Изменения коллекторного

где Дц Д2 — изменения количества носителей, определяемые соответственно процессами генерации и рекомбинации; Дз—изменение количества носителей, определяемое их диффузией и дрейфом.

Как видно из (7.20) и 7.2, уставка реле может регулироваться в. цепях тока и напряжения как ступенями — путем изменения количества витков первичных обмоток трансреактора 77 и вторичных обмоток трансформатора напряжения Т2, так и плавно — путем регулирования уровня напряжения, снимаемого с подключенного к третьей вторичной обмотке Т2 потенциометра R7.

Теплота на отопление Q , вентиляцию Q к бытовые нужды Q, обычно подается потребителю с горячей водой. Вода по сравнению с водяным паром имеет ряд преимуществ. Ее легко передавать на большие расстояния (до 20—30 км), не увеличивая давление пара в отборе; тепловые потери и потери теплоносителе при этом ниже, чем в паровых системах теплоснабжения; расход энергии на перекачивание также небольшой. Водяные системы теплоснабжения имеют большую аккумулирующую способность, вследствие чего кратковременные изменения количества теплоты, подводимого к сетевой воде, менее отражаются на температурных режимах обогреваемых помещений. При обогреве помещения горячей водой легче поддерживать умеренную температуру отопительных батарей (до 90-95 °С).

Пульсация ЭДС на щетках всех электрических машин имеет место из-за пульсаций магнитного потока («зубцовая» частота пульсаций ЭДС) и изменения количества секций, входящих в параллельную

Поверхность катода покрывается оксидными веществами, легко отдающими электроны при подогреве с помощью НН. На сетку, имеющую форму цилиндра с отверстием в торце, подается отрицательное относительно катода и регулируемое напряжение, которое используется для изменения количества электронов в луче и регулирования за счет этого яркости пятна на экране. Указанная регулировка выносится на переднюю панель осциллографа и снабжается надписью «Яркость».

В результате изменения количества электронов в потоке

Кг (Tdmrl + тл dT) = pdV + Vdp. Так как изменения количества газа dmlr = (тг — mr^)dt, то

Пробой за счет туннельного эффекта наступает тем скорее, чем тоньше запорный слой. Для возникновения ударной ионизации необходима более широкая область объемного заряда (толстый запорный слой), чтобы неосновные носители заряда в ней могли при своем движении приобрести достаточную энергию. Такой более толстый запорный слой возникает в полупроводниках с меньшей проводимостью материала. Таким образом, варьируя проводимость материала (путем изменения количества примесей), можно получить диоды с различными пробивными напряжениями. Если пробой в кремниевом диоде наступает при разности потенциалов менее 5 В, то можно утверждать, что физика пробоя — туннельный эффект, если же при разности потенциалов более 8В — ударная ионизация. При промежуточных значениях потенциала пробоя механизм его смешанный.

Для возможности точной подгонки индуктивности катушек относительно номинального значения на нижней щеке каркаса имеются соответствующие пазы и отверстия для подгонки с помощью изменения количества витков или их сдвигом (изменением геометрических размеров).

Решая уравнение (1 — 7), находим закон изменения количества ионов в единице объема вследствие рекомбинации

Быстроту изменения количества движения Ньютон положил в основу своей динамики, сделав эту величину характеристикой движения. Лейбницевская же «живая сила» является энергетической характеристикой движения. Так что функции этих понятий не только не перекрываются, но все более четко разделяются.

Отношение изменения коллекторного тока к изменению эмиттерноготоканазывается коэффициентом усиления но току (для схемы 5-8) и обозначается

Т-образная эквивалентная схема транзистора с физическими параметрами ( 2.14, б) для схемы включения транзистора ОЭ (см. 2.12, б) может быть получена из схемы 2.14, а путем изменения входных зажимов и введением эквивалентного источника тока hz\J&, характеризующего передачу тока из базовой цепи в коллекторную с коэффициентом передачи тока базы П2\б- Однако при /б = const изменения коллекторного тока равны изменениям эмиттерного тока, которые в (/izu+l) раз больше соответствующих изменений тока базы. Поэтому параллельно генератору тока /121э/б следует включить сопротивление гк = гк/(/121э + 1) и емкость Ск = Ск(/121э + 1).

