Изоляцией элементов

Синусоидальные токи и напряжения можно изобразить графически, записать при помощи уравнений с тригонометрическими функциями и представить в виде вращающихся векторов на декартовой или комплексной плоскости.

2. Зависимость реактивных сопротивлений и проводимостей от частоты можно изобразить графически. В чем отличие и сходство этих графиков для индуктивной катушки и конденсатора без потерь?

и их можно изобразить графически тремя синусоидами, смещенными на треть периода ( 5.19). За положительное направление токов катушек примем такое, при котором токи направлены от начала катушек к их концам. Этим направлениям токов соответствуют положительные направления индукций катушек (-\-Ва, -\-Вь, -\-Вс, см. 5.18), причем если катушки находятся в неферромагнитной среде, то закон изменения их индукций аналогичен характеру изменения токов [см. соотношения (5.9)].

3. Изменение силы тока, напряжений, мощностей, угла ф в зависимости от XL можно изобразить графически в виде резонансных кривых ( 2.56 и 2.57).

Изменение этих величин в зависимости от be можно изобразить графически в виде резонансных кривых. На 2.60 приве-

Например, если gn — выборочное среднее, то gn- —- xt. Ана-лиг аналогов функции влияния показывает, что воздействие дополнительного наблюдения в ник учитывается при добавлении к исходной выборке произвольных значений х из диапазона наблюдений или при поочередном лропуске значений из этой выборки. TCIKHM образом, аналоги функции влияния можно изобразить графически, методом машинного моделирования в том случае, когда аналитическое выражение для 1C получить затруднительно. Рассмотрим на примерах использование кривой чувствительности.

3 Изменение силы тока, напряжении, мощностей, угла ф в зависимости от XL можно изобразить графически в виде резонансных кривых ( 2.66 и 2.67).

Изменение этих величин в зависимости от Вс можно изобразить графически в виде резонансных кривых. На 2. 69 приведены такие кривые для случая, когда /?1=й=0, а Ка=*0.

Для того чтобы изобразить графически формулы (1-38) и (1-39), примем в них М — 1 и ^ = 0. Тогда

Из сказанного видно, что и в рт-диаграмме можно представить лишь равновесные процессы. Неравновесные процессы нельзя изобразить графически, так как такие процессы состоят из неравновесных состояний, каждому из которых по всей массе газа соответствуют разные

3. Изменение силы тока, напряжений, мощностей, угла Ф в зависимости от XL можно изобразить графически в виде резонансных кривых ( 2.66 и 2.67).

Для изготовления транзисторов, как и для изготовления других элементов полупроводниковых ИМС и межэлементных соединений, в настоящее время используется несколько разновидностей планарной технологии. Наиболее широко применяется планарно-диффузаочная и планарно-эпш'аксиальная технология с изоляцией элементов с помощью обратносмещенных р-я-переходов.

На основе планарно-эпитаксиальной технологии с изоляцией элементов p-n-переходами разработаны ИМС мощных (/ВЫх^1 А) и высоковольтных (L/BI,IX= ±19 В) ОУ, параметры которых приведены в табл. 7.5.

В настоящее время при производстве полупроводниковых ИС на биполярных и полевых транзисторах используется несколько разновидностей технологических процессов, отличающихся, главным образом, способами создания изоляции между отдельными элементами. Наиболее широкое применение находит планарно-эпитаксиальная технология с изоляцией элементов при помощи обратно-смещенных /7-и-пере подов.

Интегральные транзисторы классифицируют по принципу работы, связанному с основной структурой, методу изоляции в ИМС, технологии изготовления, конструкции и другим признакам. Основным технологическим методом создания интегральных транзисторов в настоящее время является эпитаксиалыю-диффузионный с изоляцией элементов обратно-смещенными р—п переходами. В ИМС, полученных этим методом, применяются различные типы пленарных транзисторов: вертикальные типов п—р—пи р—п—р,

Выше была рассмотрена эпитаксия кремния на монокристаллических кремниевых подложках, т. е. автоэпи-таксиальный процесс. В последнее время в кремниевой планарной технологии все большее значение приобретают гетероэпитаксиальные процессы, связанные с выращиванием монокристаллических кремниевых пленок на монокристаллических подложках из других материалов, в том числе диэлектрических. Подобные процессы дают возможность создания ИМС с практически идеальной изоляцией элементов. В качестве материала для подложек может быть использован целый ряд веществ: искусственный сапфир А12О3, шпинель MgO-Al2O3 и окись бериллия ВеО.

1 Опишем процесс получения биполярной п-р-п интегральной схемы с изоляцией элементов при помощи р-п перехода. Основным элементом такой схемы является п-р-п транзистор ( 17-7).

— пленарная технология с использованием металлургического полупроводникового материала с изоляцией элементов слоем двуокиси кремния;

— планарно-эпитаксиальная технология с изоляцией элементов разделительными />/г-переходами;

— планарно-эпитаксиальная технология с изоляцией элементов слоем двуокиси кремния;

— планарно-диффузионные с изоляцией элементов р-ге-пере-ходами;

— плаларяо-диффуз'шшые с резиетштюй изоляцией элементов;