Информацию поступающую

Таким образом, построение ВАХ диода в полулогарифмическом масштабе может дать информацию относительно возможных механизмов прохождения тока. Надо учесть, что прямолинейные участки на этой кривой могут плавно переходить один в другой, так что определить их границы точно не представляется возможным. Иногда некоторые участки отсутствуют. Так, для некоторых кремниевых диодов участок, соответствующий ре-комбинационному току, может сразу

Существенный интерес представляет гл. 3, посвященная теории и применению современных методов исследования аморфных полупроводников. Анализируются информативные возможности таких методов, как электронный парамагнитный и ядерный магнитный резонансы, оптически детектируемый магнитный резонанс, фотоакустическая спектроскопия, изотермическая нестационарная емкостная спектроскопия, метод исследования фотопроводимости с помощью видикона и пико-секундная спектроскопия. Особое внимание уделяется связи между дефектами структуры и атомами водорода и фтора. Методы магнитного резонанса позволяют получить интересную информацию относительно природы дефектов и механизма введения атомов Н и F, выявить рекомбинационные центры и процессы, участвующие в люминесценции a-Si: Н. Метод фотоакустической спектроскопии позволяет определить абсолютное значение коэффициента поглощения тонких пленок при энергиях, меньших ширины запрещенной зоны, без знания тепловых параметров пленки. С помощью изотермической нестационарной емкостной спектроскопии впервые определены энергетические и тем-

Представлены результаты недавних исследований дефектов в аморфных полупроводниках с тетр_аэдрическими связями, проводившихся в лаборатории автора с помощью методов магнитного резонанса. Особое внимание уделено связи между дефектами и присутствием Н и F. Магнитные резонансы, электронный парамагнитный и ядерный магнитный, позволяют получить важную информацию относительно природы дефектов и механизма вхождения Н и F с микроскопической точки зрения. Эта информация представляет особый интерес при попытках снизить количество дефектов, которые ухудшают качество пленки в приборных структурах.

Исследования переноса носителей в a-Si: Н позволили предположить, что переходный (нестационарный) фототок можно рассматривать в рамках модели многократного захвата, описывающей диссипативный перенос [119, 130, 131]л Анализ ограниченного пространственным зарядом тока дал возможность по-иному подойти к этому вопросу. Как показано в разделе 3.5.3, в выражение для плотности тока в области, ограниченной пространственным зарядом, входит дисперсионный параметр а. Температурная зависимость ограниченного пространственным зарядом тока позволяет извлечь информацию относительно мелких ловушек.

С помощью разработанных методов пикосекундной спектроскопии удалось собрать значительную информацию, относящуюся к сверхбыстрой динамике в области физики твердого тела [ 134-138]. Некоторые из этих методов применялись для изучения динамики возбужденных носителей в аморфных полупроводниках. В работе [ 139] обсуждался процесс ступенчатой рекомбинации на основе результатов по спаду пикосекундного индуцированного поглощения в халькогенидном стекле, а в работе [120] изучались формирование и скорости релаксации локализованных электронных состояний в As2S3 с помощью метода индуцированного поглощения. Ас-тон и др. [141] непосредственно наблюдали быстрый спад возбужденных .носителей в напыленном a-Si, используя метод оптико-электронной корреляции, и высказали идею о создании фотодетектора с пикосекундным временем срабатывания. Пико-секундное затухание люминесценции наблюдали в a-SiC. С помощью этих экспериментов удалось получить полезную информацию относительно динамики носителей в аморфных полупроводниках. Разработанный метод пикосекупдной нестационарной дифракционной спектроскопии (ПНДС) [138, 142] использовался для наблюдения динамики носителей в аморфных полупроводниках. Этим методом можно одновременно и независимо определять коэффициент диффузии и времени жизни носителей в возбужденном состоянии. Изучались также детали пространственной динамики и релаксации энергии возбужденных носителей. В данной статье освещены два вопроса, которые были предметом исследования с помощью упомянутого метода спектроскопии, а именно: динамическое поведение процесса фотопотемнения в халькогенидном стекле As2S, и динамика носителей в оптически освещенном a-Si : Н, полученном в ТР. Хотя процесс фотопотемнения в пикосекундной области не происходит, приводимый в статье пример можно рассматривать как полезное применение ПНДС.

