Изображена зависимость

На 14.18, б изображена упрощенная Г-образная схема замещения одной фазы асинхронной машины, роставленная в предположении, что

В качестве примера на 18.11, а изображена упрощенная торцевая схема двухполюсной машины с короткозамкнутым ротором и диаграмма пространственного распределения векторов магнитной индукции ее основного поля вдоль зазора между статором и ротором; положение диаграммы соответствует произвольно выбранному моменту времени.

ЭХГ для КЛА «Аполлон» (США). Среднетемпературные ТЭ эксплуатировались при Г=523 К, /? = 4-105Па и имели концентрацию электролита (КОН) до 85%. На каждом из 31 последовательно включенных дисковых ТЭ развивалось напряжение 1^ = 0,9-:- 1,1 В при плотности тока / = 0,1 ~ 0,025 А/см2 соответственно (площадь электрода 5г = 350см2). На 1.6 изображена упрощенная функциональная схема данного ЭХГ. Образующиеся на аноде пары воды удаляются потоком циркулирующего водорода, который выполняет также роль теплоносителя, охлаждающего БТЭ. Выйдя из БТЭ, указанный поток водорода поступает в промежуточный теплообменник / и далее в конденсатор 2, где большая часть водяного пара обращается в жидкость Н2О и направляется в центробежный сепаратор 3 для отделения газа Н2. Чистая вода подается в устройство ее хранения 4, откуда берется для дальнейшего использования. Газообразный водород возвращается в БТЭ. Для сброса в космос тепло от конденсатора отводится посредством циркуляционного контура с насосом 5 к излучателю 6. Теплоносителем в этом контуре служит незамерзающая жидкость — антифриз [1.7, 1.11].

В соответствии с уравнениями (8.7), (8.10) и (8.11) можно построить Т-образную схему замещения трансформатора ( 8.4, а). Ветви G0, В0 называют ветвями намагничивания; их параметры определяются соотношением между током /0 и напряжением U0 ^'юи^Ф,.,. в магнитной цепи трансформатора (см. § 7.3). На 8.4, б изображена упрощенная Г-образная схема замещения трансформатора, не учитывающая различия между f/j и U0 при расчете /0.

На 18.18, б изображена упрощенная Г-образная схема замещения одной фазы асинхронной машины, составленная в предположении, что Uо « 1/1. Процесс преобразования электрической энергии в механическую на схемах 18.8, а, б отображается введением дополнительного, зависящего от скольжения резистора:

На 14.18, б изображена упрощенная Г-образная схема замещения одной фазы асинхронной маиины, составленная в предположении, что

На 14.18, б изображена упрощенная Г-образная схема замещения одной фазы асинхронной машины, роставленная в предположении, что

На 1.15, а показаны ИМС (кристалл) и ее корпус (без верхней крышки). Корпус определяет общее тепловое сопротивление между верхней поверхностью кристалла и окружающей средой. Наличие под кристаллом основания корпуса, с которым кристалл непосредственно соприкасается, влияет на распределение температуры по верхней поверхности кристалла, а следовательно, и между отдельными элементами ИМС. На 1.15, б изображена упрощенная физическая модель, содержащая кристалл 2, смонтированный на основании корпуса 3, которое в свою очередь смонтировано на изотермической подложке 6. Чтобы иметь возможность регулировать внешнее тепловое сопротивление, определяемое окружающей средой, между основанием корпуса и подложкой установлена теплопроводящая прокладка 5. Тепловые характеристики остальных элементов корпуса ИМС смоделированы в виде полосы 4, проходящей по наружному краю прямоугольного блока. Источниками тепла являются транзисторы (группы транзисторов) 1, созданные на кристалле.

