Изменение коллекторного

Левая часть уравнения определяет полное изменение количества носителей заряда, которое зависит от процессов генерации, рекомбинации, диффузии и дрейфа. Полное изменение числа носителей равно алгебраической сумме всех частных изменений:

где Дц Д2 — изменения количества носителей, определяемые соответственно процессами генерации и рекомбинации; Дз—изменение количества носителей, определяемое их диффузией и дрейфом.

3. Изменение количества носителей в объеме Д#, обусловленное процессами диффузии и дрейфа, зависит от количества носителей,

В (2.29) выражение, стоящее в квадратных скобках, учитывает изменение количества требуемого природного урана при использовании невыгоревшего 235U и воспроизводстве плутония. Дня разомкнутого цикла КЕ =0.

Теорема формулируется следующим образом: отнесенное к единице времени изменение количества движения Zmw системы раздельных материальных точек равно сумме сил, действующих на эту систему извне:

Рассмотрим теперь ситуацию в потоке жидкости при внезапном расширении канала. На 9-15 контрольная поверхность (штриховой контур) показана в широком сечении канала таким образом, что через цилиндрическую часть поверхности, прилегающую к стенкам канала, перенос количества движения отсутствует. Следовательно, необходимо учесть изменение количества движения применительно лишь к двум площадям контрольной поверхности: торцевой площади входа и торцевой площади выхода. Учитывая, что давление р\ практически неизменно по всей площади входа (т. е. по сечению канала сразу за расширением, о чем свидетельствует опыт) и что скорость струи сразу после расширения практически не отличается от скорости на выходе из узкого сечения трубы, т. е. равна w\, получим

Изменение количества электричества dQ связано с изменением потока с1Ф, как это следует из выражения для тока i, следующим образом:

Классификация преобразователей в настоящее время еще не установилась и не является общепринятой. Наиболее общей и охватывающей подавляющее большинство преобразователей является классификация ( 17-30) по принципу преобразования неэлектрической входной величины в электрическую выходную. Параметрические преобразователи основаны на изменении электрических параметров (сопротивление, индуктивность и емкость); энергетические заимствуют энергию преобразования от измеряемого объекта. Условно к этому типу преобразователей могут быть отнесены радиоактивные преобразователи и преобразователи э. д. с. Холла. Преобразователи косвенного преобразования являются более сложными и подразделяются на несколько классов. В них входная величина преобразуется в изменение звука, света или количества теплоты, а затем уже в электрическую величину на выходе. В болометрических преобразователях изменение количества теплоты приводит к изменению электрического сопротивления на выходе, а в калориметрических — к изменению какой-либо другой электрической величины, отличной от сопротивления.

17. Но это приведет к увеличению дсуправляющего действия поля анода. 18. Неверно. В пределах допустимых значений обратного напряжения обратное сопротивление близко к бесконечности и от напряжения не зависит. 19. Неверно. 20. Неверно. Диод выполняет ограниченные функции. 21. Правильно. 22. Неверно. 23. Неверно. Главная причина изменения анодного тока — это изменение количества электронов в потоке. 24. Неверно. Электромагнитная сила, возникающая при движении электро юв в магнитном поле, всегда перпендикулярна вектору скорости. Следовательно, изменяется только направление этого вектора, i его величина остается неизменной. 25. Неверно. Диод обладает односторонней проводимостью. 26. Экранир-ующее действие сетки Сг < овеем исчезнет при устранении емкости. 27. Неверно. Плотность витков сетки влияет на напряжение запирания лампы. Подумайте как. 28. Правильно. 29. Неверно. Вы забыли, что диэлектрики обладают очень малым количеством свободных электронов. 30. Это достоинство, но не главное. 31. Неверно. Ведь электроны испускаются только катодом; следовательно, анодный ток в триоде проходит только при положительном анодном напряжении. 32. Неверно. Ведь аног больше удален от электронного облака. 33. Правильно. Такая сетка обеспечит отталкивающее действие на вторичные электроны аноаа. 34. Правильно. 35. Неверно.

показанного на 6-4, может повлечь за собой изменение количества охлаждающего воздуха на 20—30%.

