Изменения удельного

Многие РПДУ предназначены для работы в диапазоне частот, поэтому в конструкциях контуров и согласующих устройств необходимо предусмотреть возможность перестройки. В РПДУ используют катушки индуктивности с плавной регулировкой с помощью скользящего контакта ( 8.9) или изменения взаимного положения катушек индуктивности (вариометры, 8.10), конденсаторы постоянной и переменной емкости ( 8.11). Для улучшения теплоот-вода катушки изготовляют однослойными, из плоской ленты, меди или медной трубки квадратного сечения, через которую пропускается охлаждающая жидкость. Диаметр таких катушек составляет 50... 1000 мм (в зависимости от мощности РПДУ). Каркасом служат стержни из радиофарфора, укрепленные в литых рамах из алюминиевого сплава. Скользящий контакт осуществляется с помощью

В качестве образцовых и рабочих мер переменной индуктивности и взаимной индуктивности служат варж> метры. Вариометр состоит из двух катушек, одна из которых подвижная. Она может перемещаться относительно неподвижной катушки. Путем изменения взаимного расположения катушек можно плавно изменять значение индуктивности или взаимной индуктивности. Точность вариометров ниже точности образцовых катушек индуктивности.

В этом исполнении электромехгническое преобразование энергии происходит главным образом 3i счет изменения взаимного расположения обмоток и изменения взаимной индуктивности между ними при вращении ротора; изменения взаимной индуктивности и индуктивностей обмоток за счет зубчатости магнитопроводов имеют второстепенное значение.

В этом исполнении электромеханическое преобразование энергии происходит главным образом за счет изменения взаимного расположения обмоток и изменения взаимной индуктивности между ними при вращении ротора; изменения взаимной индуктивности и индуктивностей обмоток за счет зубчатости магнитопроводов имеют второстепенное значение.

в) Изменение взаимной индуктивности между двумя разноименнополюсными обмотками на статоре достигается за счет изменения взаимного расположения зубчатых магнитопроводов статора

д) Изменение взаимной индуктивности между разноименнопо-люсной и одноименнополюсной обмотками достигается за счет изменения взаимного расположения зубчатых магнитопроводов статора и ротора с различными числами зубцов (модификация СЗ табл. 20-1).

Из рисунка видно, что форма кривой индукции при t — О и / = я/2со получается различной из-за изменения взаимного расположения гармонических составляющих. Для наглядности ампли-

удобство контроля, не требующего изменения взаимного расположения элементов конструкции и каких-либо механических,, тепловых или электрических нагрузок, превышающих нормы, установленные на ФАУ.

Радиальные и осевые зазоры в проволочных подшипниках регулируются с помощью крышек 4 ( 22, г), резьбовых пробок 4 ( 22, б) или путем изменения взаимного положения колец ( 22, д). Для уменьшения потерь на трение следует выбирать шарики большего диаметра или изменять (уменьшать) угол контакта р.

•с конструкцией сопряжения цилиндров с корпусами подшипников. Чтобы избежать ошибок при центровке, необходимо прикинуть, какие изменения взаимного расположения роторов и цилиндров могут произойти во время работы агрегата.

что приводит к некоторому усложнению расчета режима системы. Однако при этом достигается и определенный положительный результат. Векторная диаграмма ( 2-9) позволяет установить, что вектор э. д. с. E'q имеет тот же аргумент, что и э. д. с. Eq. Известно, что угол б, определяющий фазу э. д. с. Ед на векторной диаграмме, характеризует также и положение оси вращающегося ротора синхронного генератора относительно синхронно вращающейся оси. При расчетах простейшей системы удобно такую ось совместить с вектором неизменного напряжения на шинах приемной системы. В этих условиях любые изменения фазы э. д. с. Eq, установленные при расчете режима схемы замещения, будут определять аналогичные изменения взаимного расположения вращающихся роторов генераторов на удаленной станции и ротора эквивалентного генератора приемной системы. Такой же вывод может быть сделан при выполнении расчетов с использованием э. д. с. E'q.

полной, если не будет включать в свой состав аналоговых и/или аналого-цифровых блоков. Включение ПАИС в SOPC дополнительно дает следующие выгоды, характерные для всех ИСПС — возможность модернизаций и корректировок в весьма значительных пределах, определенная секретность разработок и их защита от несанкционированного копирования. Дополнительная особенность ПАИС состоит в том, что модернизации и корректировки фрагмента допустимы не только в форме изменения взаимного соединения элементов (т. е. структуры фрагмента), но и форме изменения номиналов используемых элементов. Таким образом может достигаться весьма существенное изменение как характеристик, так и поведения фрагмента.

Таким образом, расчет изменения удельного расхода тепла при изменении начальной температуры пара сводится к расчету Тв и 'АТВ.

