Исследуемой поверхности

Канал v выполняет по существу функции усилителя. Чтобы он не влиял на режим работы исследуемой электрической цепи, используют катодный повторитель, имеющий значительное входное сопротивление. Так как исследуемые напряжения изменяются в широком диапазоне, для обеспечения оптимального напряжения на выходе данного канала на его входе предусмотрен аттенюатор (делитель напряжения). Для исследования фронтов импульсов напряжений введено устройство — линия задержки.

Расчет токов и напряжений на участках исследуемой электрической цепи во время переходного процесса производят, пользуясь уравнениями, составленными в соответствии с законами Кирхгофа для мгновенных значений токов и напряжений.

2. По экспериментальным данным п. 1 рассчитать сопротивления всех ветвей исследуемой электрической цепи в соответствии с заданными условиями.

4. По полученным данным построить векторные диаграммы для различных режимов исследуемой электрической цепи.

8. Выполнить аналогичные измерения при следующих изменениях в исследуемой электрической цепи:

9. Изобразите векторные диаграммы для различных режимов работы исследуемой электрической цепи при

7. Изобразите векторные диаграммы для различных режимов работы исследуемой электрической цепи при

1. Какова цель лабораторной работы? 2. Что называют резонансом токов? 3. Каким образом можно достичь резонанса токов? 4. Каким образом можно определить на опыте и зафиксировать резонанс токов? 5. Каковы характерные особенности проводимости цепи: при резонансе токов? 6. Запишите формулу волнового сопротивления и волновой проводимости цепи. 7. Изобразите векторные диаграммы для различных режимов работы исследуемой электрической цепи при: BcBL. 8. Какова особенность токов в ветвях при резонансе токов? 9. Какой вид имеют резонансные кривые? Ю.рапишите формулу добротности контура.

4. Построить векторную диаграмму исследуемой электрической цепи.

5. Отрегулировать величину сопротивления нагрузочного реостата г так, чтобы ток аккумуляторной батареи Ак2 стал равен нулю, и записать токи и напряжения на тех же участках ветвей исследуемой электрической цепи в таблицу.

7. Проверить справедливость метода наложения, для чего, не изменяя величины сопротивления нагрузочного реостата г, отключить аккумуляторную батарею Ак2 однополюсным переключателем П2 от исследуемой электрической цепк, замкнуть его на резистор с сопротивлением г'о и записать показания амперметров, а вольтметром со щупами измерить и записать в таблицу вели чины напряжений на всех внешних элементах цепи с учетом их направления.

На 1.17, а показана эта структура. Векторы намагниченности в доменах ориентированы в положительном или отрицательном направлении вдоль нормали к исследуемой поверхности, чему на рисунке соответствуют светлые и темные участки. При воздействии на пластинку магнитным полем Явн, направленным перпендикулярно поверхности, лабиринтные домены по мере увеличения поля сначала разрываются,

где di — параметр, характеризующий геометрию исследуемой поверхности охлаждения.

от исследуемого объекта является тонкостенная чашка 4, запрессованная в изоляционную плату 5. К внутренней ее поверхности приклеен терморезистивный чувствительный элемент 6, изготовленный из медной проволоки диаметром 0,05 мм. Плата с чувствительным элементом жестко крепится к отражателю 7, играющему роль теплового экрана. Передача теплоты от исследуемой поверхности к чашке осуществляется бесконтактным способом путем конвективной теплоотдачи и теплопроводности воздуха, а также поглощения инфракрасного излучения исследуемой поверхности. На исследуемую вращающуюся поверхность преобразователь устанавливается с помощью колес 8, обеспечивающих постоянный зазор между поверхностью и преобразовательным элементом.

разделяет первоначальный естественный свет на две компоненты, ортогональные по форме поляризации, пропускает одну компоненту и поглощает или отклоняет другую. Пластинка толщиной в четверть длины волны (компенсатор К.) превращает линейно-поляризованный свет в эллиптически-поляризованный, параметры которого после отражения от исследуемой поверхности изменяются. Эти изменения определяются с помощью анализатора А (устройство, ничем не отличающееся от поляризатора) и фотоприемни'ка ФП.

В процессе измерения вращением поляризатора эллиптичность tg x вышедшего из компенсатора света сводится к нулю после отражения от исследуемой поверхности, т. е. отраженный свет станет линейно-поляризо-ванным. Если установить анализатор так, чтобы его плоскость пропускания составила с плоскостью колебания поляризованного света, отраженного от исследуемой поверхности, угол 90°, фотоприемник зафиксирует минимальную интенсивность света. Знание угловых положений поляризатора, компенсатора, анализатора и угла падения света на образец позволяет найти А и tgij) исследуемой поверхности.

паданию на исследуемую поверхность линейно-поляризованного света, отражаясь от которой луч приобретает определенную эллиптичность и азимут, зависящие от свойств исследуемой поверхности. После прохождения через компенсатор свет вновь становится линейно-поляризованным.

номера Z элементов материала поверхности. Рассеяние электронов ядрами элементов пропорционально Z2/U, где U — ускоряющее напряжение. Таким образом, изображение, снятое при использовании обратнорассеянных электронов, дает информацию о геометрическом рельефе и среднем атомном номере исследуемой поверхности.

Вторичная эмиссия электронов определяется свойствами материала поверхности; их доля в отраженном потоке зависит от потенциального рельефа на поверхности исследуемого изделия, например от обратного напряжения, приложенного к р-п переходам полупроводниковых структур. Изображение, снятое при использовании вторичных электронов, позволяет получить информацию о геометрическом рельефе, распределении потенциала и коэффициенте вторичной эмиссии на исследуемой поверхности.

Существует и другой метод использования вторичной электронной эмиссии, когда электроны, формирующие изображение, имитируются самим образцом под действием нагрева, облучения светом, ионами или электронами. В данном случае исследуемое изделие является как бы составной частью электронно-оптической системы эмиссионного электронного микроскопа (ЭЭМ) и в этом его принципиальное отличие от РЭМ. Изэбраже-ние формируется' главным образом в прикатодной области ускоряющего поля объектива. Сфокусированное изображение в увеличенном виде наблюдается на экране. При наличии на исследуемой поверхности .электрических или магнитных микрополей плотность тока в луче, несущем информацию, перераспределяется. Это яв-Ление ИСПОЛЬЗуеТСЯ В ЭЭМ ДЛЯ визуализации таких микрополей. Например, если р-п переход поместить в однородное электрическое поле и подать на него запирающее напряжение, то поле, создаваемое р-п переходом, будет искривлять линии основного поля. Искривление поля приведет к искривлению электронных траекторий. Как видно из 3.13, правее области р-п перехода плотность тока больше средней плотности, а левее — меньше. Если теперь изображение сфокусировать на плоскость, расположенную на некотором уровне над поверхностью образца, где распределение плотности установилось, то распределение я-ркости на экране отобразит электрическое микрополе на поверхности полу-лроводника. • не

где dt — параметр, характеризующий геометрию исследуемой поверхности охлаждения. •

Число Нуссельта связывает коэффициент теплотдачи а нагретой стенки канала с коэффициентом теплопроводности К охлаждающей среды, движущейся относительно этой стенки. Величина d в (5-19) является определяющим размером, характеризующим геометрию исследуемой поверхности.