Известном сопротивлении

Расчет индуктивностей. как отмечалось, может осуществляться на основе известного распределения магнитного поля. Кроме того, от распределения магнитной индукции завися! электродинамические усилия и механические напряжения в ИН. Поэтому при анализе ИН в той или иной мере приходится касаться вопросов, связанных с расчетом пространственных магнитных полей. Такие расчеты могут выполняться непосредственно на основе закона Био---Са-вара при известном распределении токов ИН. Особый интерес для ИН имеют расчеты полей осссиммет ричных катушек, которые используются во многих типах ИН. В подобных катушках плотность тока имеет только

лизирована как система массового обслуживания типа GI/G!\/N^.OO (в обозначениях Кендалла). Учитывая результаты статистических исследований реальных потоков в сетях передачи данных и предполагая вначале, что объем памяти накопителя бесконечен, можно рассматривать концентратор как систему массового обслуживания типа M/G/1. Анализ такой системы на уровне средних значений очередей и задержек базируется на формуле Хинчина-Поллячека (при известном распределении времени обслуживания) и формуле Литтла [13]. Кроме средних значений основных параметров концентратора при проектировании необходимо уметь рассчитывать вероятность превышения заданного числа мест N, занятых сообщениями в буферном накопителе. Если указанная вероятность определяется значениями 10~4—10~6, то Л" может быть выбрано в качестве объема накопителя с конечной памятью. При этом вероятность потерь, вызванных конечным объемом буфера, будет практически совпадать с вероятностью превышения заданного числа мест в бесконечном буфере.

Решение интегральных уравнений (8.24) и (8.25) дает возможность найти распределение рм в объеме магнитопровода и ам по оверхностям деталей магнитной системы при известном распределении токов в катушках j(N).

Подставляя (8.32) в (8.28), можно получить соотношение для определения плотности /„ в точке М с координатами рм и 2„, расположенной на контуре сечения магнитопровода. Тангенциальная составляющая индукции В-, в этой точке создается всеми источниками поля (обмоткой намагничивания и вторичными токами намагниченности). При известном распределении источников тангенциальная составляющая индукции выражается в виде интеграла по площади сечения обмотки и всем контурам сечения стальных участков магнитопровода.

Для расчета основных параметров транзистора по известному примесному профилю определяют вспомогательные параметры: длину диффузионного смещения акцепторов в базе La и длину диффузионного смещения доноров в эмиттере LA. Для определения La и LA можно воспользоваться выражением распределения доноров в эмиттерном слое и акцепторов в базе. Однако строгий теоретический расчет NA (x) и Na (x) в настоящее время отсутствует. Достаточно хорошее приближение дает метод, основанный на известном распределении NA(x), полученном для фосфора в эмиттере. Профиль содержит два участка: первый с приближенно равномерной концентрацией доноров от х0 до xl и второй, на котором Л^д (х) можно описать экспонентой:

Магнитный потенциал в области зазора при граничных условиях (24-3) и (24-4) может быть найден с помощью (23-8). При известном распределении потенциала напряженность рассчитывается по (23-9). Однако напряженность поля на некотором удалении от паза может быть определена более просто. Как видно из 24-1, линии поля имеют сложную форму только вблизи паза, а при удалении от паза на некоторое небольшое расстояние х I >• б поле становится практически равномерным: его линии делаются нормальными к поверхностям магнитопровода, его напряженность оказывается одинаковой для всех точек в области зазора.

При известном распределении настила мощности под индуктором передаточные функции типа выражения (1-73) могут быть составлены для любых значений координат изделия. Если при этом необходимо учитывать распределение теплофизических параметров и коэффициента теплоотдачи вдоль оси изделия, то зону нагрева и термического влияния целесообразно поделить на участки и применить к ним граничные условия в форме закона Ньютона. Очевидно, что такие задачи имеет смысл решать с помощью ЭВМ. В связи с этим и касаясь "лишь методологической стороны вопроса, отметим, что разработанный в [1.15] применительно к задачам технологического и электротермического характера численный метод расчета распределения температур при циклическом нагреве металлов сводится,

где и — нормаль к поверхности S. Тогда при известном распределении Т(х) температуры на L тепловой поток на L может быть представлен в виде следующего выражения:

При известном распределении температуры T(s) и известном тензоре напряжений а*(х)на поверхности S представление (3.25) является уравнением относительно неизвестного распределения температуры Т(х~) на поверхности L.

