Избыточный отрицательный

Исторически сложилось так, что первым транзистором был точечный. В настоящее время точечные транзисторы ввиду своего несовершенства не применяются, и наиболее распространенным типом является плоскостной транзистор, разработанный в 1949—1950 гг. американским физиком В. Шокли. Основу транзистора составляет монокристалл кремния (или германия), в котором созданы два р—га-перехода. Электронно-дырочные переходы делят кристалл на три области, причем электропроводность крайних областей — одного типа, а средней области — противоположного. В зависимости от типа электропроводности крайних слоев различают транзисторы р-п-р и п-р-п. Наиболее распространенными являются транзисторы типа р-п-р, так как их легче изготовить. Физические процессы, протекающие в транзисторах обоих типов, совершенно одинаковы, поэтому в дальнейшем рассматриваться будут в основном транзисторы типа р-п-р, Ус-

Коллектор можно заменить преобразователем частоты на полупроводниковых приборах, на герконах или на других каких-либо элементах. В этом случае процессы преобразования энергии в воздушном зазоре принципиально не изменяются, но при наличии коллектора частота жестко связана со скоростью сор, а при наличии полупроводникового преобразователя можно создать гибкую обратную связь между /2 и сор. По роду питания машина с коммутатором на полупроводниковых приборах — это машина постоянного тока. Исторически сложилось несколько названий для таких машин — вентильные, машины с полупроводниковыми коммутаторами, бесконтактные машины постоянного тока и др.

Исторически сложилось так, что это название относится лишь к двигателям поршневого типа. Рассматриваемые далее двигатели ротационного типа, в которых рабочим телом также являются продукты сгорания топлива, называются газовыми турбинами.

Исторически сложилось так, что в радиотехнической литературе за основу обычно принимают не синусоиду, а косинусоиду и потому пользуются формулой (3.10).

Исторически сложилось так, что в радиотехнической литературе за основу обычно принимают не синусоиду, а косинусоиду и потому пользуются формулой (З.Юа).

Исторически сложилось так, что для Л -формы (ее будем считать основной) положительные направления для токов и напряжений соответствуют 4.1, а; для^У-, Z-, Я-, G-форм— 4.1, б, В-форме — 4.1, в. •

Практическое определение параметров электропотребления связано с широким и лингвистически неопределенным понятием "производство", под которым будем понимать создание продукции. Примеры производств: в черной металлургии — агломерационное, прокатное; в цветной — производство алюминия, цинка; в нефтяной промышленности — сажевое, азотных удобрений; в химической — аммиака, мета-но'ла, фосфора. Исторически сложилось, что производством называют основное технологическое (например прокатное), а вспомогательное производство (ошибочный, но укоренившийся термин) чаще называют хозяйством: ремонтное, электрическое, теплосиловое, складское

В нашей стране исторически сложилось две шкалы номинальных напряжений, используемых для воздушных линий районного и системообразующего значения: 110—150—330—750 и ПО—220—500—1150 кВ.

Исторически сложилось так, что отдельные механизмы, выполняющие в производстве операции перемещения, подъема (транспортеры, подъемники, манипуляторы, кантователи и др.) стали называть производственными механизмами. К ним относят и простые рабочие машины, содержащие два—четыре механизма (краны, лифты, экскаваторы и др.)

Исторически сложилось так, что вначале в качестве антидиффузионного покрытия использовался припой на основе висмута и сурьмы. Это висмут с добавкой 4-5 % сурьмы. Сурьма добавляется для того, чтобы увеличить прочность припоя и улучшить залуживаемость термоэлектрического материала. Температура плавления припоя -около 270 °С (близка к температуре плавления висмута). В СССР большинство термоэлектрических модулей собиралось таким образом, что сначала на торец ветви наносился слой припоя висмут-сурьма, а уже на него - слой другого припоя (обычно олово-висмут) с температурой плавления 139 °С. Такой метод пайки (двухприпойная технология) был хорош тем, что получался сравнительно толстый суммарный слой припоев, который разгружал полупроводниковый материал от механических напряжений. Данная технология пайки позволяла модулю выдерживать значительные механические нагрузки, большее количество циклов включения-выключения и т. д.

Исторически сложилось так, что в СССР ветви получали, главным образом, методом электроэрозионной резки ( 2). Этот метод заключается в том, что на латунную, молибденовую или вольфрамовую проволоку 3 в воде, керосине или другой жидкости подается электрический ток в виде чередующихся импульсов. Между этой проволокой и разрезаемым образцом 1 существует искровой зазор, который отслеживается контролирующей системой. В результате проскакивания искры в момент импульса напряжения материал, который требуется разрезать, разрушается, а продукты эрозии удаляются струей жидкости 4.

Э.д.с. в проводнике, движущемся в магнитном поле. В проводнике, движущемся под действием механической силы в магнитном поле так, что он пересекает линии магнитной индукции ( 3.23, а, б), возникает электродвижущая сила. Свободные электроны проводника А Б движутся вместе с ним со скоростью v. Электромагнитная сила действует на каждый электрон (силы Лоренца) и, согласно правилу левой руки, направлена вдоль проводника, а по величине определяется выражением (3.24), которое в применении к заряду электрона принимает вид F,, = BeoV. Под действием этой силы электроны перемещаются к одному концу проводника, где создают избыточный отрицательный заряд, а на другом конце образуется такой же по величине положительный заряд. Разделение заря-

В исходном состоянии ( 1.1,в) микрообъем полупроводника остается электрически нейтральным; при заполнении связей электронами из более удаленных областей микрообъем полупроводника приобретает избыточный отрицательный объемный заряд.

