Изменение проводимости

результате возникновения поля Нт/2 меняется магнитное состояние и в других сердечниках. Это изменение происходит по частным петлям гистерезиса и сопровождается созданием э. д. с. в выходной шине, пронизывающей все сердечники. Чем значительнее отклонение формы петли гистерезиса сердечников от прямоугольной, тем больше помеха. Частично эту помеху можно подавить за счет того, что цепь считывания обходит сердечники петлеобразно с переменой своего направления по каждому диагональному ряду. При этом индуцируемые в различных диагональных рядах э. д. с. помех оказываются направленными навстречу друг другу. Отсюда следует, что для матрицы типа 3D необходим тщательный подбор сердечников с возможно более близкими параметрами. Матричные ОЗУ типа 3D имеют также ограниченное быстродействие, их изготовление связано с известными трудностями технологического характера (сложность прошивки диагональным проводом считывания) и т. д.

Все эти погрешности могут быть систематическими или случайными. Систематические погрешности имеют постоянное значение в пределах времени обработки однэй партии, или их изменение происходит по определенному закогу. Таковы, например, погрешность, связанная с износом режущего инструмента, погрешность настройки станка, некоторые погрешности изготовления приспособлений и др. Конкретное значение случайной погрешности определенным закономерностям не подчиняется.

Степень неравномерности концентрации в распределении носителей можно определить непосредственно из рассмотрения графика ( 1.6) как отношение изменения концентрации Аи к расстоянию, на котором это изменение происходит: grad п — An/Ax = dn/dx. Это отношение называется градиентом концентрации.

Это уравнение определяет закон изменения относительной избы-точной концентрации Дл/Дпст в течение времени t ( 8.1). Это изменение происходит по экспоненте с постоянной времен-и-тн, причем при t •» с»; Аи/Ал ст = 1.

Таким образом, в произвольной точке с координатой х избыточная концентрация носителей заряда изменяется во времени согласно уравнениям (3.34), (3.35). Действительно, если цветовой луч перемещается слева направо вдоль оси х, то в некоторой точке, расположенной на поверхности образца правее светового луча, концентрация носителей заряда возрастает по мере приближения светового луча. Как показывает решение (3.34), это изменение происходит по экспоненциальному закону с постоянной времени 1\1с. Когда световой луч минует эту точку поверхности, концентрация избыточных носителей заряда начинает спадать. Спад, так же как и нарастание концентрации, подчиняется экспоненциальному закону, но имеет другую постоянную времени /2/с. Установив в некоторой точке на поверхности образца измерительный зонд — коллектор, можно экспериментально наблюдать, каким образом изменяется во времени избыточная концентрация носителей заряда, и измерить величины с, /1, /2. Если они известны, то, сэгласно (3.35) и (3.36),

Будем называть коммутацией любое изменение в цепи, приводящее к возникновению переходного процесса или изменению режима ее работы; причем будем предполагать, что это изменение происходит мгновенно, т. е. совершается за интервал времени &t = 0. Это может быть включение цепи под действие источника э. д. с.

температур, то изотермические поверхности разных температур не пере-секаются. Все они или замыкаются на себя, или кончаются на границах тела. Температура изменяется лишь в направлении пересекающих плоскостей. При этом наиболее резкое ее изменение происходит по направлению нормали п к изотермическим поверхностям ( 1.13).

Линейно изменяющимся является напряжение, которое возрастает или убывает по линейному закону во времени. Это изменение происходит до некоторого предела, определяемого параметрами схемы. Далее величина напряжения остается неизменной или возвращается к начальному уровню по <акому-либо закону (обычно нелинейному).

При подаче запирающего импульса базового тока /62 коллекторный ток и напряжение на коллекторе в течение некоторого времени не изменяются, и транзистор остается полностью открытым. Это связано с тем, что базовая область транзистора насыщена, т. е. в ней накоплен избыточный заряд дырок, смещающий эмиттерный и коллекторный переходы в прямом направлении. Только после рассасывания избыточного заряда дырок за счет отрицательного базового тока транзистор входит в активный режим, и ток коллектора начинает уменьшаться, а напряжение на коллекторе возрастать. Время, в течение которого происходит рассасывание избыточного заряда дырок, называемое временем рассасывания tv ( 7.9,6), прямо пропорционально степени насыщения 5. Для уменьшения ^р степень насыщения обычно берут не более 2ч-3. На 7.9, б показано, что процесс рассасывания представляется изменением тока (заряда) от величины p/ei до /кн. Это изменение происходит по экспоненциальному закону с постоянной времени TI, которая определяется в режиме инверсного включения транзистора. При инверсном включении коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер — роль коллектора. Количественно время рассасывания определяется из выражения

Через четверть периода (см. 31-5, б) в точке IV становится максимальной радиальная составляющая (Вг = Вгт), а тангенциальная исчезает (BY =0). Обратное изменение происходит в точке /// (fiv = В1т, Вг = 0).

