Изменение обратного

Важнейшей характеристикой МУ является характеристика управления, представляющая собой зависимость между токами /ср и /у. Характеристика управления МУ, построенная в соответствии с (6.45) и замечанием в отношении наибольших значений /Ср„,иу и /У„ШЛ, приведена на 6.44, а. Изменение направления тока /у не оказывает влияния на ток рабочей цепи, поэтому характеристика /;р (/у) симметрична относительно оси ординат. При изменении напряжения U или сопротивления г„ будет соответствующим образом изменяться ток /cpn,,,v, а также ток /у„ШЛ.

Существует много вариантов конструктивного исполнения и схем включения МУ. Так, иногда возникает необходимость в том, чтобы изменение направления тока /у сопровождалось изменением направления тока приемника постоянного тока либо изменением на 180° фазы тока приемника переменного тока. В этих случаях применяют так называемые двухтактные или реверсивные МУ.

С помощью двухтактного МУ можно получить характеристику управления, изображенную на 6.52. При этом отрицательное значение тока /ср при /у < О означает изменение на 180' фазы тока приемника в случае МУ с выходом на переменном токе ( 6.53) и изменение направления тока приемника в случае МУ с выходом на постоянном токе.

. Так как ? = А^.Ф», то изменение направления вращения приводит к изменению направления ЭДС якоря и следует считать ? < 0. Как видно из формулы (9.19),

но с изменением направления потока происходит изменение направления тока якоря. Реверс двигателей производится путем переключения обмотки якоря либо обмотки возбуждения.

Изменение направления поворота ротора датчика сопровождается изменением фазы э. д. с. сигнальной обмотки на 180°.

В приводах буровых лебедок и роторных столов используются асинхронные двигатели с фазным ротором серии АКо и АКо [12, i?j. Двигатели серии АКБ - асинхронные, с контактными кольцами, брыз-гозащищенной конструкции, предохраняющей от попадания внутрь отвесно падающих капель. Они могут работать в режиме повторно— кратковременного включения и отключения с частотой включений в час нэ более 100... 200, и допускают изменение направления вращения в час нэ более 10...20. Двигатели серии А,} и АКЗ - герметично закрытого исполнения с принудительной или самовентиляцией, предназначены для тяжелых условий раЗоты. Технические данные двигателей серии АКБ и A3 приведены в табл.4..6 [12, 14, HSQ. Двигатели A3 - с короткозамкнутым-ротором.

При дальнейшем увеличении нагрузки на валу момент статического сопротивления станет больше вращающего момента двигателя, что повлечет за собой изменение направления вращения вала двигателя и, следовательно, изменение знака э. д. с. Этот режим называется режимом противовключения. Он характеризуется тем, что Inr>U и уравнение (3.22) принимает т U+ Е

Метод записи с фазовым кодированием (ФК) (фазовой модуляцией). Диаграмма для этого метода приведена на 5.3, б. На границе каждого такта записи происходит смена направления тока в записывающей головке и, следовательно, смена магнитных состояний носителя. Полярность тока изменяется в одном направлении при записи 0 (например, от отрицательной полярности к положительной) и в противоположном направлении при записи 1. Происходит как бы изменение фазы тока записи. Логическая схема тракта записи анализирует значение следующего записываемого двоичного знака. Если должен быть записан тот же знак, что и в предыдущем такте, то в середине такта изменяется направление тока записи в головке. Если должен быть записан другой знак, изменение направления тока посредине такта не производится. Так как при записи последовательности одинаковых знаков в серединах тактов производится дополнительное переключение направления тока, то частота изменения тока записи в этом случае увеличивается в 2 раза по сравнению с частотой изменения тока при записи последовательности неодинаковых знаков.

Изменение направления тока в одной из входных обмоток (допустим, Б) без изменения его величины (т. е. изменение знака напряженности поля Нс < НА = —НБ) позволит осуществить операцию запрета (АБ), а изменение величины тока в обеих обмотках без изменения направления с условием, что Нс > НА — Ив >Яс/2, — операцию умножения (АБ).

Линейные размеры доменов составляют от тысячных до десятых долей миллиметра, а их магнитный момент — около 1015 магнитного момента отдельного атома. Домены разделены между собой граничными стенками, в которых происходит постепенное изменение направления намагниченности одного домена по отношению к направлению намагниченности другого соседнего. Реальные площади доменов некоторых ферритов составляют от 0,001 до 0,1 мм2 при толщине граничных стенок между ними несколько десятков — сотен атомных расстояний. Размеры доменов особо чистых материалов могут быть больше.