В"схёмё"ТТа"" 2.16 изменения коллекторного тока тран- е« зистора зависят не только от изменений базового тока, а и от изменений напряжения на коллекторе.

В режиме класса А начальное положение рабочей точки выбирают по середине участка динамической характеристики, где изменению базового (входного) тока соответствуют пропорциональные изменения коллекторного (выходного) тока, а ее перемещение, вызванное воздействием двойной амплитуды входного сигнала 2f/6m(2/6m), ограничивается этим участком. На

ляемыи как отношение изменения коллекторного тока к вызвавшему его изменению эмиттерного тока в режиме короткого замыкания выходной цепи по переменному току:

Запуск и опрокидывание. Блокинг-генератор запускается введением в цепь базы отпирающего импульса тока ( 19.8). При открытии транзистора восстанавливается действие ПОС и возникает лавинообразный (регенеративный) процесс роста коллекторного и базового ;к токов транзистора: рост скорости изменения коллекторного тока /к приводит к росту абсолютного значения напряжения и2 (на базовой обмотке и'б), имеющего отрицательную полярность; последнее приводит к росту 1Б и <к.

ниями гэ и Гб- Как было показано в 4.7, основными источниками дрейфа являются: зависимость теплового тока /ко, изменение коэффициента усиления {5 и напряжения на переходе 1/э.п от изменения температуры. Из (4.80) и схемы замещения каскада нетрудно получить выражение для изменения коллекторного тока при неизменном входном напряжении ?/вх:

Оба эти явления нежелательны, поэтому в современных ЭЛбКТрОН-ных схемах в качестве резистора R? используют дифференциальное сопротивление дополнительного транзистора VT3, который вводят в схему дифференциального каскада ( 11.7), Выходная вольт-амперная характеристика биполярного транзистора (см. 5.10, б) при /<; = const имеет очень малую крутизну, т. е. большие изменения коллекторного напряжения вызывают незначительные изменения тока коллектора, что эквивалентно большому дифференциальному сопротивлению даже при очень малом падении напряжения на транзисторе. Ток базы транзистора VT3 задается делителем R2R3, дифференциальное сопротивление транзистора VT3 около 10 МОм, за счет чего достигается значительное подавление синфазного сигнала. В ТО Же Время падение постоянного напряжения на транзисторе VT3 оказывается незначительным, т. е. повышения мощности рассеяния не происходит. Использование схемы на 11.7 на дискретных элементах не всегда целесообразно, так как требуется третий транзистор, однако в интегральном исполнении легко использовать «лишний» транзистор, что привело к широкому применению таких схем в современных усилителях.

ного перехода, захватывается его электрическим полем и направляется в коллектор. Таким образом, наряду с эмиттерным током возникает почти равный ему коллекторный ток. Отношение изменения коллекторного тока к изменению эмиттерного

Эффективным методом анализа переходных процессов изменения коллекторного тока в импульсных схемах является метод заряда. Будем считать, что транзистор л-^-п-типа включен по схеме с общим эмиттером, сопротивление коллекторной нагрузки близко к нулю, базовая цепь питается от генератора тока, который может обеспечивать изменения отпирающего базового тока с пренебрежимо малой длительностью фронта. Для такого транзистора электроны в базе являются неосновными носителями. Заряд электронов в базе Q соответствует заряду неосновных носителей. Изменение этого заряда dQ/dt может вызываться двумя причинами: 1) изменением базового тока /б(0; 2) рекомбинацией носителей в базе. Последняя составляющая заряда равна — Q/в, где в — время жизни носителей в базе.

торое время после изменения входного напряжения коллекторный ток достигает значения IKH = EIRK. Дальнейшее изменение коллекторного тока прекращается и он принимает максимальное возможное значение для данного каскада. Транзистор из активного режима переходит в насыщенный. Напряжение на его коллекторе принимает малое, близкое к нулевому значение L/KH. Время изменения выходного напряжения каскада uKa(t) от — Е + 1коКк ^ » — ? до t/KH?«0 называют временем включения каскада ?вкл. Учитывая экспоненциальный характер изменения коллекторного тока на этапе включения ( 3.85, г), время включения можно выразить как