нитным потоком, это изменение происходит при каждом перемещении через паз якоря. Для выяснения закономерности распределения намагничивающей силы по окружности якоря целесообразно рассмотреть вместо обмотки в пазах непрерывный слой проводников, расположенных по образующим цилиндрической поверхности якоря. Эквивалентность такой замены соблюдается, если произведение общего количества N проводников и тока Ia в каждом проводнике, а также положение токораздела непрерывного слоя проводников такие же, как у обмотки, размещенной в пазах якоря.

Фоторезисторы — это полупроводниковые приборы, сопротивление которых изменяется под воздействием светового потока. При облучени-и световым потоком в полупроводниковом материале возникает избыточная концентрация носителей заряда за счет перехода электронов в зону проводимости, что вызывает изменение проводимости полупроводника.

Рассмотрим некоторые из них. Систематическая погрешность при измерении дрейфовой подвижности носителей заряда, как отмечалось, связана с эффектом модуляции проводимости, возникающей при инжекции носителей заряда. Изменение проводимости образца тем заметнее, чем больше избыточная концентрация носителей зарЙяда. Ее можно снизить за счет уменьшения тока эмиттера или длительности эмиттерного импульса тока. В одной из мо-

Изменение проводимости полупроводников от изменения температуры или приложенного напряжения используется для создания терморезисторов и вари с тор о в. Проводимость полупроводников зависит также от механических воздействий, что позволяет создавать тензорезисторы, используемые для измерения механических деформаций, давлений, усилий, перемещений и т. д.

где m = ДУ/У0 — относительное изменение проводимости — глубина модуляции.

Процесс создания полупроводниковых слоев с заданным типом проводимости. Изменение проводимости исходного материала пластины осуществляют с помощью процессов эпитаксии и диффузии.

П.2. Изменение проводимости зазора вследствие продольной пульсации потока при 6П=4,5<„

Как и другие типы фотоприемников, фоторезисторы можно характеризовать их чувствительностью к облучению. Обычно в качестве параметра чувствительности используют чувствительность, характеризующую изменение проводимости, мСм/лм, фоторезистора под действием потока излучения

В индукторных машинах преобразование энергии происходит вследствие изменения взаимной индуктивности между ротором и статором. В индукторной машине все обмотки неподвижны, а изменение магнитного потока, пронизывающего обмотку статора, вызывается перемещением ферромагнитной массы. Ротор в виде звездочки вызывает изменение проводимости зазора под зубцом статора от максимального значения, когда зубец ротора совпадает с зубцом статора, до минимального, когда впадина (паз) ротора совпадает с зубцом ста-

3-14. Изменение проводимости зазора при Ьп = 4,5 /п.

В некоторых случаях величина потока рассеяния соизмерима с рабочим потоком и поэтому с его влиянием на значение силы приходится считаться; особенно это относится к случаям,когда при перемещении якоря происходит непосредственное изменение проводимости пути потока рассеяния, как, например, для электро-

При соблюдении всех необходимых технологических требований стабильность характеристик обеспечивается тем, что возможные размагничивающие воздействия на постоянный магнит (изменение проводимости системы, влияние внешних полей) не выводят его за точку отхода линии возврата от кривой размагничивания (точка Л0' на 2. 13, а). Это обычно достигается соответствующим размагничиванием. Отсюда следует, что при работе постоянного магнита связь возможных значений индукций в нейтральном сечении \ свободной напряженности поля определяется отрезком А0В0 линии возврата. Таким образом, получаем линейную связь между индукцией и напряженностью поля, а постоянный магнит может быть представлен как источник МДС с некоторым постоянным внутренним сопротивлением /?„В1 =l,,/(it\Sn). где > — коэффициент возврата, равный, как было указано выше, проницаемости частотного цик-