) 100 В; б) 230 В. Вольт-амперная характеристика фотоэлемента изображена на 10.3.

Далее, исходя из найденных изменений тока и напряжений, можно вычислить интегральную чувствительность 'схемы (а не фотосопротивления) :

интегральную чувствительность

Имея по сравнению с фотодиодом большие интегральную чувствительность

Чувствительность называют удельной, так как — это отношение интегральной чувствительности «ф иит к одному вольту приложенного напряжения. Для промышленных фоторезисторов величина 5ф ипт уд колеблется в широких пределах: от десятых долей до сотен единиц мА/(В-лм). Измеряют удельную интегральную чувствительность при освещенности Е = 200 лк.