Изменениям параметров

Существенный недостаток рассмотренных активных фильтров с умеренной, но все же положительной обратной связью — их сравнительно высокая чувствительность к изменениям напряжения источников питания и температуры окружающей среды (приводящей к изменению параметров ^С-компонентов). Поэтому

Для обеспечения нужных пределов колебаний напряжения, вызываемых непостоянством режима токоприемников, требуется применение различных видов регулируемых устройств и специальных режимов работы питающих сетей; применение как одного, так и другого зависит от параметров питающей и распределительных сетей, от места подключения токоприемников, их режима и требований к допустимым изменениям напряжения для их нормальной работы. При различных изменениях режима электроприемников в отдельных частях электрической сети будет иметь место неодинаковость режима напряжения, и наиболее резкие изменения напряжения будут наблюдаться в той части сети, где непосредственно приключены эти электроприемники. С другой стороны неодинаковы и требования к режиму напряжения в различных частях электрической сети. Если в питающей сети стремятся к поддержанию напряжения на уровне, при котором достигаются наименьшие потери энергии, то в той части сети, -к которой непосредственно присоединены токоприемники, это требование может оказаться неудовлетворительным для нормальной работы токоприемников. Целесообразно поэтому по различному классифицировать отдельные части электрической сети и требования к режиму напряжения в них.

дах, в которых использование источника тока, включаемого в эмиттерные цепи транзисторов, наряду с повышением стабильности режима позволяет существенно повысить степень подавления синфазной помехи без снижения усиления полезного сигнала. Источник тока обычно строят на транзисторе, ток которого можно стабилизировать при помощи второй транзисторной структуры в диодном включении. В частности, в качестве такого источника стабилизированного тока можно использовать схему на 3.1, а. Разновидностью этой схемы является схема на 3.2, в которой путем включения резистора Кэ в эмиттер Т удается увеличить выходное сопротивление источника тока до значения сопротивления коллекторного перехода гк (за счет обратной связи по току). При этом, чтобы транзистор Т не работал в режиме очень малых токов, приходится включать небольшое сопротивление R3\ в эмиттер транзистора Т\, чтобы повысить потенциал базы Т и тем самым увеличить ток эмиттера этого транзистора. Благодаря введению глубокой обратной связи по току через резистор Яэ эта схема становится малочувстиительной к изменениям напряжения источника питания Е. В отличие от схем на 3.1, в которых ток /к меняется прямо пропорционально Е, в этой схеме ток /к меняется в значительно меньшей степени.

Режим больших качаний, имеющий место при сохранении устойчивости и приводящий к изменениям напряжения и тока, в эксплуатации неприемлем, и, следовательно, в любом случае регулятор с зоной нечувствительности практически не может обеспечить работу генератора при с4 :~ dPEqidft
'пор — t/выхтах ( 4.26) характеризует устойчивость схемы по положительным изменениям напряжения.

t/n
В качестве входного каскада ОУ в большинстве случаев используется ДК с достаточно большим коэффициентом усиления по отношению к разности входных сигналов и сильным ослаблением по отношению к синфазным сигналам. Как всякий балансный каскад, он мало чувствителен к изменениям напряжения источника питания, температуры и другим дестабилизирующим воздействиям. Кроме того, ДК может иметь сравнительно большое входное сопротивление, если в нем применяются полевые, супербета-транзисторы, составные транзисторы или предпринимаются другие меры, способствующие увеличению входного сопротивления. Он является наиболее «ответственным» каскадом ОУ, так как в нем минимизируется напряжение смещения или сдвига, обу-

Резисторы в кремниевых интегральных схемах, получаемые технологией ионного легирования, имеют ряд преимуществ перед диффузионными: широкий диапазон значений удельного поверхностного сопротивления (если у диффузионных резисторов ps не превышает 500 Ом/кВ, то у ионно-легированных оно достигает 20 кОм/кВ, что особенно важно для получения резисторов высоких номиналов— свыше 100 кОм); высокая абсолютная величина допуска, что связано с точным контролем концентрации вводимых легирующих примесей; наименьшее значение ТКС по сравнению с резисторами других классов ( 9-9); линейность вольт-амперных характеристик, что объясняется значительно более низкой поД-вижностью носителей заряда вследствие Отжига при низких температурах и увеличением поверхностного сопротивления без повышения чувствительности к изменениям напряжения пробоя ( 9-10).

поле возбуждения машины. Напряжение Е\ является эталонным напряжением, с которым сравнивается величина е2. Напряжение постоянного тока е% получается в результате выпрямления, фильтрации и т. д. напряжения на нагрузке es, которое требуется поддерживать неизменным. Изменение сопротивления нагрузки Zg вызывает соответствующие изменения напряжений еа и е2. Если величина Ei + e2 оказывается отличной от нуля, то результирующее поле эталонной обмотки и обмотки обратной связи вызывает изменение тока /5, которое приводит к очень большим изменениям напряжения et, а следовательно, и возбуждения генератора, работающего на нагрузку. В результате напряжение на нагрузке е& приводится к своему первоначальному значению. Заметим, что переменные, соответствующие части схемы NI слева от пунктирной линии, являются величинами (напряжениями и токами) переменного тока, за исключением переменных на выходных зажимах четырехполюсника А.