Расчетный способ позволяет определять радиальную силу, вызванную нарушением осевой симметрии потока на выходе из рабочего колеса в насосах с реальной геометрией отвода. Радиальную силу при известном распределении параметров потока на выходе из рабочего колеса можно определить по следующим формулам:

По аналогии со скалярным уравнением Пуассона решение этого уравнения при известном распределении плотности тока J имеет вид:

Величина затухания в полосковом волноводе, обусловленного потерями в проводниках при известном распределении тока

Переключатель Я устанавливают в положение /. При этом на оба входа осциллографа подается одно и то же падение напряжения на известном сопротивлении R0 и на экране появляется наклонный отрезок прямой ( 6.7, а). Измеряют вертикальную проекцию /Оо полученного отрезка.

Решение. Если переключатель Я (см. 6.6) установлен в положение /, то на оба входа осциллографа подается одно и то же падение напряжения на известном сопротивлении R-J. Параметрическое уравнение движения светящегося пятна по экрану в рассматриваемом случае можно представить в виде

Принцип измерения слабых токов с помощью лампового электрометра основан на том, что ток 1Х, проходящий через сопротивление образца Rx, создает падение напряжения At/ на известном сопротивлении R* (R* < Rx):

Общие принципы их применения такие же, как и компенсаторов постоянного тока: в частности, для расширения пределов измерения напряжения применяют делители напряжения; измерение тока осуществляется путем измерения падения напряжения на известном сопротивлении; остаются в силе и рекомендации к выбору значений образцового сопротивления и коэффициента деления делителя. Однако применение этих компенсаторов имеет ряд особенностей. Так, в делителях напряжения, а также в качестве R0 при измерении тока применяют безреактивные или частотно-скомпенсированные резисторы. Возможно также использование индуктивных или емкостных делителей напряжения (особенно на повышенных частотах).

Из этих соотношений определяется максимально допустимое, при заданной максимальной частоте и известном сопротивлении источника и указателя, значении емкости С и, следовательно, величина выходного тока демодулятора. Используя для переключения конденсатора с заряда на разряд управляемые выпрямители (см. § 17-8), можно построить приборы с погрешностью 0,5% и ниже [Л. 249].

Е при известном сопротивлении R. Кроме того, эти уравнения определяют регулировочные характеристики цепи, т. е. зависимости Ic (R) при Е = const и 1С (Е) при R — const. Их можно рассчитать без промежуточных графических построений.

Общие принципы их применения такие же, как и компенсаторов постоянного тока: в част- ~ ности, для расширения пределов измерения °" напряжения применяют делители напряжения; измерение тока осуществляется путем измерения падения напряжения на известном сопротивлении; остаются в силе и рекомендации к выбору значений образцового сопротивления и коэффициента деления делителя. Однако применение этих компенсаторов имеет ряд особенностей. Так, в делителях напряжения, а также в качестве 7?0 при измерении тока применяют безреактивные или частотно-скомпенсированные резисторы. Возможно также использование индуктивных или емкостных делителей напряжения (особенно на по-вышенных частотах).

Нелинейные искажения в усилителях мощности на транзисторах создаются вследствие нелинейности выходных и входных характеристик транзистора. Для того чтобы учесть оба этих фактора, необходимо найти зависимость тока коллектора iK от э. д. с. генератора сигнала ет. При известном сопротивлении генератора сигнала Rr и напряжении базы иве э. д. с. генератора ег можно подсчитать по формуле

Более широко распространен расчет номинального значения &Фпом=с по паспортным данным номинального режима при известном сопротивлении якорной цепи двигателя Rn из выражения (2.10)

стрелке) открывает диоды Д\ и Лч и закрывает диоды Д3 и Д^ При этом диоды Д\ и Д,ч имеют некоторое сопротивление /?Пр, зависящее от значения э. д. с. е\. При известном сопротивлении диодов действие схемы может быть рассмотрено наложением двух режимов.

Падение потенциала ис0 на резисторе RK ( 5.18, а) определяется по характеристикам или параметрам лампы. При заданном потенциале анода лампы (или источника питания при известном сопротивлении в анодной цепи) известен и ток в цепи анода i:,0, протекающий при «с = «С0. Тогда, очевидно,