Инжекцией неосновных

Заключительная часть программы, показанной в примере 3.4, инициализирует коэффициенты фильтра, начальные условия xfl, х_,, х_2, х_:„ y_t, y_2, у_2 и входные данные. Значения коэффициентов описаны в разделе 3-1. Указатели на таблицы коэффициентов, FIRCOEF и IIRCOEF, определены в разделе инициализации констант, описанном в разделе 3.4.1. EFCOP совместно использует нижние 4КБ Y памяти с ядром DSP для буферов коэффициентов. Коэффициенты хранятся в Y памяти. Обратите внимание, что коэффициенты хранятся в обратном порядке, таким образом, что коэффициент с самым большим индексом записан первым, а коэффициент с самым маленьким индексом записан последним.

Заключительная часть программы, представленная ниже, инициализирует коэффициенты и входные данные для компенсатора эха. Значения коэффициентов инициализируются нулями. Указатель на адреса памяти коэффициентов COEFADDRS, был определен в части инициализации констант. EFCOP совместно использует нижние 4 Кб Y памяти с ядром DSP, используя их для буферов коэффициентов. То есть, коэффициенты хранятся в Y памяти. Отсчеты фильтра не должны инициализироваться для этого примера, потому в константе FCON разрешен процесс инициализации состояния.

Инициализация DSP ¦ Ядро инициализирует коэффициенты в FCM в обратном порядке,

Инициализация DSP • Ядро инициализирует коэффициенты в FCM в обратном порядке,

• Ядро инициализирует коэффициенты в FCM в обратном порядке, выполняя запись #filter_count в FCIR, пока мнимые коэффициенты отрицательны

¦ Ядро инициализирует коэффициенты в FCM в обратном порядке, выполняя запись #filter_count в FCIR

¦ Ядро инициализирует коэффициенты в FCM в обратном порядке, выполняя запись #filter_count в FCIR, при этом над комплексными коэффициентами выполняется операция отрицания.

• Ядро инициализирует коэффициенты в FCM в обратном порядке, выполняя запись #filter_count в FCIR

• Ядро инициализирует коэффициенты в FCM в обратном порядке, выполняя запись #filter_count в FCIR

• Ядро инициализирует коэффициенты в FCM в обратном порядке, выполняя запись #filter_count в FCIR

• Ядро инициализирует коэффициенты в FCM в обратном порядке, выполняя запись #filter_count в FOR

• Ядро инициализирует коэффициенты в FCM в обратном порядке, выполняя запись #filter_count в FCIR

Логические микросхемы с инжекционным питанием (И2Л) представляют собой микросхемы на биполярных транзисторах, в которых электрическая энергия, необходимая для преобразования сигналов, вводится инжекцией неосновных неравновесных носителей заряда. Они основаны на использовании многоколлекторных транзисторов типа n-p-п в инверсном включении и транзисторов типа p-n-р ( 6.8, а, б). В инжекционном режиме

Сзо Входная емкость — это часть барьерной емкости р-н-перехода между затвором и истоком, а проходная — часть барьерной емкости р-п-пере-хода между затвором и стоком. Кроме того, учитывают емкость между истоком и стоком Сси- Эти емкости заряжаются через сопротивления каналов. Зарядка — разрядка емкостей происходит не мгновенно, что и обусловливает инерционность прибора, а следовательно, влияет на частотные свойства полевых транзисторов. Отметим, что так как (в отличие от биполярных транзисторов) работа полевых транзисторов не связана с инжекцией неосновных носителей заряда и их движением к коллектору, то они свободны от влияния этих факторов на их частотные свойства.

С уменьшением высоты потенциального барьера увеличивается количество носителей заряда, которые могут преодолеть потенциальный барьер и перейти в соседнюю область диода, где они окажутся неосновными носителями (см. 2.1). Этот процесс, как было отмечено в § 2.2, называют инжекцией неосновных носителей заряда через р-п-переход.