Инерционность МДП-транзистора по отношению к быстрым изменениям напряжения на затворе, приводящая к снижению его усилительных свойств, определяется двумя факторами: перезарядом емкости затвора Сз и перезарядом межэлектродных емкостей.

Отсутствие второго источника являются достоинством схемы с автоматическим смещением. Кроме того, при замене источника смешения цепью автоматического смещения несколько уменьшается чувствительность триггера к изменениям напряжения источника коллекторного питания Ек. Так, например, если Ек возрастает по абсолютной величине, что создает опасвость отпирания закрытого транзистора, то из-за увеличения тока эмиттера насыщенного транзистора /8 „ возрастает и напряжение смещения исы, препятствующее отпиранию.

Эти коэффициенты в общем случае определяются как отношение приращения напряжения или тока на выходе к соответствующим изменениям параметров на входе (см. 9.1). В некоторых случаях при искажении формы усиливаемого сигнала приходится пользоваться отношением амплитудных значений переменного напряжения или тока. В зависимости от технических требований коэффициенты усиления могут изменяться в широких пределах, от единиц до миллионов. Для отдельного каскада или многокаскадного усилителя эти показатели не являются строго постоянными величинами, а зависят в той или иной степени от различных факторов: напряжения источника питания, режима работы, амплитуды и частоты усиливаемого сигнала и г .д.

Схема гиратора, менее чувствительная, чем предыдущая, к изменениям параметров операционных усилителей и RC-компо-нентов, приведена на 67, в.

Численное решение данной задачи позволило при 6ft = 20 %, k = 1,4 улучшить вероятность выполнения условий работоспособности с р (х) = 0,627 до ропт (х) = 1 . Недостатками данного критерия являются большая трудоемкость вычисления вероятности р (х), определяемая с использованием метода статистических испытаний, а также низкая чувствительность функции р (х) к изменениям параметров х в тех областях, где р (х) близка к нулю или к единице.

Допустимые границы изменения параметров критерия годности могут устанавливаться односторонними или двусторонними пределами. Например, для транзисторов обратный ток р-п перехода обычно ограничивается с одной стороны (по максимально допустимому значению), тогда как коэффициент усиления по току может быть ограничен как с одной стороны (максимально допустимое значение), так и с двух сторон (минимальное и максимальное значения). Минимальное и максимальное значения для изменения параметров критерия годности можно устанавливать двумя путями: во-первых, по абсолютным допустимым значениям; .во-вторых, по относительным допустимым изменениям параметров во времени по отношению к на,чальным.

недостатки. Кроме помех от полувозбуждения и связанной с этим чувствительно:тью ЗУ к разбросу параметров сердечников и их ка^ству, а также к изменениям параметров импульсов токов возбуждения и температуры окружающей среды имеются принципиальные ограничения по скорости работы ЗУ.

Одного только понимания рассмотренных явлений июкенеру еще недостаточно; он должен предвидеть протекание процессов и управлять ими. Для этого надо уметь рассчитывать процессы, предсказывая по изменениям параметров системы количественные изменения ее режима; устанавливать, когда и какие воздействия долж-

Если же ток через транзистор при вторичном пробое ограничить, то локальный разогрев может не привести к расплавлению кристалла в тонкой области шнурования тока. В этом случае иногда может существовать относительно стабильное состояние с малым падением напряжения между коллектором и эмиттером. Однако сохранение подобного состояния в течение длительного времени или неоднократные повторения вторичного пробоя обычно приводят к необратимым изменениям параметров транзистора в связи с большой локализацией выделяющейся мощности.

Временные изменения наблюдаются во время воздействия 7-радиации и связаны в основном с появлением избыточной концентрации носителей заряда в объеме полупроводника, что обусловливает, например, рост обратного тока. Обратимым может быть также влияние ионизации газа в объеме баллона транзистора. Однако при этом возможно оседание ионов на поверхность полупроводника, что приводит к длительным изменениям параметров транзисторов.

Следует также обратить внимание на возможность ионизации газа в герметичном корпусе транзистора, что может приводить к изменениям параметров транзисторов.

15.11. Чувствительность характеристик^цепи к изменениям параметров элементов.........-..............577

Сущность метода относительной модуляции состоит в том, что информация источника отображается не абсолютными значениями параметров ЕЭС, а их изменением в /-м ЕЭС по отношению к предшествующему (/—1)-му элементу. Это делает результаты обработки сигналов в приемнике нечувствительными к случайным изменениям параметров сигнала или приемника, если они одинаковы для /-го и (/—1)-го ЕЭС, поступающих в приемник. В частности, при относительной ФМ устраняются эффекты, вы-