С увеличением анодного напряжения увеличивается прямое напряжение на открытых переходах П\ и Я3. Электроны, инжектированные из области пч в область pz, диффундируют к переходу Я2, проходят его и попадают в область п\. Дальнейшему прохождению электронов препятствует потенциальный барьер перехода П\. Поэтому электроны, накапливаясь в области п\, образуют избыточный отрицательный заряд, который понижает высоту потенциального барьера перехода и, следовательно, вызывает увеличение инжекции дырок из области р\ в область rii. Инжектированные дырки диффундируют к переходу Я2, проходят через него и попадают в область р2, накапливаясь там. Накопление избыточного положительного заряда в области p-i вызывает увеличение инжекции электронов из области «2. Таким образом, в результате накопления избыточного положительного заряда в области р2 и отрицательного в области п\ при напряжении на тиристоре ?/вкл (напряжение включения) происходит резкое увеличение тока, проходящего через тиристор, и одновременное уменьшение падения напряжения на тиристоре. 32

Если проводник (металлическую пластину) поместить в электрическое поле ( 1-16), то под действием сил поля свободные электроны металлической пластины начнут перемещаться в направлении, противоположном направлению электрических линий, отчего на одной поверхности пластины возникнет избыточный отрицательный заряд, на другой — избыточный положительный и в проводящей пластине создается добавочное электрическое поле, направленное навстречу основному полю. Результирующее поле в пластине ослабнет, т. е. уменьшится сила, действующая на свободные электроны и вызывающая их перераспределение. Разделение зарядов в пластине прекратится, когда напряженность результирующего поля внутри пластины окажется равной нулю.

В проводе А Б под действием сторонних сил электроны лереместятся на конец Б (рис, 2-4), образуя избыточный отрицательный заряд —Q. Этот зажим генератора обозначается знаком «—». На другом конце провода А возникает избыточный положительный заряд +Q. Соответственно зажим обозначается знаком «+». Внутри провода образуется электрическое поле зарядов +Q и —Q и на каждый электрон, кроме сторонней силы, действует еще электростатическая сила электрического поля F, направленная противоположно FCT-

В растворе часть молекул серной кислоты распадается на положительные (2Н) и отрицательные (SO4) ионы. Катод, опущенный в электролит, под действием химических сил частично растворяется в электролите. Положительные ионы цинка переходят в раствор и соединяются с отрицательными ионами кислотного остатка (SO4), образуя нейтральные молекулы цинкового купороса (ZnSO4). Оставшиеся от молекул цинка свободные электроны создают избыточный отрицательный заряд на катоде, а в электролите, наоборот, образуется избыточный положительный заряд ввиду нейтрализации части отрицательных ионов.

левой руки. Под действием электромагнитных сил свободные электроны перемещаются на один конец провода, создавая на этом конце избыточный отрицательный заряд. На другом конце провода ввиду недостатка электронов возникает избыточный положительный заряд. Таким образом, на концах провода создаются равные и противоположные по знаку электрические заряды. По мере накопления зарядов усиливается напряженность электрического поля этих зарядов в проводе и на каждую заряженную частицу внутри провода, кроме электромагнитной силы, действует сила электрического поля F, направленная противоположно электромагнитной силе (см. также § 2-3).

После зажигания короны в отрицательный полупериод вокруг провода образуется отрицательный объемный заряд, который постепенно компенсирует положительный заряд, оставшийся от предыдущего полупериода. К моменту 4 положительный объемный заряд оказывается полностью скомпенсированным, а после достижения напряжением амплитудного значения избыточный отрицательный заряд становится численно равным максимальному заряду в предыдущий пол упер иод.

Если электрон получит энергию, настолько большую, что он будет переведен на уровень нулевой энергии, то электрон оставит атом и последний будет ионизирован: возникнет положительный ион, поскольку один из электронов теперь не участвует в компенсации действия заряда ядра. Если же, наоборот, атом захватит лишний электрон, то он получит избыточный отрицательный заряд — образуется отрицательный ион.

Появление первой составляющей контактной разности потенциалов можно объяснить на основе представления об электронном газе. В металлах этот газ имеет разную концентрацию (количество электронов в единице объема). При соприкосновении двух металлов через поверхность их соприкосновения происходит диффузия электронов из того металла, в котором концентрация электронов больше, в другой металл. Благодаря этому в металле с меньшей концентрацией электронов у поверхности раздела получается избыточный отрицательный слой. В металле же с большей концентрацией электронов из-за электронного обеднения у поверхности раздела после соприкосновения образуется положительно заряженный слой.

тронов по структуре тиристора препятствует небольшой потенциальный барьер правого эмиттерного перехода (5.1). Поэтому часть электронов, оказавшись в потенциальной яме и-базы, образует избыточный отрицательный заряд, который, понижая высоту потенциального барьера правого эмиттерного перехода, вызывает увеличение инжекции дырок из р-эмиттера в /г-базу. Инжектированные дырки диффундируют к коллекторному переходу, втягиваются полем коллекторного перехода и попадают в р-базу. Дальнейшему их продвижению по структуре тиристора препятствует небольшой потенциальный барьер левого эмиттерного перехода. Следовательно, в р-базе происходит накопление избыточного положительного заряда, что обусловливает увеличение инжекции электронов из n-эмиттера. Таким образом, в структуре тиристора