На 16.4,6 изображена упрощенная структурная схема передатчика С частотной модуляцией или манипуляцией. Модуляция радиосигнала осуществляется непосредственно в задающем генераторе. Элементы /, 2, 3, 4 аналогично приведенным на

На 2.32 изображена упрощенная схема электронно-счетного измерителя добротности катушки индуктивности. Работа прибора основана на подсчете числа периодов свободных колебаний в контуре, образованном катушкой индуктивности и образцовым конденсатором. Конденсатор, заряженный до напряжения источника, подключается к контуру. В нем возникают свободные колебания, которые ограничиваются, формируются и поступают на счетчик. При правильно выбранном уровне ограничения число импульсов JV равно добротности катушки индуктивности Q.

На 15.9, а изображена упрощенная структурная схема сцинтилляционного счетчика, применяемого для регистрации квантов, где С — сцинтиллятор (фосфор) из кристалла Nal, дающий световую вспышку при попадании в него у-кванта, причем число т световых квантов, поступающих на катод ФЭУ, пропорционально энергии у-кванта:

На 8.8,а изображена зависимость нормированного напряжения Mc/(Vt) от безразмерного отношения t/t. Отметим, что если >1, то экспоненциальный член в равенстве (8.45) становится

Кроме того, необходимо учитывать то, что с увеличением степени интеграции в кристалле (при одной и той же разрешающей способности рисунка) процент выхода годных ИМС падает, а их стоимость значительно возрастает. На 2.2 изображена зависимость стоимости отдельного вентиля С от степени интеграции N (кривая 3) как сумма затрат на изготовление и отработку кремниевых пластин (кривая /) и сборку и контроль(кривая 2).

где t/н. х — напряжение на нагрузочном устройстве при /н=0. На 9.16 изображена зависимость t/H=/(/H) выпрямителя без фильтра (кривая /). Как видно, кривая / нелинейна, что объясняется нелинейным характером вольт-амперной характеристики диода, т. е. зависимостью /?пр от тока.

На 2.17 изображена зависимость 5(ю)/(Лти) от шт„. 2.28. Импульс можно представить в виде произведения Ле и sine (а?). Спектры сомножителей:

Ha 2.33 изображена зависимость 521{т) при заданных параметрах.

Зависимость тока / от напряжения и показана на 8.1, а сплошной линией. На 8.1,6 изображена зависимость сопротивления постоянному току R и дифференциального сопротивления Rd от напряжения и.

Во всех случаях, когда нагрузка на конце линии не равна ее волновому сопротивлению, входное сопротивление определяется гиперболическим тангенсом комплексного аргумента. Чтобы дать представление о характере изменения входного сопротивления линии, на 11.7, а показаны зависимости модулей сопротивлений XX и КЗ от длины линии, построенные в соответствии с формулами (11.17), а на 11.7,6 изображена зависимость модуля ZBX от частоты из (11.18) при несогласованной нагрузке линии.

Выясним условия устойчивой работы двигателя. На 14-30 изображена зависимость статического момента сопротивления УИС на валу двигателя, возрастающего с увеличением скорости. Предположим, что электромагнитный момент двига-

На 10.17 изображена зависимость тока в нагрузке (рабочего тока) /р от тока в обмотке управления /у. Из рисунка видно, что с увеличением тока управления /у, т. е. по мере насыщения магнитопровода и уменьшения ЭДС самоиндукции рабочей обмотки, увеличивается ток в нагрузке /р. При этом небольшие изменения тока /У вызывают значительные изменения рабочего тока. Следовательно, устройство работает как усилитель.

молекул в 1 см3 вещества. Поэтому с увеличением концентрации удельная проводимость вначале растет, достигая при некотором значении концентрации максимума, а при дальнейшем увеличении концентрации уменьшается. В качестве примера на 2-16 изображена зависимость удельной проводимости водного раствора H2SO4 от концентрации при неизменной температуре.

Для выбора мощности важно не столько абсолютное значение капиталовложений, сколько их приращение Д/С при повышении мощности на некоторое конечное значение АЛ/. Обычно Д/V — это мощность одного или двух дополнительно устанавливаемых агрегатов. На 20.5 изображена зависимость удельных капиталовложений на дополнительный киловатт мощности