Изменении освещенностиВнизу, под щитом, предусмотрены два сальника 6 для вывода конденсата, образующегося при изменении окружающей прибор температуры и при продувке импульсных линий. Конденсат сливается в коллектор 7, устанавливаемый непосредственно при монтаже щита. Поднимают щит при его установке за серьги 4. Для заземления щита в одной из его ножек предусмотрено отверстие для
Определить максимальную ошибку, вносимую в выходное напряжение дрейфом, при изменении окружающей температуры до + 65° С.
= 1,5 нА/°С. В усилителе установлен нуль на выходе при температуре 25° С. Определить напряжение смещения нуля на выходе усилителя от UICM при изменении окружающей температуры до +60° С.
Задача 8.68. Условия задачи 8.66. Определить напряжение смещения нуля на выходе усилителя от входных токов при изменении окружающей температуры до +60° С.
Практическая и хозяйственная деятельность человека исторически складывалась таким образом, что он, как правило, не задумывался о ее последствиях, отражающихся на изменении окружающей среды. Это было допустимо до тех пор, пока масштабы этой деятельности и приводимые в результате ее в движение энергетические ресурсы проявлялись незначительно по сравнению с мощностями явлений в окружающей природе. В некоторых случаях появлявшиеся неблагоприятные изменения ограничивались отдельными районами. Например, когда вырубались леса, когда становилась неплодородной земля из-за нерационального ведения сельского хозяйства, человек переселялся в другие районы. При этом долгое время ограниченность территории не ощущалась.
При использовании современных кремниевых транзисторов основным дестабилизирующим фактором, как показано в 4.7, является сдвиг входной характеристики транзистора параллельно самой себе на 2 мВ при изменении окружающей температуры на 1 °С. Предположим, что требуется обеспечить работоспособность усилителя при изменении температуры окружающей среды на ±75 °С. В этом случае будет происходить сдвиг входной характеристики на ±150 мВ.
ного каскада и увеличивать коэффициент усиления по току. Уменьшение рабочего тока и одновременное увеличение коэффициента усиления по току позволяет резко уменьшить ток базы, а значит, существенно расширить возможный диапазон используемых сопротивлений источника сигнала при заданном дрейфе. В УПТ основными типами транзисторов являются высококачественные кремниевые транзисторы с высоким и сверхвысоким коэффициентом усиления по току, имеющие минимальные обратные токи и которые могут работать в микротоковом режиме. При построении многокаскадных усилителей, естественно, эти требования в первую очередь относятся к транзисторам первых каскадов, определяющим дрейф усилителя в целом. При значительном изменении окружающей температуры стабильность рассмотренного выше каскада даже при использовании в нем лучших современных транзисторов оказывается недостаточной. Необходимо искать дополнительные способы термостабилизации режима. Наиболее общий метод повышения стабильности — это построение устройства по мостовой (балансной) схеме.
При изменении окружающей температуры изменяются все параметры однокаскадного усилителя. Это связано с изменением проводимости транзистора, что приводит к изменению режима по постоянному току, и, как следствие, к изменению положения точки покоя. Наиболее сильно температура влияет на изменение трех параметров: обратного тока коллекторного перехода (см. § 5.2), напряжения перехода база—эмиттер L/бэ и коэффициента усиления усилительного каскада по току /(,. Изменения этих параметров влияют на изменение тока коллектора /K = f(/Ko; t>6-i', KI).
3. С какой системой возбуждения целесообразнее применять ТГ постоянного тока при изменении окружающей температуры и почему?
Практическая и хозяйственная деятельность человека исторически складывалась таким образом, что он, как правило, не задумывался о ее последствиях, отражающихся на изменении окружающей среды. Это было допустимо до тех пор, пока масштабы этой деятельности и приводимые в результате ее в движение энергетические ресурсы проявлялись незначительно по сравнению с мощностями явлений в окружающей природе. В некоторых случаях появлявшиеся неблагоприятные изменения ограничивались отдельными районами. Так, например, когда вырубались леса, когда становилась неплодородной земля из-за нерационального ведения сельского хозяйства, человек мог переносить свою деятельность в другое место. При этом долгое время ограниченность территории не ощу-
На 5.4, а показано возникновение релейного эффекта при изменении окружающей температуры.
