Изображена конструкцияНа 4-11, а представлена одна из наиболее простых схем пик-трансформатора. Сердечник / изготовляется из ферромагнитного материала с почти прямоугольной кривой намагничивания. Первичная обмотка с числом витков Wi подключается к источнику тока синусоидальной формы it = /msin ш/, а во вторичной обмотке с числом витков ш.2 наводится з. д. с. е% пикообразной формы. Процесс получения ег иллюстрируется 4-11,6. В левой части изображена характеристика Ф (i^, повернутая для удобства построения на 90° против направления вращения часовой стрелки. В правой части рисунка даны характеристики i, (t), Ф (0 и е, (t).
1. На 9.13 изображена характеристика холостого хода генератора постоянного тока (кривая/). Как надо изменить масштабы величин по обеим осям координат, чтобы эта же кривая выражала характеристику намагничивания магнитной цепи машины?
На 4- 11, а представлена одна из наиболее простых схем пик-трансформатора. Сердечник / изготовляется из ферромагнитного материала с почти прямоугольной кривой намагничивания. Первичная обмотка с числом витков w\ подключается к источнику тока синусоидальной формы ii = /msino)^, а во вторичной обмотке с числом витков w2 наводится э. д. с. е2 пикообразной формы. Процесс получения е2 иллюстрируется 4-11, б. В левой части изображена характеристика CD(j'i), повернутая для удобства построения на 90° против направления вращения часовой стрелки. В правой части рисунка даны характеристики
звенья типов k и т, можно достигнуть некоторого постоянства характеристических сопротивлений и крутизны кривой затухания при одновременном сохранении необходимой величины затухания ниже или выше частоты бесконечно большого затухания. На 10-22,а в виде примера показан полосовой фильтр, состоящий из Т-образного фильт)эа типа k (в середине) и двух Г-об-разных звеньев типа т (по концам). На 10-22,6 изображена характеристика затухания такого фильтра.
Соединяя последовательно звенья типов /г и т, можно достигнуть некоторого постоянства характеристических сопротивлений и крутизны кривой затухания при одновременном сохранении необходимого затухания ниже или выше частоты бесконечно большого затухания. На 10-22, а в виде примера показан полосовой фильтр, состоящий из Т-образного фильтра типа k (в середине) и двух Г-образных звеньев типа m (по концам). На 10-22, б изображена характеристика затухания такого фильтра.
а — семейство частотных характеристик нагрузки /3Н=<Р (f) и частотных характеристик нерегулируемой турбины Р = ср (f); штрих-пунктирной лянией изображена характеристика регулируемой турбины; б — работа АРС при набросе нагрузки; в — работа АРЧ, настроенного астатически при набросе нагрузки Д Р • г — то же, но при статической настройке регулятора частоты
На 7.10 сплошной линией изображена характеристика /кз = /(?ф) типового кремниевого преобразователя. С ростом энергии фотонов и укорочением длины волны увеличивается роль поверхностной рекомбинации свободных носителей в «-области кристалла, где поглощается основная часть энергии (сравните с кривой 0ф на 7.2). Ток /кз уменьшается с ростом энергии фотонов. Снижение концентрации примесей на фронтальной поверхности кристалла сокращает число дефектов в поверхностном слое, уменьшает глубину залегания р-д-перехода и выравнивает спектральную характеристику преобразователя в области коротких волн солнечного спектра (штриховая линия). Если ?'ф<Д?'з, то генерация электронно-дырочных пар отсутствует, коэффициент поглощения полупроводника и соответственно ток /кз преобразователя резко уменьшаются.
На 5.4, а штриховой линией изображена характеристика двойного диода *) 6Х2П, рассчитанная по формуле (5.1), а сплошной линией показан ход экспериментально полученной характеристики этой лампы. На 5.4, б в увеличенном масштабе выделена начальная часть характеристики.
Сплошной линией на 5.7, а изображена характеристика диода фирмы RCA; пунктирной —аппроксимирующая кривая по" уравнению (5.11) при следующих значениях коэффициентов:
Частотная характеристика этого ГВП показана сплошной линией на 9.43. Здесь же пунктирной линией изображена характеристика рабочего ГВП для полузвена, нагруженного на сопротивления RQ\ = /?02 = р. Из 9.43 видно, что групповая скорость в искусственной длинной линии, составленной из полузвеньев ФНЧ типа р, изменяется в соответствии с 7.13, д.
Для некоторых элементов при переменном токе зависимость и — f (i) при увеличении тока не совпадает с зависимостью и — ДО при уменьшении тока. Так, на 1-10 изображена характеристика электрической дуги между одинаковыми электродами при периодическом переменном токе. Напряжение и между электродами при возрастающем токе больше напряжения при убывающем токе, так как при увеличении тока процесс идет от менее ионизированного состояния и от меньших температур, чем при его убывании.
На 3.1 изображена конструкция насоса, у которого полость под верхней крышкой соединена со всасыванием насоса отверстием 3, выполненным в вале ротора.
