Изменение чувствительности

где а — угол отклонения указателя; е — диэлектрическая проницаемость среды между электродами; U — напряжение на электродах; h — расстояние между электродами; W — удельный противодействующий момент пружины или растяжки; 5 — площадь электродов, В приборах электростатической системы необходимый закон изменения угла а отклонения подвижной части от напряжения может быть получен изменением удельного противодействующего момента W пружин или растяжек, изменением расстояния между электродами прибора или изменением формы электродов, влекущем изменение характера функции dS/da [17, 76].

Первая составляющая A5Tex — это изменение расхода условного топлива в результате технического совершенствования, которое определяется изменением удельного расхода условного топлива с Ъ^ на &PJ.

трехзондовой схемы измерения не требуется, чтобы зонды были идентичными. Существует, однако, несколько причин, по которым сопротивление реальной структуры металл — полупроводник может отличаться от сопротивления растекания идеализированной структуры. Из-за разности работ выхода полупроводника и металла в приконтактной области полупроводника существует обедненный или обогащенный слой, который влияет на сопротивление структуры. Обычно контакт металл — полупроводник неомичен, и при протекании через него электрического тока сопротивление контакта возрастает за счет сопротивления обратносмещенного запирающего слоя или уменьшается вследствие инжекции носителей заряда при прямом смещении. Из-за малой площади контакта электрическое поле в приконтактной области может быть достаточно большим, что приводит к уменьшению подвижности носителей заряда. По этой же причине может происходить заметный электрический нагрев приконтактной области, сопровождающийся изменением удельного сопротивления полупроводника и образованием термо-ЭДС. Перечисленные явления нарушают основные предположения об однородности полупроводника и омичности контакта, с учетом которых проведено вычисление сопротивления растекания. Поэтому трудно ожидать, что реальное сопротивление растекания структуры будет достаточно точно соответствовать значению (1.22).

Полевым транзистором принято называть полупроводниковый усилительный прибор, сопротивление которого может изменяться под действием электрического поля. Изменение сопротивления достигается изменением удельного электрического сопротивления слоя полупроводника или изменением объема полупроводника, по которому проходит электрический ток. При этом в работе полевых транзисторов используются различные эффекты, такие,

Коэффициент тензочувствительности полупроводниковых тензоре-зисторов определяется в основном изменением удельного электрического сопротивления

Широкое распространение получили также полупроводниковые тензорезисторы. Коэффициент тензочувствительности полупроводниковых тензорезисторов определяется в основном изменением удельного сопротивления и составляет 100...200; при этом в полупроводниках n-типа он отрицательный, а в полупроводниках р-типа — положительный.

Широкое распространение получили также полупроводниковые тензорезисторы. Коэффициент тензочувствительности полупроводниковых тензорезисторов определяется в основном изменением удельного сопротивления и составляет 100...200; при этом в полупроводниках n-типа он отрицательный, а в полупроводниках /7-типа — положительный.

опор и тросов. Такие замеры производятся после первых девяти лет эксплуатации; в дальнейшем периодически — не реже одного раза в шесть лет. Необходимость такой проверки обусловлена возможными повреждениями заземляющих устройств и возможным изменением удельного сопротивления грунта.

удельная теплоемкость материала проводника принимается не зависящей от температуры, поскольку изменение ее незначительно но сравнению с изменением удельного сопротивления;

Под воздействием продольного механического напряжения тензорезистор изменяет свое поперечное сечение, длину и удельное электрическое сопротивление. Следовательно, изменение общего сопротивления обусловлено двумя факторами: изменением геометрических размеров и изменением удельного электрического сопротивления. Зависимость между этими величинами можно представить следующим образом:

Коэффициент (l+2v + ") является мерой чувствительности тензорезистора и обозначается через К. Так как коэффициент Пуассона v у металлов равняется примерно 0,3, а вклад изменения удельного электрического сопротивления (определяемого значением коэффициента я) в общее изменение сопротивления тензорезистора составляет 20%, то коэффициент К. для проволочных тензорезисторов приблизительно равен 2. Аналогичный эффект был обнаружен у полупроводниковых материалов при исследовании воздействия на них механических напряжений [14]. Существенное отличие от металлов заключается, однако, в том, что значение коэффициента я велико и общее изменение сопротивления почти на 98% обусловлено изменением удельного электрического сопротивления и только на 2% связано с изменением геометрических размеров. В результате чувствительность К полупроводниковых тензорезисторов достигает величин порядка 50—150. Такая большая чувствительность яв-

Возникающая дополнительная погрешность при применении платинового термометра сопротивления обусловлена нелинейным изменением удельного сопротивления платины от температуры [22].