Фоторезисторы обладают значительной инерционностью, обусловленной временем генерации и рекомбинации электронов и дырок, происходящих при изменении освещенности фоторезистора. Время установления стационарного значения фотопроводимости называют временем фотоответа фоторезистора. Оно определяет максимально допустимую частоту модуляции светового потока, т. е. частотный диапазон работы фоторезистора.
Таким образом, при изменении освещенности напряжение Uv будет изменяться от 0,1 до 10 В.
1076. Площадь, освещаемая в области базы транзистора, составляет 2,2 мм2. Какова фоточувствительность транзистора к изменению светового потока, если при изменении освещенности на 500 лк ток изменился на 0,1 мА?
В радиоэлектронной аппаратуре находят применение варисторы — резисторы, изменяющие сопротивление в зависимости от приложенного напряжения (обозначение — СН), термисторы, изменяющие сопротивление при изменении температуры (СТ), и фоторезисторы, изменяющие сопротивление при изменении освещенности (ФР).
Существенным недостатком фоторезистора является их большая инерционность, обусловленная значительным временем генерации и рекомбинации электронов и дырок при изменении освещенности фоторезистора.
К основным параметрам фоторезисторов наряду с указанными ранее темновым сопротивлением, темновым и световым токами относятся: удельная чувствительность — отношение фототока к произведению светового потока на приложенное к фоторезистору напряжение: К0 = /Ф/Ф17, где /ф определяется при изменении освещенности от темноты до 200 лк; рабочее напряжение — максимально возможное напряжение, не приводящее к изменению других параметров фоторезистора в течение всего срока службы; допустимая мощность рассеяния — максимальная мощность, рассеиваемая на фоторезисторе без его повреждения.
Все эти условия необходимы при измерении постоянных времени для однозначности получаемых результатов, так как постоянные времени зависят от концентрации ловушек захвата и от скорости их заполнения и опустошения, что, в свою очередь, изменяется при изменении освещенности, температуры и других условий, в которых работает фоторезистор. Так, с увеличением освещенности уменьшается число ловушек захвата и растет число рекомбинационных ловушек вследствие расщепления уровня Ферми на квазиуровни или смещения демаркационных уровней (см. 1.8). Оба эти фактора приводят к уменьшению времени жизни носителей заряда и соответственно к уменьшению постоянных времени фоторезистора.
Фоторезисторы инерционны, что обусловлено конечным временем генерации и рекомбинации носителей заряда при изменении освещенности, вследствие чего фототок не успевает следовать за
При изменении освещенности возникает переходный процесс
Фотоэлектрический таходатчик является бесконтактным. Его принцип действия основан на изменении освещенности рабочей поверхности фотоприемников с частотой, пропорциональной частоте вращения испытуемой электрической машины. Для этого на доступной части ротора наносят (или наклеивают) светоотражающие полосы. Фотоприемники изготовляют, как правило, на базе фоторезисторов, фотодиодов или фототранзисто-
Помехоустойчивая ключевая АРУ. На нагрузке видеодетектора выделяется видеосигнал, содержащий постоянную составляющую, т. е. заполненный полуволнами напряжения несущей частоты ( 3-78). Использовать постоянную составляющую этого сигнала для АРУ нельзя, так как она зависит от освещенности и содержания передаваемого, изображения. Для АРУ можно использовать лишь напряжение от пикового детектора {/„, равное напряжению несущей в моменты передачи синхроимпульсов, амплитуда которых не меняется при изменении освещенности передаваемого изображения. Однако АРУ
Похожие определения: Измерений используются Измерений необходимо Источника поскольку Измерений различных Измерениях параметров Измерения электромагнитных Измерения деформации
|