Изменений напряжений

о наблюдении изменений магнитной проницаемости и направления оси анизотропии в некоторых магнитных полупроводниках под воздействием света. В халькогенидах европия и некоторых других материалах имеют место повышение точки Кюри и изменение намагниченности с увеличением концентрации носителей заряда.

При линейной зависимости В — f (Я) для магнитной проницаемости получим одно и то же значение как из отношения амплитуд индукции и напряженности \itm = Bm/Hm, так и из отношения их действующих значений щ..^ = 5вф/Я8ф = Вт/Нт. При нелинейной зависимости В = f (Я) эти значения будут разными. При расчетах чаще пользуются значением \ia ,ф для заданных зависимостей В = f (Я) в диапазоне изменений магнитной индукции В.

Явление отставания изменений магнитной индукции от соответствующих изменений напряженности поля называется магнитным гистерезисом.

шения их действующих значений цаэф = Вэф/#эф = Вт/Нт. При нелинейной зависимости В — f(H) эти значения будут разными. При расчетах чаще пользуются значением (1аэф для заданных зависимостей B = f(H) в диапазоне изменений магнитной индукции В.

Если периодически намагничивать ферромагнетик в прямом и обратном направлении (например, изменяя плавно значение и направление тока в обмотке кольцевого сердечника, изготовленного из ферромагнетика), то зависимость В (Я) имеет вид петли гистерезиса ( 7.4, кривая 1-2-3-4-5-1). Явление отставания изменений магнитной индукции В от изменения напряженности поля Я называется магнитным гистерезисом. Если при периодическом намагничивании максимальные значения напряженности поля Ягаах достигают насыщения Яи то получается так называемая максимальная, или предельная, петля гистерезиса (сплошная петля на 7.4). Если же при Ятах насыщение не достигается, т. е. Ятах < Я5, то получаются петли, называемые частными гистерезисными циклами (пунктирные линии на 7.4). Частных циклов может быть сколь угодно много, и все они будут находиться внутри предельной петли гистерезиса. Соединив вершины частных гистерезисных циклов, получают основную кривую намагничивания, которая практически совпадает с кривой первоначального намагничивания (кривая 0-1 на 7.4). Следует отметить, что кривая первоначального намагни-

3. Удельные потери на перемагничивание и их зависимость от наибольших изменений магнитной индукции:

Имеются сообщения о наблюдении изменений магнитной проницаемости и направления оси анизотропии в некоторых магнитных полупроводниках под воздействием света. В халькогенидах европия и некоторых других материалах имеют место повышение точки Кюри и изменение намагниченности с увеличением концентрации носителей заряда.

3.99. Зависимость относительных изменений .магнитной проницаемости и

Гистерезис представляет собой явление отставания изменений магнитной индукции В от изменений напряженности поля Н. Он обусловлен как бы внутренним трением областей самопроизвольного намагничивания.

3. Удельные потери на перемагничивание и их зависимость от наибольших изменений магнитной индукции:

Магнитный гистерезис - это явление отставания изменений магнитной индукции от изменения напряженности магнитного поля.

Приближенную оценку величин ай,""обратимых]; ДВоа//}20 и необратимых Двн8./?2, изменений магнитной индукции для любой рабочей точки магнитов из сплавов типа альнико, можно получить, если известны температурные зависимости остаточной магнитной индукции (ДВгв./Д-20) и коэрцитивной силы (ДЯсЭ,/Яс2о) материала.

Номинальные значения емкостей диффузионных конденсаторов лежат в пределах от 3—5 до 4000—5000 пФ. Конденсаторы с номинальными значениями емкостей до нескольких тысяч пикофарад, реализуемые на основе p-n-переходов, изготовляют с помощью специальных режимов диффузии, в результате чего получаются короткозамкнутые транзисторные структуры, занимающие большую площадь подложки. Важнейший недостаток конденсаторов полупроводниковых ИМС, выполняемых на обратно смещенных р-п-переходах, — зависимость их емкости от изменений напряжений на переходе. Эта зависимость может привести к значительной модуляции емкости, уменьшить которую можно только путем такого обратного смещения перехода, которое намного превышало бы амплитуду напряжения сигнала, поступающего на конденсатор. Однако увеличение обратного напряжения уменьшает номинальное значение емкости конденса-

Величины, характеризующие в статическом режиме влияние изменений напряжений на одном или двух электродах лампы на изменение тока в цепи какого-либо электрода, при неизменных значениях напряжений на остальных электродах, называются статическими параметрами. Зависимость тока в цепи какого-либо электрода от напряжения на электроде в статическом режиме называется статической характеристикой.

Из равенства изменений напряжений » точках 1 и 2 за полпериода

Для элементов МЭСЛ характерен малый логический перепад U n --— 0,3... 0, 5 В. Средний порог переключения получают из условия ^пор — — U он = — 0,5?/л- Опорное напряжение задают от специальной схемы, размещаемой на том же кристалле и используемой для многих ЛЭ. В этой схеме предусматривают компенсацию изменений напряжений эмиттер — база входных и опорного транзисторов.

Полупроводниковый постоянный резистор с линейной вольт-амперной характеристикой имеет такое же условное графическое обозначение, как постоянный резистор, сделанный из высокоомного металла или углеродистого вещества. Удельное сопротивление материалов, из которых изготавливаются постоянные резисторы, мало зависит от напряжения и плотности электрического тока. Поэтому сопротивление постоянного резистора практически постоянно в широком диапазоне изменений напряжений и токов. Постоянные полупроводниковые резисторы нашли распространение в интеграль ных микросхемах в качестве пассивных элементов.

Усилитель 153УД4 также способен работать в широком диапазоне изменений напряжений источников питания. При Еи„ = + 6 В потребляемый ток составляет 0,7 мА.

ное сопротивление R = — . Если частоту изменений напряжений щ и ич обозначить /, С*

Часто при анализе электрических цепей постоянного тока приходится иметь дело со сложными разветвленными цепями. Если такие цепи состоят из соединения линейных пассивных элементов, то анализ значительно упрощается, если в схемах цепей провести определенные эквивалентные преобразования. Метод эквивалентного преобразования схем заключается в том, что сложные участки цепи заменяются более простыми, им эквивалентными. Преобразование будет эквивалентным, если оно не оказывает влияния на режим остальной, не затронутой преобразованием части цепи, т. е. если оно не вызывает в оставшейся части цепи изменений напряжений и токов. Примером такого преобразования может служить замена параллельного или смешанного соединения элементов одной ветвью с эквивалентным сопротивлением. Рассмотрим методы эквивалентных преобразований схем электрических цепей.

варистора, как было отмечено, должна соответствовать уравнениям (11.5) и (11.6). Если же варистор работает в узком диапазоне изменений напряжений и токов, то коэффициент нелинейности в этом диапазоне можно считать постоянным:

Таким образом, любой четырехполюсник (см. 3.6,а) можно характеризовать параметрами /?,-вх, 50бр, Ri и S, величина которых неизменна для малых изменений напряжений на входе и выходе-в рабочей области.

Если схема переведена во второе устойчивое состояние равновесия, то оно также будет продолжаться сколь угодно долго до следующего пускового сигнала, который переведет схему в исходное состояние равновесия. Таким образом, в схеме с двумя устойчивыми состояниями равновесия генерация в виде прямых и обратных скачкообразных изменений напряжений и токов вызывается внешними пусковыми сигналами, которые могут следовать непериодически или периодически. После включения питания такая схема может либо равновероятно оказаться в том или ином состоянии равновесия (состояния равноправны), либо состояние равновесия схемы будет всегда вполне определенным (состояния неравноправны).