Изменение количества поступающего пара в турбину вызывает из* менение:

Если использовать данные предыдущего примера на с. 113 , то в диапазоне температур 20 °—40 °С при RQ = 0,5 кОм dlK = 0,3 мА,- что составляет примерно 6 % от рабочих токов. Если бы резистор в цепи эмиттера отсутствовал, то изменение коллекторного тока достигло бы 5 мА, т.е. 100 %. Расчеты показывают, что в формировании дрейфа наибольшее "долевое участие" в низко-омных цепях принадлежит температурному смещению напряжения на переходе база—эмиттер (примерно -2,3 мВ»К~1); существенную добавку может оказать обратный ток коллекторного перехода при использовании германиевых транзисторов.

Смещение статических характеристик указывает на изменение коллекторного (выходного) тока транзистора /к, приращения которого обусловлены главным образом увеличением обратного тока коллекторного перехода /кэо (см. § 2.3) и коэффициента передачи тока транзистора hi\6 (или feu) с ростом температуры.

который показывает, во сколько раз изменение коллекторного тока превышает изменение неуправляемого теплового тока коллектора /Кбо в схеме ОБ.

Коэффициент нестабильности показывает, во сколько раз изменение коллекторного тока А/к больше изменения тока коллектора А/К1 при идеальной температурной стабилизации, соответствующей 5=1. Стабилизация считается удовлетворительной, если коэффициент нестабильности S f^7.

Рассмотрим работу схемы. В цепь коллектора включен резистор нагрузки RH, напряжение на котором пропорционально току коллектора. Это напряжение подается на схему регистрации, состоящую из усилителя У и импульсного осциллографа О. На экране осциллографа можно наблюдать изменение коллекторного тока и

Если в коллекторную цепь транзистора включить сопротивление нагрузки RK ( 44), то транзистор будет работать в динамическом режиме, т. е. изменение коллекторного тока /к будет зависеть не только от изменения тока базы, но и от изменения напряжения. Входной сигнал t/BX поступает от источника

Активный режим. Данный режим соответствует прямому (отпирающему) току базы (/б > 0) и положительному напряжению на коллекторе (мкэ > 0). Этому условию отвечают входные характеристики в первом квадранте 3.20 (за исключением характеристики при "кэ = 0. соответствующей режиму насыщения). Угол наклона входных характеристик в активном режиме меньше, чем в режиме насыщения. Это свидетельствует о том, что входное сопротивление транзистора в активном режиме больше, чем в режиме насыщения. Изменение коллекторного напряжения вызывает сдвиг входных характеристик: чем больше напряжение мкэ, тем правее проходит входная характеристика. На семействе выходных характеристик активному режиму транзистора соответствуют почти горизонтальные участки, для которых {0 > 0. Здесь ток ('„ = /ко + ^'с почти не зависит от напряжения ыкэ.

Динамическая эквивалентная схема транзистора. Биполярный транзистор является инерционным прибором. Его инерционность вызвана конечным временем диффузии неосновных носителей через базу и наличием емкостей коллекторного и эмиттерного переходов (Сн и Сэ). При мгновенных изменениях отпирающего тока базы на /б изменение коллекторного тока не будет мгновенным. Из-за конечного времени диффузии и наличия емкостей переходов коэффициент передачи транзистора по току а и коэффициент усиления по току В являются частотно-зависимыми. Примерный вид зависимости коэффициента а от частоты переменного тока / показан на 3.38. Он

личие от этого случая, коллектор транзистора соединен с источником питания Е не прямо, а через RK. Поэтому изменение коллекторного тока вызывает изменение, напряжения на коллекторе. Из-за этого появляется ток через емкость коллекторного перехода

торое время после изменения входного напряжения коллекторный ток достигает значения IKH = EIRK. Дальнейшее изменение коллекторного тока прекращается и он принимает максимальное возможное значение для данного каскада. Транзистор из активного режима переходит в насыщенный. Напряжение на его коллекторе принимает малое, близкое к нулевому значение L/KH. Время изменения выходного напряжения каскада uKa(t) от — Е + 1коКк ^ » — ? до t/KH?«0 называют временем включения каскада ?вкл. Учитывая экспоненциальный характер изменения коллекторного тока на этапе включения ( 3.85, г), время включения можно выразить как

Пусть Д/К1 — изменение коллекторного тока транзистора 7\. Резисторы /?к, и /?са по переменной составляющей соединены параллельно; верхний вывод RKi связан с корпусом через малое внутреннее сопротивление источника питания — Е, правый, согласно 6.15, вывод резистора /?С2 — через малое входное сопротивление транзистора Т2, работающего в активном режиме. Изменение тока /Ki приводит к изменению токов через каждый из этих резисторов. При этом приращение тока резистора обратно пропорционально его сопротивлению. Приращение тока, протекающего через резистор RC2: