Изменение погрешности

Для анализа влияния емкости С, на переходные процессы в элементе АБ оценим значение постоянной времени тс. = С,Л,;1. Если не учитывать поляризационные явления и приэлектродные процессы (изменение плотности электролита в порах пластин, подвижность ионов и т. п.), то С., в первом приближении можно рассчитывать подобно емкости плоского конденсатора, а Л,л - — подобно сопротивлению слоя электролита между электродами. У элемента АБ электроды выполняются расщепленными: каждый электрод состоит из ряда прямоугольных пластин, которые одним из своих ребер присоединены к перемычке. В собранном элементе А Б пластины положительного и отрицательного электродов чередуются между собой. В разделяющие их промежутки вставлены пластмассовые микропористые сепараторы, вся сборка погружена в раствор электролита. Для такой конструкции Сэ определяется как емкость /V параллельно включенных конденсаторов, а Ям — как сопротивление N последовательно включенных слоев электролита:

Токи через диэлектрические и полупроводниковые пленки, вызванные надбарьерной эмиссией электронов (эмиссия Шоттки). Эти токи появляются в результате переноса тока через тонкую пленку (диэлектрик или полупроводник), помещенную между двумя металлическими пластинками. При увеличении температуры энергия электронов в металле возрастает, поэтому часть электронов приобретает энергию, превышающую энергию потенциального барьера в области контакта. Эти электроны проходят над потенциальным барьером в область проводимости диэлектрика и создают ток эмиссии. Для диэлектрического слоя изменение плотности тока, вызванного надбарьерной эмиссией, в зависимости от приложенного напряжения подчиняется нелинейному закону: In/ = У~0.

В га-области (при х ^ 0) плотность объемного заряда положительна, а в р-области (при х ^ 0) — отрицательна. В соответствии с выражением (4.2) плотность объемного заряда вблизи х = О для га-области равна р = qNd, а для р-области р. = —qNa, т. е. на границе раздела (х = 0) происходит скачкообразное изменение плотности объемного заряда ( 4.3).

Изменение плотности компоновки РЭС различных поколений

Изменение плотности компоновки РЭС различных поколений (элем./см3)

/ = 0 после подачи обратного напряжения плотности объемного заряда обусловлена только ионами донорной примени и равна eNd ( 5.10, в). Опустошение глубоких уровней, коте рое происходит со скоростью е„ = т~', ведет к изменению плотности объемного заряда с течением времени. По мере ионизации глубоких уровней электроны, переходящие в зону проводимости, быстро выносятся электрическим полем из области объемного заряда, что обеспечивает малую скорость обратного захвата электронов на глубокие уровни. По истечении некоторого времени устанавливается стационарное распределение плотности объемного заряда. Протяженность области объемного заряда w(t) также уменьшается до своего стационарного значения wc. Изменение плотности \ толщины слоя объемного заряда приводит к изменению емкостк структуры во времени.

Изменение емкости во времени можно определить экспериментально, если проводить измерение на достаточно высоких частотах, таких, при которых глубокие уровни не влияют на изменение плотности объемного заряда за счет изменения степени их заполнения. Емкость структуры, площадь которой S, C—ere0S/iv, где

Изменение степени заполнения глубокого уровня электронами влечет за собой изменение плотности объемного заряда структуры, толщины обедненного слоя при постоянном обрат-юм напряжении и, как следствие, емкости структуры.

В этом случае изменение плотности энергии определяется изменением плотности тока контура. Например, при изменении плотности тока от У! = 0 до /2 = / плотность энергии контура изменяется на

В настоящее время в МДП-ИМС наибольшее распространение получили МДП-структуры с каналом р-типа. Преобладание таких структур над структурами с каналом n-типа обусловлено простотой управления поверхностными свойствами окисленного кремния в р-канальной технологии. Обычно в практических случаях изменение плотности поверхностных состояний, которое у р-канальных МДП-транзисторов вызывает изменение значения порогового напряжения, оказывается достаточным для перевода н-канального МДП-транзистора из режима обогащения в режим обеднения. Поэтому МДП-транзисторы с каналом р-типа характеризуются лучшей воспроизводимостью, что и определило их преимущественное использование для реализации МДП-ИМС.

89. Не только Так как сила тока не меняется, им можно нагревать катоды прямого накала. 90. Участок для определения S выбран неправильно. 91. Неверно. 92. Правильно. 93. Правильно. 94. Правильно. 95. Неверно. Ведь чем дальше анод от катода, тем слабее его влияние на анодный ток. 96. Правильно. 97. Неверно. Еще раз подумайте, каким должно быть постоянное напряжение на сетке, чтобы входной сигнал не искажался. 98. Правильно. 99. Неверно. 100. Неверно. Смотри консультацию № 102. 101. Правильно. 102. Неверно. С точки зрения переменной составляющей оба способа эквивалентны. 103. Правильно. 104. Правильно. 105. Неверно. Как раз наоборот. 106. Неверно. Столько выводов у диода с катодом прямого накала. 107. Правильно. 108. Неверно. Уменьшение температуры приводит к затруднению эмиссии. 109. Неверно. 110. Не только. 111. Правильно. Как раз изменение плотности витков сетки сильно влияет на крутизну характеристики. 112. Неверно. 113. Правильно. 114. Правильно. 115. Правильно. 116. Неверно, так как это при определенных обстоятельствах выгодно.