При прямом напряжении на диоде носители разных знаков подходят к p-n-переходу. Если прямое напряжение мало, то высота потенциального барьера на переходе велика и основная часть носителей не может преодолеть потенциальный барьер перехода, но вблизи середины p-n-перехода может происходить их рекомбинация ( 3.12,6). Составляющую прямого тока, связанную с процессом рекомбинации носителей в р-п-переходе, называют рекомбинационным током. Надо понимать условность этого термина, так как прямой ток, связанный с инжекцией неосновных носителей в прилегающие к переходу области (см. § 3.2), также сопровождается рекомбинацией инжектированных носителей либо в базе диода, либо на омическом переходе диода. При больших для диода прямых напряжениях высота потенциального барьера на переходе небольшая. Поэтому прямой ток при больших прямых напряжениях будет вызван в основном инжекцией носителей через уменьшенный потенциальный барьер перехода. Следовательно, рекомбинационный ток может сказываться на значении прямого тока через диод только при малых прямых напряжениях ( 3.13).

Для формирования импульсов и умножения частоты можно использовать и другие импульсные диоды, но они должны быть с инжекцией неосновных носителей заряда и с малой длительностью спада обратного тока, т. е. к структуре и конструкции диодов с резким восстановлением обратного сопротивления предъявляются свои специфические требования.

Кроме того, на значение тока коллектора влияет не весь эмиттерный ток, а только его составляющая 13р, связанная с инжекцией неосновных носителей в базу. Составляющие тока эмиттера, связанные с инжекцией из базы в эмиттер (/;->„) и рекомбинацией в области объемного заряда (/зр1.к), хотя и зависят от напряжения на эмиттерном переходе, на ток коллектора непосредственно не влияют.

Распределение носителей в базе в направлении к ее выводу определяется инжекцией неосновных носителей через р-л-пере-ходы и рекомбинацией носителей как в объеме, так и на поверхности базовой области.

Как видно, принцип действия однопереходного транзистора хотя и связан с инжекцией неосновных носителей в базу, но существенно отличается от принципа действия обычного биполярного транзистора. Кроме того, в связи с относительно большим объемом базы однопереходные тразисторы значительно уступают обычным биполярным транзисторам по частотным свойствам.

Для уменьшения коэффициента передачи тока эмиттера другого транзистора его эмиттерный переход шунтируют объемным сопротивлением прилегающей базо-ной области ( 5.4). Такое шунтирование осуществляют путем нанесения одного из основных электродов (например, катода) не только на эмиттерную область, но и частично на поверхность прилегающей базовой области. Шунтирование обеспечивает малые значения коэффициента передачи тока при малых напряжениях на тиристоре, так как почти весь ток при этом проходит по шунтирующему сопротивлению базы, минуя левый ( 5.4) эмиттерный переход в связи с его относительно большим сопротивлением при малых напряжениях. При больших напряжениях на тиристоре сопротивление левого эмиттерного перехода становится меньше шунтирующего сопротивления базы. Это значит, что теперь почти весь ток будет проходить через эмиттерный переход и будет вызван инжекцией неосновных носителей заряда в прилегающую базовую область.

Принцип действия полевого транзистора не связан с инжекцией неосновных носителей заряда в базу и их относительно медленным движением до коллекторного перехода. Полевой транзистор — это прибор без инжекции. Поэтому инерционность и частотные свойства полевого транзистора с управляющим переходом обусловлены инерционностью процесса заряда и разряда барьерной емкости p-n-перехода затвора. Напряжение на затворе измениться мгновенно не может, так как барьерная емкость р-п-перехода затвора перезаряжается токами, проходящими через распределенное сопротивление канала и через объемные сопротивления кри-

(см. 2.3) располагаются на разной высоте, а разность между ними равна q\U\. При прямом смещении напряженность поля в переходе уменьшается, условие равновесия диффузионного и дрейфового токов нарушается — диффузия электронов из n-области и встречная диффузия дырок преобладают по сравнению с их дрейфовым движением. Вследствие диффузии увеличивается концентрация неосновных носителей в нейтральных областях, граничащих с переходом. Этот процесс называется инжекцией неосновных носителей. Концентрации избыточных электронов Дпр в р-области и дырок Арп в n-области у границ перехода получим, предполагая, что эти величины малы по сравнению с равновесными значениями основных носителей в соответствующих областях. Тогда можно использовать соотношения (2.1а). Заменим в первом из них ф0 на ф0 — U, а пр0 на пр = пр0 + Мр, тогда q(q>0 — U) = kT \п[ппо/ (про + Апр)] = =&Лп (п„о/Про) — kTln ( I -f-Artp/rtpo) . Отсюда