Существенный интерес представляет гл. 3, посвященная теории и применению современных методов исследования аморфных полупроводников. Анализируются информативные возможности таких методов, как электронный парамагнитный и ядерный магнитный резонансы, оптически детектируемый магнитный резонанс, фотоакустическая спектроскопия, изотермическая нестационарная емкостная спектроскопия, метод исследования фотопроводимости с помощью видикона и пико-секундная спектроскопия. Особое внимание уделяется связи между дефектами структуры и атомами водорода и фтора. Методы магнитного резонанса позволяют получить интересную информацию относительно природы дефектов и механизма введения атомов Н и F, выявить рекомбинационные центры и процессы, участвующие в люминесценции a-Si: Н. Метод фотоакустической спектроскопии позволяет определить абсолютное значение коэффициента поглощения тонких пленок при энергиях, меньших ширины запрещенной зоны, без знания тепловых параметров пленки. С помощью изотермической нестационарной емкостной спектроскопии впервые определены энергетические и тем-

Представлены результаты недавних исследований дефектов в аморфных полупроводниках с тетр_аэдрическими связями, проводившихся в лаборатории автора с помощью методов магнитного резонанса. Особое внимание уделено связи между дефектами и присутствием Н и F. Магнитные резонансы, электронный парамагнитный и ядерный магнитный, позволяют получить важную информацию относительно природы дефектов и механизма вхождения Н и F с микроскопической точки зрения. Эта информация представляет особый интерес при попытках снизить количество дефектов, которые ухудшают качество пленки в приборных структурах.

Исследования переноса носителей в a-Si: Н позволили предположить, что переходный (нестационарный) фототок можно рассматривать в рамках модели многократного захвата, описывающей диссипативный перенос [119, 130, 131]л Анализ ограниченного пространственным зарядом тока дал возможность по-иному подойти к этому вопросу. Как показано в разделе 3.5.3, в выражение для плотности тока в области, ограниченной пространственным зарядом, входит дисперсионный параметр а. Температурная зависимость ограниченного пространственным зарядом тока позволяет извлечь информацию относительно мелких ловушек.

С помощью разработанных методов пикосекундной спектроскопии удалось собрать значительную информацию, относящуюся к сверхбыстрой динамике в области физики твердого тела [ 134-138]. Некоторые из этих методов применялись для изучения динамики возбужденных носителей в аморфных полупроводниках. В работе [ 139] обсуждался процесс ступенчатой рекомбинации на основе результатов по спаду пикосекундного индуцированного поглощения в халькогенидном стекле, а в работе [120] изучались формирование и скорости релаксации локализованных электронных состояний в As2S3 с помощью метода индуцированного поглощения. Ас-тон и др. [141] непосредственно наблюдали быстрый спад возбужденных .носителей в напыленном a-Si, используя метод оптико-электронной корреляции, и высказали идею о создании фотодетектора с пикосекундным временем срабатывания. Пико-секундное затухание люминесценции наблюдали в a-SiC. С помощью этих экспериментов удалось получить полезную информацию относительно динамики носителей в аморфных полупроводниках. Разработанный метод пикосекупдной нестационарной дифракционной спектроскопии (ПНДС) ] 138, 142] использовался для наблюдения динамики носителей в аморфных полупроводниках. Этим методом можно одновременно и независимо определять коэффициент диффузии и времени жизни носителей в возбужденном состоянии. Изучались также детали пространственной динамики и релаксации энергии возбужденных носителей. В данной статье освещены два вопроса, которые были предметом исследования с помощью упомянутого метода спектроскопии, а именно: динамическое поведение процесса фотопотемнения в халькогенидном стекле As2S, и динамика носителей в оптически освещенном a-Si : Н, полученном в ТР. Хотя процесс фотопотемнения в пикосекундной области не происходит, приводимый в статье пример можно рассматривать как лолезное применение ПНДС.

Другой путь появления памяти, вводимый докодерной обработкой, иллюстрируется посредством решётчатой диаграммы. Решётчатая диаграмма NRZI-сигнала показана на 4.3.14. Решётка обеспечивает такую же информацию относительно зависимости сигнала, как диаграмма состояний, но она также отображает эволюцию во времени переходов состояний. Состояния системы отмечены на решётке точками (узлами), а на переходах между ними (называемых ветвями) отмечены поступающие информационные символы и передаваемые сигналы.

где ySF — сила, приводящая к растеканию жидкости по поверхности твердого тела, т. е. сила растекания или смачивания. Иными словами, растекание или смачивание будут иметь место; когда величина ySF превышает сумму YbS+YLEcos9- Показателем соотношения между этими силами может служить величина угла смачивания 0. Двумя предельными состояниями является полное отсутствие смачивания, когда 0 = 180° (случай а на 3), и полное смачивание, когда 0=0° (случай б на 3). При 0°<9< <180° имеет место частичное смачивание (случай в на 3). Обычно время пайки слишком мало и система затвердевает до наступления равновесия. В таком случае анализ величины угла смачивания дает дополнительную информацию относительно процесса растекания.

Триггер на цифровых схемах имеет в своем составе собственно триггер и логическое устройство управления, которое определяет функциональные возможности триггера. Обобщенная структурная схема такого триггера представлена на 6.18. Устройство управления преобразует информацию, поступающую на входы Д, в сигналы, управляющие собственно триггером. В этой схеме триггер можно считать элементом памяти, как бы записывающим полученную информацию. Ход записи может быть различным.