Германиевые и кремниевые диоды, имея малые размеры, обладают недостаточной теплоемкостью, что является причиной тепловой нестабильности. Как известно, прямой ток этих вентилей меньше зависит от температуры р — п-перехода, чем обратный, который растет с повышением температуры по закону показательной функции. Изменение температуры германиевого перехода на 1° С вызывает изменение обратного тока на 8—10%. Поэтому перегрев р — n-перехода свыше нормы, независимо от причины: перегрузки по току или повышения температуры окружающей среды, может привести к значительному росту обратного тока. Последний будет дополнительно перегревать диод, повышать его температуру и тем самым способствовать дальнейшему росту. Этот цепной процесс может привести к недопустимому перегреву диода и его выходу и; строя.

-как нами не учитывались остальные дестабилизирующие факторы (изменение обратного тока р — /г-перехода, коэффициента усиления по току транзисторов), которые действуют одновременно со сдвигом входных характеристик в ту же самую сторону. Емкость Сэ надо рассчитывать, исходя из двух условий:

Током коллектора можно управлять. Для этого следует изменить напряжение (7ЭБ источника питания цепи эмиттера. С увеличением иЭБ снижается потенциальный барьер эмиттерного перехода и увеличивается ток эмиттера, а следовательно, и ток коллектора (при прочих равных условиях). Таким образом, ток эмиттера является управляющим, а ток коллектора — управляемым. Поэтому транзистор часто называют прибором, управляемым током. Отметим, что изменение обратного напряжения источника питания цепи коллектора практически не вызывает увеличения тока коллектора, так как поле коллекторного перехода является ускоряющим и не может изменять числа дырок, которые пересекают коллекторный переход.

Множитель а*, учитывающий изменение обратного тока коллектора при изменении тока эмиттера, обычно примерно равен единице. Коэффициент лавинного размножения М учитывает влияние этого процесса на общий ток коллектора.

Из перечисленных процессов только лавинное умножение и изменение обратного тока коллектора под действием тока эмиттера приводят к росту значения /Ьк-ь остальные процессы обусловливают его снижение.

потока фотонов, падающих на фотоприемный элемент оптопары. При изменении облучения фотоприемного элемента происходит либо изменение сопротивления фоторезистора, либо изменение обратного тока фотодиода, либо появление фото-ЭДС при работе фотодиода в режиме фотоэлемента, либо усиление фототока в фототранзисторе, либо переключение из закрытого состояния в открытое фототиристора или однопереходного фототранзистора. Следует отметить универсальность однопереходного фототранзистора в качестве фотоприемного элемента оптопар. Он может быть использован на выходе оптопары как фоторезистор, фотодиод, фотоэлемент и, конечно, как переключающийся прибор — одно-переходный фототранзистор.

реключеныи из проводящего состояния в непроводящее. Появляющаяся погрешность связана с тем, что после окончания этапа рассасывания заряда (/д=0 или ФБ=О) изменение обратного тока в этих моделях определяется только барьерной емкостью Сбар. Реально (см. § 1.3.7) спад обратного тока происходит также за счет экстракции неосновных носителей из базы диода (особенно существенно этот эффект сказывается в диодах с широкой базой). Для повышения точности моделирования подобных режимов эксплуатации диодов зарядное уравнение по окончании этапа рассасывания представляют в виде

Таким образом, изменение обратного напряжения, приложенного к р-п переходу, приводит к изменению барьерной емкости между р- и «-областями. Величина барьерной емкости диода Се может быть определена из формулы

Обеспечение заданной стабильности длительности выходного импульса. Как следует из формулы (5.16), при Е^>1/6„ и E^>UKK основным источником температурной нестабильности длительности импульса является изменение обратного тока /К02 в заданном диапазоне температур. Будем считать, что при нормальной температуре окружающей среды*/к02#б2<5:.?' и длительность выходного импульса т. = т0 = 0ф In 2. При максимальной температуре окружающей среды обратный ток транзистора принимает максимальное значение /ко шах-Длительность выходного импульса при этом сократится и примет значение

Изменение обратного тока коллектора практически можно считать равным максимальному значению этого параметра, -определяемому по ф-ле (4.184), в которой tj заменяется на /jomax, т. е.

На 8.24 показано изменение обратного тока р — п-перехода с ростом обратного напряжения. При определенном значении V05 = ^проб наблюдается резкое увеличение обратного тока. Это явление получило название пробоя перехода, а напряжение Vnl)0e» при котором происходит пробой, называют напряжением пробоя. 238