Измерения поверхностного

Единица измерения потенциала [ф] = [§•/?] = — -м = в. Аналогично потенциал другой точки Н

4. Схема измерения потенциала цинкового электрода в растворе сернокислого цинка относительно водородного электрода сравнения:

На 4 приведена схема измерения потенциала цинкового электрода относительно стандартного водородного электрода.

Для измерения потенциала принята единица для измерения энергии (килоджоуль) .

Измерения потенциала электрода и зонда производились через активные делители напряжения. Сопротивление делителя в цепи зонда было примерно в 20 раз больше сопротивления грунта между цилиндрами, чем исключалось искажение поля из-за ответвления тока в зонд. Грунтом модели был песок {параметр AsO) с удельным сопротивлением р=120, 440 и 580 Ом-м. Измерение потенциала импульсного поля производилось при напряжении на электроде, не вызывающем пробоя между цилиндрами.

Метод зондирования электрического поля ванны состоит в измерении потенциала в некоторых выбранных точках поля электролизера. Результаты измерения потенциала используют для построения картины эквипотенциальных линий поля, которая позго-ляет судить о степени равномерности распределения потенциала и тока по поверхности деталей. Построение картины эквипотенциальных линий можно ускорить, а подбор геометрических параметрои ванны при проектировании подвески упростить, если использовать автоматизированное зондирование, обеспечивающее непосредст-ственную регистрацию эквипотенциальных линий, соответствующих выбранным значениям потенциалов. В осноне применения анализа картины эквипотенциальных линии электролизера для выбора гптимальных геометрических условий лежи: представление о том, что при эквидистантности ближайших к поперхностп поляризованных электродов эквипотенциальных линий имеет место раппо-мерное распределение потенциала и тока по поверхности электрода Tii i • уелоиия иль приближения к ним до-

Метод зондирования электрического поля ванны состоит в измерении потенциала в некоторых выбранных точках поля электролизера. Результаты измерения потенциала используют для построения картины эквипотенциальных линий поля, которая позволяет судить о степени равномерности распределения потенциала и тока по поверхности деталей. Построение картины эквипотенциальных линий можно ускорить, а подбор геометрических параметров ванны при проектировании подвески упростить, если использовать автоматизированное зондирование, обеспечивающее негюсредст-ствекную регистрацию эквипотенциальных линий, соответствующих выбранным значениям потенциалов. В осноне применения анализа картины эквипотенциальных линии электролизера для выбора гтимяльных геометрических условии лежи: представление о том, что при эквидистантности ближайших к поверхности поляризованных электродов эквипотенциальных линий имеет место ранпо-мерное распределение потенциала и тока по поверхности электрода Tii i • утопия иль приближения к ним до-

электродами. Для измерения потенциала в различных точках среды в эти точки помещают небольшой проводник — зонд, например в виде короткого металлического штифта. В качестве проводящей среды часто употребляют какой-либо электролит, налитый в достаточно большую ванну, отчего указанный метод получил название метода электролитической ванны.

Зондовые методы измерения потенциала предъявляют высокие требования к изоляции измерительной схемы. Высокий потенциал измерительных электродов — основная причина утечки электрического заряда, а следовательно и неповторяемости экспериментальных данных. Можно снизить требования к изоляции, если уменьшить потенциал за счет увеличения электрической емкости измерительной схемы.

измерения потенциала зондовые 19

В случае измерения поверхностного сопротивления Rs на плоском образце используется тот же измерительный электрод /, а роль высоковольтного выполняет кольцевой электрод 2. Охранный электрод 4 имеет форму круга и расположен на противоположной стороне образца 3 относительно измерительного электрода

На 11.3, в показана схема измерения поверхностного сопротивления. Здесь Iv = 0, так как разность потенциалов между электродами А и Б равна нулю, а амперметр показывает значение тока, протекающего между электродами А и В; ток I's в цепь измерителя тока не попадает.

Наиболее распространенным методом измерения поверхностного сопротивления является четырехзондовый метод. Погрешность измерения поверхностного сопротивления обычно не превышает 5 — 10 %.

Схема соединения приборов для измерения поверхностного сопротивления приведена на 3.70. Как видно из схемы, через гальванометр проходит тот же ток, что и по поверхности измеряемого образца. Объемный ток от электрода В отводится к отрицательному

1.16. Схема измерения поверхностного сопротивления четырехзондовым методом

Используя четырехзондовый метод, можно построить график распределения концентрации примеси по глубине •СЛОЯ. С этой целью измерения поверхностного сопротивления (проводимости) чередуют со снятием тонких поверхностных слоев кремния (анодное окисление и травление SiO2) вплоть до дна р-п -перехода. Однако, как

1.16. Схема измерения поверхностного сопротивления четырехзондовым методом

Используя четырехзондовый метод, можно построить график распределения концентрации примеси по глубине •СЛОЯ. С этой целью измерения поверхностного сопротивления (проводимости) чередуют со снятием тонких поверхностных слоев кремния (анодное окисление и травление SiO2) вплоть до дна р-п -перехода. Однако, как

На 17-21 изображена схема для измерения поверхностного сопротивления. В этом случае охранное кольцо 1 играет роль рабочего электрода, а электрод 4 является охранным, так как он исключает влияние тока объемной проводимости на показания гальванометра Г. Поверхностное сопротивление гп в этом случае будет:

Схема соединения приборов для измерения поверхностного сопротивления приведена на 85. Как видно из схемы, через гальванометр проходит тот же ток,что и по поверхности измеряемого образца. Объемный ток от электрода В отводится к отрицательному полюсу

Приборы ПКП и СВП позволяют контролировать также параметры эпитаксиальных слоев на исходной полупроводниковой основе. Параметры диффузионных структур силовых кремниевых приборов, кремниевых и германиевых интегральных схем и кремниевых солнечных элементов контролируются радиоволновыми и вихретоковыми приборами на разных стадиях технологического процесса. Радиоволновые приборы серии СВП применяют для измерения поверхностного сопротивления Rs диффузионных слоев, например р+- р -слоев силовых приборов, р+-р-п-п+-структур. Значение Rs низкоомных диффузионных слоев кремниевьк тири-сторных структур определяют приборами типа ВИИС. Все описанные измерения выполняются с помощью предварительно построенных по образцам градуировочных графиков.