перерабатывает информацию, поступающую в числовой форме. 311. Правильно. 312. Найдите в таблице 22.4 разрядность, которую имеет «Электроника С5-21». 313. Для расчетов, связанных с движением космических аппаратов, характерна очень высокая точность.

В режиме советчика вычислительная машина обрабатывает измерительную информацию, поступающую с контролируемого объекта, и в результате соответствующих расчетов определяет, какие регулирующие воздейст-

На 8.14 представлены схемы триггеров, собранных на элементах И-ИЛИ-НЕ. Собственно триггер построен на инверторах, охваченных обратными связями через МЭТ Тз и Тц, которые представляют собой входную часть логических расширителей. Дополнительные входы расширителя (на 8.14-S' и R') часто используют для предварительной записи информации непосредственно в триггер. В последующие моменты времени на эти входы подается высокий потенциал, отключающий их от триггера. Входная информация обрабатывается и поступает в триггер через МЭТ TI и Т%, являющиеся элементами основных микросхем ТТЛ. Для блокировки транзисторов Ту и Tg достаточно подать на один из входов R и S (например, /?IH Si) низкий потенциал, отпирающий соответствующий эмиттер и тем самым отключающий триггер от входной цепи. При этом можно обрабатывать информацию, поступающую на остальные входы (R2, Яз и $2, 5з), изменяя потенциалы на этих входах в требуемом направлении. В течение времени блокировки состояние триггера остается неизменным. Только при по-378

Эти выражения позволяют количественно оценить информацию, поступающую к оператору. Количество информации, поступающей к человеку при различных видах его деятельности, оказывается весьма различным. Способность человека к восприятию информации зависит от ее смыслового значения. При восприятии бессмысленной информации человек за одну секунду способен воспринять и переработать всего 2 — 4 бит, а при приеме осмысленной информации — 15 — 20 бит. Задача определения количественной оценки способностей человека к восприятию информации оказывается весьма сложной и трудоемкой. Большинство исследователей считает, что максимальная способность человека к приему информации не превосходит 50 бит/с. Поток информации, превышающий эту величину, не будет полностью восприниматься человеком, часть поступающей информации окажется за пределами его восприятия.

В режиме советчика вычислительная машина обрабатывает измерительную информацию, поступающую с контролируемого объекта, и в результате соответствующих расчетов определяет, какие регулирующие воздейст-

Триггеры. При построении цифровых узлов используют большое число триггерных устройств, включающих собственно триггер и устройство управления. Обобщенная структурная схема триггерного устройства представлена на 12.5. Устройство управления преобразует информацию, поступающую на вход AI, в сигналы, управляющие собственно триггером. В этой схеме триггер можно считать элементом памяти, как бы записывающим полученную информацию. Ход записи может быть различным. В так называемых асинхронных триггерах запись осуществляется непосредственно в момент поступления информации, а в тактируемых триггерах — только при подаче разрешающего сигнала на тактовые входы 7].

Работа информационного регистра. Информационный регистр построен на D-триггерах, которые при уровне лог. 1 на внутренней цепи разрешения приема данных (РПД) повторяют на своих выходах информацию, поступающую по входной шине данных. При уровне лог. О в цепи РПД входы триггеров логически отключаются от входной шины данных, и регистр переходит в режим хранения, сохраняя на своих выходах ранее поступавшую по входной шине информацию. Выходы регистра подключены к выходному буферу ВБ, имеющему три состояния. Выходной буфер управляется сигналом, поступающим по внутренней цепи разрешения выдачи данных (РВД). При поступлении по цепи РВД уровня лог. 1 содержимое информационного регистра передается на выходную шину данных; при поступлении уровня лог. О ВБ переходит в третье состояние с высоким выходным сопротивлением, отключая регистр от выходной шины.

собирает с помощью приемников Я всю информацию, поступающую от подчиненных непосредственно ему средств обнаружения воздушных целей (радиолокационных станций дальнего обнаружения РЛСДО, высотомерных ВРЛС, промежуточных ПРЛС, патрульных судов ПС, самолетов радиолокационного дозора СРД, наблюдателей Я и т. п.);

В схеме К.П системы ТМ-310 ( 15.14) блок задания режима работы БРР также является основным. Он принимает информацию, поступающую с ПУ через линейный узел ЛУ, проверяет ее на нечетность, а посылаемые в линию связи кодовые восьмиразрядные комбинации дополняются контрольным символом. Блок управления передачей телесигнализации БПдТС воспринимает информацию от контактных датчиков ТС об изменении состояния объектов и формирует сигнал запроса связи с ПУ. После получения сигнала вызова этот блок формирует последовательный код функционального адреса, номера группы и состояния объектов в группе. Та же информация передается и по вызову с ПУ.

Назначение мультиплексоров (от англ. multiplex — многократный) — коммутировать в желаемом порядке информацию, поступающую с нескольких входных шин на одну выходную. С помощью мультиплексора осуществляется временное разделение информации, поступающей по разным каналам. Мультиплексор можно уподобить бесконтактному многопозиционному переключателю.