Адаптация — это изменение чувствительности глаза под воздействием раздражителей. Процесс приспособления глаза к темноте называется темновой адаптацией. При переходе из светлого помещения в темное и через час пребывания в темноте чувствительность глаз yi „'личивается в 200 тыс. раз. Для адаптации к темноте требуется примерно 20 мин. Однако, взглянув на яркий источник света, человек уже через 5...6 с может в темноте различить предметы.

9.18. Для условий задачи 9.16 определить изменение чувствительности по отклонению электронно-лучевой трубки, если угол пролета электронов в отклоняющем поле <от=я/2; сот=я и сот=5я. Определить частоты переменных напряжений на отклоняющих пластинах, которые будут соответствовать данным углам пролета. Напряжение второго анода электронно-лучевой трубки Ua2=2 кВ.

Изменение характеристик фотоэлементов с течением времени наблюдается как при хранении, так и при работе. Изменение чувствительности при хранении объясняется физико-химическими процессами и носит случайный характер. Изменение чувствительности в процессе работы протекает монотонно и называется утомляемостью фотоэлемента. Кривые утомляемости двух фотоэлементов в условиях непрерывной работы приведены на 8-12. Наибольшая утомляемость наблюдается в течение первых 100—150 часов, причем утомляемость газового фотоэлемента больше. Утомляемость является обратимым процессом, и после «отдыха» чувствительность

Изменение чувствительности глаза при различной освещенности называют адаптацией. Адаптация — одно из замечательнейших свойств глаза. Так, при переходе из светлого помещения в темное через час пребывания в темноте чувствительность глаза увеличивается в 200 тысяч раз по сравнению с первоначальной. Среднее время адаптации при переходе из светлого помещения в темное составляет 20 мин.

на пластины Y напряжения высокой частоты (несколько сотен мегагерц) интервал времени пролета электронов вдоль пластин становится сравнимым с периодом отклоняющего напряжения и последнее приобретает разные значения. Это явление вызывает изменение чувствительности в зависимости от частоты исследуемого сигнала.

мителей, описанных в § 5.3, с использованием высоковольтных диодов (электронных или полупроводниковых). Ток делителя /д обычно имеет величину порядка нескольких миллиампер, а ток третьего анода — порядка десятков микроампер. Следовательно, такие выпрямители будут сравнительно маломощными. В этом случае фильтрацию выпрямленного напряжения можно обеспечить довольно просто, применив в качестве фильтра интегрирующую С-Я-цепь (см. гл. 2). Однако при выборе параметров такого фильтра необходимо учитывать, что сколь-нибудь заметная пульсация напряжения U будет вызывать изменение чувствительности по отклонению (в первую очередь) и дефокусировку луча. Изменение чувствителйности не будет практически сказываться нл качестве изображения, если смещение луча на экране трубки за счет пульсации выпрямленного напряжения не превышает диаметра светового пятна.

Мультипликативная погрешность возникает при изменении коэффициентов преобразования. С течением времени и под действием внешних факторов коэффициенты klt kz, ..., kn* могут изменяться соответственно на A?lt Л&2. •••. Ай„. При достаточно малых изменениях этих коэффициентов можно пренебречь членами второго и большего порядка малости и тогда относительное изменение чувствительности (коэффициента преобразования)

время пролета равно периоду колебаний, чувствительность окажется равной нулю. Максимальное отклонение луча произойдет тогда, когда время пролета электронов будет равно нечетному числу полупериодов колебаний. Изменение чувствительности ЭЛТ может быть выражено формулой:

Здесь следует дополнительно отметить изменение чувствительности (2.85), зависящее от sv.

Электрические и магнитные поля — это такие влияющие величины, которые при обычной напряженности индуцируют только дополнительные напряжения или токи. Конечно, поля очень высокой напряженности могут воздействовать в принципе также на изменение чувствительности или на тонкую структуру градуировочной характеристики. Однако вероятность влияния таких сильных полей в измерительной практике невелика.

Влажность и пыль — условно накопительные мешающие воздействия, для которых дополнительным параметром испытания является время. Их воздействие в качестве величины 2-го рода в принципе не может быть исключено. Поэтому в сомнительных случаях следует проводить испытание на возможное изменение чувствительности.