645 PRINT'-Y И, СЛЕДОВАТЕЛЬНО, ИЗМЕНЕНИЕ ПОГРЕШНОСТИ НА ВОЛНОВОЕ"

Основная погрешность отражает свойства самого средства нимеренчй. Она нормируется для нормальных или рабочих условий эксплуатации, если дополнительные погрешности малы. Для несистемных СИ, применяемых в качестве отдельных приборов, нормируется только основная погрешность для указанной области значений влияющих факторов, если изменение погрешности СИ во всей рабочей области значений влияющих факторов составляет мечее половины основной погрешности. Для системных СИ, предназначенных для информационной связи с другими СИ (ГОСТ 12997--76), основная погрешность нормируется для нормальных условий эксплуатации, если наибольшее изменение метрологической характеристика, вызываемое изменением внешних факторов или неинформативных параметров входного сигнала, превышает 20 % нормированного значения метрологической характеристики. В противном случае основная погрешность нормируется для рабочих условий применения СИ, которые указываются в стандартах на конкретные типы СИ или в технических условиях на СИ (ГОСТ 22261—82). В стандартах характеристики основной погрешности описываются заданием их момеитных функций: моментами систематической составляющей Л„. с основной погрешности Л0 — математическим ожиданием М Л0. с ] и средним квадратическим отклонением о 1Л0. с], позволяющим при расчете характеристик инструментальной составляющей погрешности приближенно учитывать разброс значений систематической погрешности для различных экземпляров СИ данного типа. Характеристики М[А0. е] и а[А„. с] отражают свойства не каждого экземпляра СИ, а всей совокупности СИ данного типа. Для установления нормируемых характеристик основной погрешности каждого отдельного экземпляра СИ необходимо выбрать ее математическую модель. В качестве модели этой погрешности обычно рассматривается модель типа [50.1

номинальной функции влияния. В этом случае рекомендуется нормировать наибольшее допускаемое изменение погрешности или другой метрологической характеристики СИ. Перечень нормируемых неинформативных параметров входного и выходного сигналов, их номинальные значения и пределы допускаемых отклонений должны устанавливаться в стандартах на сигналы. Знание этих характеристик весьма существенно при расчете такой важной характеристики средства измерений, как помехоустойчивость.

Из графика, изображенного на 3.10, видно, что частотная погрешность при р = 1 всюду отрицательная и возрастает с ростом частоты возмущающей силы. В связи с тем, что при р = 0,6^-0,7 имеет место более благоприятное изменение погрешности уи в функции частоты, критический режим успокоения в приборах для измерения и записи переменных во времени величин является нежелательным, и он используется практически только в высокочувствительных гальванометрах постоянного тока.

Пополнительная погрешность меры — изменение погрешности меры вследствие изменения ее действительного значения, вызванного отклонением одной из влияющих величин от нормального значения или выходом за пределы нормальной области значений.

Изменение показаний прибора и изменение погрешности при срабатывании сигнального реле, вызванные отклонением частоты питающего напряжения, не должно превышать ±4% длины диапазона измерений и ±10% значения сопротивления в нормальных условиях.

Изменение погрешности сопротивлений моста при отклонении температуры окружающего воздуха от нормальной (20 ±5° С), в пределах рабочих температур от 10 до 35° С не превышает половины основной допустимой погрешности на каждые 5 град изменения температуры.

Изменение погрешности прибора при изменении, температуры окружающего воздуха на 10 град (в пределах рабочих температур) не превышает половины значения допускаемой основной погрешности. Смещение нуля прибора не превышает 0,75 мкв под влиянием внешнего магнитного поля напряженностью 400 а!м и под влиянием помещенного вплотную такого же прибора.

Изменение погрешности усилителя не превышает половины основной погрешности при отклонении температуры окружающего воздуха от 20 ±2° С на каждые 10 град, при изменении напряжения питающей сети на ±10% и частоты на ±2% относительно номинальных значений.

Изменение погрешности усилителя под влиянием внешнего магнитного поля частотой 50 гц'напряженностью 400 а/м не превышает значения основной погрешности.

Влияние частоты. При отклонении частоты на ±5% номинальной изменение погрешности счетчика при нагрузке от 10 до 100% номинальной при номинальном напряжении и при cos ср = 1 (sin