Изменению распределения

Если все транзисторы (часто употребляются термины «ключи», «вентили») закрыты, подача на один или несколько входов логической «1» приводит к изменению потенциала выхода от «1» к «О», а это соответствует упомянутой логической функции. Недостатком схем ТЛНС является резкая нелинейность сопротивления входа. При подаче сигналов логической единицы на различные входы некоторые базовые токи могут оказаться чрезмерно большими, а другие транзисторы не достигают насыщения, что в данном случае нежелательно. Поэтому логика ТЛНС, несмотря на свою простоту, экономичность и возможность достижения хо-рошегр быстродействия, сейчас практически не применяется. Этот тип логики использовался ранее в сериях К102, КЮЗ.

При включении напряжения питания один из транзисторов переходит в режим насыщения, а второй - в режим отсечки. Это объясняется тем, что незначительные изменения тока одного из транзисторов, например за счет колебания температуры, приводят к изменению потенциала его коллектора, а следовательно, и потенциала базы другого транзистора. Например, при увеличении тока транзистора VI увеличивается падение напряжения на резисторе R3 и уменьшается потенциал U , что приводит к снижению потенциала базы l/g и уменьшению тока / . Это в свою очередь ведет к повышению потенциалов l/K , l/g и к

чиваться, вызывая дрейф нуля. Однако с уменьшением анодных токов уменьшится напряжение сеточного смещения ^ci = (Ли + /as) (#i + #2). которое будет компенсировать уменьшение анодного тока /al. Уменьшение же напряжения ?УС2 = (/al + /а2) Ri вызовет увеличение анодного тока /а2. В результате дрейф нуля уменьшится по сравнению с обычной схемой усиления постоянного тока. Нагрузку компенсирующей лампы Л2 следует выбирать так, чтобы приращение напряжения А(/С1 при увеличении анодного тока Д/а2 было равно по величине и противоположно по знаку изменению потенциала катода лампы

жет быть наложена на измеряемый сигнал, поступает на сетку первого катодного повторителя на лампе VL1. При изменении входного сигнала напряжение между электродами сетка — катод лампы меняется незначительно, а изменение потенциала катода приблизительно равно изменению потенциала сетки и поэтому коэффициент передачи близок к единице. Потенциал сетки лампы VL2 близок к нулю и может меняться в некоторых пределах с помощью резистора ^рег, вынесенного на переднюю панель прибора и позволяющего устанавливать стрелку прибора на нуль.

теристики, так как настолько повышается потенциал С/вых, что перестает выполняться неравенство (8.2). При этом отпирается второй инвертор и триггерный режим работы нарушается. Параллельная нагрузка обычно не нарушает триггерного режима работы, когда инвертор закрыт. Шунтирование нагрузкой выходной цепи закрытого-инвертора приводит к незначительному изменению потенциала [/вых, что не сказывается на работе триггера.

На основе определения магнитного напряжения и потенциала невихревого магнитного поля можно придать такой смысл напряженности этого поля: напряженность поля численно равна магнитному напряжению или изменению потенциала, приходящемуся на единицу длины линии поля в направлении максимального уменьшения магнитного потенциала.

динамического смещения Un CM1 на разделительном конденсаторе С1 и тем самым использовать наиболее крутой участок синусоидального сигнала для формирования выходного импульса. Напряжение динамического смещения ?/д сма на конденсаторе С2 приводит к изменению потенциала коллектора UKa в закрытом состоянии транзистора, что также надо учитывать при расчете схемы.

Производная, стоящая в правой части равенства, выражает быстроту изменения потенциала в данном направлении. Она равна изменению потенциала при перемещении на \ см в рассматриваемом направлении. Мы видим, что проекция вектора напряженности на данное направление равна быстроте изменения потенциала в этом направлении с обратным знаком.

Особенно сильно сказывается эта взаимосвязь при питании всех электродов прожектора от общего делителя напряжения, что обычно имеет место в осциллографических трубках. Изменение тока катода при регулировке напряжения модулятора изменяет ток, улавливаемый диафрагмой первого анода. Этот ток, проходя по общему делителю, изменяет распределение напряжений на его плечах, что вызывает изменение потенциала первого анода, т. е. нарушение фокусировки главной линзы. Настройка фокусировки изменением потенциала первого анода по той же причине приводит к изменению потенциала модулятора, т. е. к модуляции яркости.

При записи к сигнальной пластинке подводится отрицательное относительно коллектора напряжение (несколько десятков вольт). Записывающий пучок модулируется входным сигналом, подводимым к модулятору записывающего прожектора. При развертке мишени записывающим пучком быстрые электроны легко пронизывают тонкую сигнальную пластинку и, проникая в слой диэлектрика, вызывают возбужденную проводимость. За счет возбужденной проводимости в месте падения пучка на мишень потенциал ее поверхности понижается, т. е. приближается к потенциалу сигнальной пластинки. Так как возбужденная проводимость зависит от тока «возбуждающего» ее пучка, модуляция тока записывающего пучка приводит к различному изменению потенциала элементов мишени. Большой ток записывающего пучка может привести к уравниванию потенциалов поверхности мишени и сигнальной пластинки.