Чувствительность полупроводникового элемента по сравнению с неполупроводниковым значительно выше, причем сопротивление его изменяется в основном за счет изменения удельного сопротивления.

Нагреватели периодического действия. Как указывалось выше (см. § 7-1), мощность, подводимая к индуктору, в течение цикла нагрева меняется вследствие изменения удельного сопротивления и магнитной проницаемости заготовок. Характерная зависимость потребляемой заготовкой ^мощности от времени при ?/„ -^--= const приведена на 12-7. Большая часть времени нагрева (около 0,7 tK) приходится на горячий режим O?I<>AK)> когда параметры Pit индуктора и потребляемая им мощность практически постоянны. На основании анализа расчетных и экспериментальных данных МОЖНО Считать, ЧТО МОЩНОСТЬ Р2Г рие i2-7. Изменение мощности в конце нагрева стальной заго- при периодическом на грене заготовки до температуры 1200— 1300°С товки при условии приблизительно

Аналогичной формулой определяются также изменения удельного прироста г в зависимости от ап , так как в соответствии с (1 1 .26)

Технологический процесс создания биполярной ИМС можно рассматривать как метод изготовления из некоторых исходных материалов законченного геометрического объекта, обладающего заданными электрическими характеристиками. При разработке биполярных ИМС требуется разносторонняя оценка свойств ряда исходных материалов. В первую очередь это относится к свойствам полупроводников, так как в процессе разработки ИМС должны быть точно известны возможности формирования р>-п-переходов в определенных локальных местах подложки, которые обладали бы заданными характеристиками. Кроме того, необходимо предварительно оценить возможности контролируемого изменения удельного сопротивления полупроводникового материала путем введения в него примесных атомов элементов третьей и пятой групп.

В процессе разработки полупроводниковой ИМС необходимо учитывать, что заданный температурный коэффициент сопротивления резистора в значительной степени определяет максимальное значение номинального сопротивления, которое может быть получено при строго ограниченных геометрических размерах резисторов. Действительно, использование для резистора наиболее низко-омного материала с меньшим температурным коэффициентом сопротивления требует увеличения площади, занимаемой резистором. Более того, поскольку изготовление резистора производится совместно с формированием базовой области транзисторной структуры, возможности изменения удельного поверхностного сопротивления диффузионного слоя являются крайне ограниченными.

Одним из важнейших аспектов развития полупроводниковой электроники является материаловедение полупроводников. Так, требования к кремнию, предъявляемые технологией СБИС, сейчас пока еще превышают возможности методов получения этого материала по таким параметрам, как диапазон изменения удельного сопротивления кремния п- и р-типов, однородность легирования, содержание примесей углерода, кислорода, тяжелых металлов. Требования в отношении одной из главных характеристик полупроводника — времени жизни неосновных носителей заряда i (которое в лучших образцах кремния составляет около 500 мкс) — не выполняются; разработчикам СБИС необходимо иметь т до 1000 мкс.

Зависимость переходного сопротивления от температуры. Как указано выше, переходное сопротивление контакта есть сопротивление металла проводника, поэтому оно должно в той же мере зависеть от температуры. Однако с увеличением температуры меняется структура бугорков и площадок соприкосновения за счет изменения удельного сопротивления смятию ст. Поэтому температурный коэф-

Электрические свойства пленок изменяются в широком диапазоне для различных материалов. У большинства пленок наблюдаются три различные области изменения удельного сопротивления пленки как функции ее толщины: первая область — толщина около 0,1 мкм и выше, удельное сопротивление соответствует сопротивлению массивного образца; вторая область — около Ю-2 мкм, удельное сопротивление больше массивного образца и ТКС приближается к нулю; третья область — около 10~3 мкм, характеризуется очень высоким удельным сопротивлением и отрицательным ТКС. Зависимости сопротивления тонких пленок от толщины показаны на 13-1.

которая представляет собой отношение относительного изменения удельного сопротивления к относительной деформации в данном направлении.

Метод изготовления полупроводниковой ИМС предполагает создание из некоторых исходных материалов законченного геометрического объекта, обладающего заданными электрическими характеристиками. При разработке полупроводниковых ИМС необходима разносторонняя оценка свойств исходных материалов, в первую очередь полупроводников, так как должны быть точно известны возможности формирования р-л-переходов с определенными характеристиками, а также контролируемого изменения удельного сопротивления полупроводника путем введения соответствующей концентрации примесей. Другим материалом, используемым при изготовлении полупроводниковых ИМС, является двуокись кремния. Слои этого материла выполняют две важнейшие функции: защищают поверхность полупроводника от загрязнения посторонними примесями и обеспечивают возможность локального формирования элементов. Кроме того, должны быть известны свойства