На 7.40 изображена конструкция гидростатического уплотнения. Уплотнение выполнено двухступенчатым, что достигается распределением (поровну) перепада давления на каждую ступень. Для этого предусмотрена специальная система с внешним байпас-ным потоком воды высокого давления. Неподвижное 10 и подвижное 11 уплотняющие кольца каждой ступени выполнены из нержавеющего материала с напылением па трущиеся поверхности карбида вольфрама. Кольцо 10 имеет с тыльной стороны буртик шириной 2,5 мм, которым оно опирается на корпусную деталь, что позволяет кольцу 10 свободно самоустанавливаться относительно кольца 11. В подвижном кольце 11 имеются радиальные и осевые каналы 2, по которым запирающая вода после сетчатого фильтра и дросселей попадает в четыре камеры шириной 5 мм, равномерно расположенные в кольце 11. При правильном выборе диаметра отверстия в дросселе, ширины и диаметра расположения камер давление воды 2—2,5 МПа создает осевую силу, способную преодолеть усилие пружин 12 и трение уплотняющего резинового кольца 4. При этом образуется гарантированный зазор 5—6 мкм между уплотняющими кольцами. На каждой ступени уплотнения срабатывается 6—7 МПа давления запирающей воды при протечке примерно 0,5—0,6 м3/ч.
На 7.13 схематически изображена конструкция современного полевого кремниевого транзистора типа К.П102 с каналом р-типа, изготовленного по диффузионно-планарной технологии. Транзистор представляет собой прямоугольный кристалл кремния площадью около 1 мм2. Методом диффузии в теле кристалла образован канал — тонкая область с р-проводимостью. Сам кристалл обладает n-проводимостью и является затвором. По краям канала также методами диффузии образованы более массивные участки с р-проводимостью — сток и исток. На них нанесены алюминиевые контакты. Между затвором и каналом образуется р— «-переход.
изображена конструкция выпрямительного блока КД 401 Б, содержащего четыре диода. Схема соединения диодов блока для мостового однофазного выпрямителя показана на 2.3, б.
Различные конструкции феррорезонансных стабилизаторов, которые применяют наиболее часто, приведены на VIII.30. На VIII.30, а изображена конструкция с последовательным ферро-контуром, предложенная Ковалевской, а на VIII.30, б — эквивалентная схема этого стабилизатора.
На 30-7 схематически изображена конструкция датчика дважды интегрирующего акселерометра [Л. 80].
Болометры представляют собой металлические термочувствительные элементы. Они имеют положительный температурный коэффициент сопротивления. Болометры выполняются в виде тонкой платиновой проволоки диаметром примерно 1 мкм или тонкой пленки из платины, нанесенной на слюду в вакууме. На 6.5,а показан пленочный болометр для включения в коаксиальную линию, а на 6.5,6 — в волноводную. Получили распространение нитевидные пленочные болометры. В них основанием служит нить из стекловолокна диаметром в несколько микрометров, на которую наносится тонкий слой платины. Нитевидные болометры выполняют в виде конструктивно завершенного узла — встарки (см. 6.5,6, где изображена конструкция терморезис-торной вставки для коаксиальной линии), Основные параметры терморезисторов и болометров: сопротивление в рабочей точке R\, температурный коэффициент сопротивления
На 3.12,а изображена конструкция простейшего двухлинейного двухпозиционного клапанного распределителя, а на 3.12,6 — трехлинейного двухпозиционногс золотникового распределителя. Двухлинейный клапанный распределитель обеспечивает простейшую операцию связи трубопроводов 1 и 2 втягиванием якоря электромагнита 3 при подаче питания на ка!ушку замыкателя цепи контактом К или прерыванием этой связи после отключения питания катушки. Трехлинейный клапанный распределитель при втягивании якоря электромагнита прерывает связь трубопроводов / и 2, переводя поток жидкости, истекаю-
кую решетку и этим самым изменяет структуру энергетических зон, что приводит к измеримым изменениям электрических свойств. Зависимость этих свойств от приложенной силы известна также и у других приборов, например у туннельного диода. В качестве примера на 3.84,а показана зависимость пикового значения тока in от сжимающей силы, приложенной к р—«-переходу туннельного диода. На 3.84,6 изображена конструкция транзистора с переходом Шоттки и зависимости вольт-амперных характеристик от величины приложенной силы [68]. Следует, несомненно, ожидать дальнейших изменений существующих и появления совершенно новых структур [118—120].
На 45 изображена конструкция опоры ротора (гироскопа, в которой установлен радиально-упорный шарикоподшипник с внутренним специальным кольцом /, посаженным на неподвижную ось 2, на которой крепится статор. Наружное кольцо 3, изготовленное вместе с фланцем, монтируют на ободе
Конструкции статических и медленно вращающихся опор аналогичны друг другу. На 76, а изображена конструкция так называемой дифференциальной опоры [66, 67], с помощью которой повышается виброустойчивость опор и уменьшается давление газа, подаваемого в зазор.
Похожие определения: Изоляционная прокладка Изоляционного промежутка Изолированными проводниками Изолирующие материалы Изотропном диэлектрике Известных значениях Известным соотношением
|