Рассмотрим значения толщины базы to, w' и коллекторного перехода dK, & при различных значениях коллекторного напряжения ?/КБ и UKB с помощью диаграмм, представленных на 6.5, б. Из этих диаграмм видно, что при заданном токе /э на входе и изменении напряжения t/кв на t/кв одновременно с сокращением ширины базы изменяется распределение концентрации зарядов рп, так что прямая / переходит в прямую 2, имеющую больший угол наклона. Такому изменению распределения соответствует увеличение эмиттерного напряжения. Следовательно, коллекторное напряжение, модулируя толщину базы, одновременно воздействует на эмиттерное напряжение. Это влияние можно определить как внутреннюю обратную связь по напряжению с коэффициентом обратной связи, равным

В другом типе диэлектрического транзистора ( 9.29) затвор находится вне диэлектрика CdS; его роль сводится к изменению распределения потенциала в диэлектрике, что существенно влияет на значение тока. Распространение получили транзисторы с изолированным затвором структуры МОП (металл — окисел — полупроводник) или МДП (металл--диэлектрик — полупроводник) .

Коэффициент /еэ.б зависит от частоты переменного тока, удельного электрического сопротивления материала проводника, расстояния между проводами, формы и размеров их поперечного сечения, а также от направления и фазы токов в них. Распределение магнитного поля в проводнике непосредственно связано с распределением плотности тока в этом проводнике. Если изменить конфигурацию поля внутри проводника путем наложения на него поля той же частоты, созданного другим проводником, то это приведет к изменению распределения плотности тока по сечению проводника. Плотность тока увеличивается в тех частях проводника, в которых увеличивается изменение магнитного поля, и уменьшается там, где это изменение поля уменьшается.

к изменению распределения напряженности электрического поля Е(х). Если падение напряжения на ОПЗ коллектора поддерживается постоянным (t/K = const), то Е(х) меняется так, как показано па 2.12, в [площадь, ограниченная кривой Е(х), остается постоянной]. В результате расширение ОПЗ коллектора в базу 6ц< уменьшается до нового значения 6JK, а толщина квазиэлектронейтральной базы увеличивается от значения г0Б до w'b , что приводит

Сетка может приводить к сильному изменению распределения электрического поля (потенциала) и соответственно объемного заряда в междуэлектродном пространстве, особенно в прикатодной области. В случае больших отрицательных напряжений на сетке даже при положительном потенциале анода ( 9.1, а) все электроны возвращаются к катоду, т.е. увеличивается отрицательный объемный заряд около катода и потенциальный барьер по сравнению с диодом, имеющим такую же конструк-

роль диэлектрика ( 8.28). Низкоомные области, образованные из полупроводника р+-типа с высокой дырочной электропроводностью, выполняют роль металлических ячеек сетки электровакуумного триода. Подаваемое на эти области внешнее напряжение управляет величиной тока, протекающего между истоком и стоком. В другом типе диэлектрического транзистора ( 8.29) затвор находится вне диэлектрика CdS; его роль сводится к изменению распределения потенциала в диэлектрике, что существенно влияет на величину тока. Распространение получили транзисторы с изо-292

У симметричных емкостей для жидкостей при некоторых условиях имеется возможность сокращения числа датчиков силы (разд. 4.3.1), если предусматривается статически определимая система опор (как правило, три опоры). Однако эти условия должны быть тщательно проверены, так как, например, уже неточная установка емкости по вертикали ведет при различной степени его заполнения к изменению распределения нагрузок на опоры.

затвор помещен вне диэлектрика (сульфид кадмия); его роль сводится к изменению распределения потенциала в диэлектрике, отчего существенно зависит величина тока. Практическое распространение получили триоды с изолированным затвором типа МОП (металл—окисел—полупроводник) или МДП (металл—диэлектрик—полупроводник).

Согласно модели упрочнения по механизму Орована повышение сопротивления движению дислокаций возможно как за счет уменьшения расстояния между барьерами, так и за счет увеличения прочности барьеров. Данные по изменению распределения по размерам радиационных кластеров при отжиге облученного ниобия [7] указывают на то, что в эффекте РОУ большую роль играет изменение прочности барьеров.

В сети с изолированной или заземленной через дугогасящий реактор нейтралью однофазное замыкание на землю не сопровождается протеканием больших токов, а приводит к изменению распределения емкостных токов на землю и изменению напряжений фаз относительно земли. При этом линейные напряжения остаются неизменными. Поэтому при однофазных замыканиях на землю такие сети могут продолжать работу до тех пор, пока не будет найден и отключен для ремонта поврежденный участок.

Требования к распределению плотности сконцентрированного излучения существенно зависят от типа преобразователя, особенностей организации рабочих процессов в его элементах и их конструкции. В СФЭУ, содержащих множество последовательно и параллельно соединенных СЭ, которые должны работать в одинаковых условиях, с целью уменьшения схемных потерь необходимо обеспечивать равномерное облучение всех элементов, т. е. должно выполняться условие Ке (х„, у,„ 2„)?« const. Если же СФЭУ состоит из отдельных модулей, каждый из которых содержит один СЭ, объединенный с концентратором, требование равномерности облучения СЭ не является обязательным, а в некоторых случаях даже желательно обеспечить определенным образом заданную неравномерность распределения плотности лучистого потока на элементе (см. раздел 2.5). Соответственно различной будет и чувствительность характеристик СФЭУ этих двух типов к изменению распределения облученности на СЭ в процессе эксплуатации установки за счет неточной ориентации концентраторов на Солнце, действия на них различного вида нагрузок (ветровых, инерционных) и других факторов. Все эти обстоятельства должны учитываться в комплексе при выборе типа и параметров концентрирующей системы.