Изготовлении фотошаблонов

Свариваемость материалов. В радиоэлектронике при изготовлении элементов конструкций применяют многочисленные черные и цветные металлы, каждый из которых характеризуется определенной способностью к сварке. Свариваемость — это свойство материала в однородной или разнородной системе под воздействием активирующей энергии обеспечивать надежное сварное соединение.

Многие технологические процессы, объединяемые сейчас названием «толстопленочная технология», продолжительное время использовались для нанесения металлизации на керамику при изготовлении катушек индуктивности, керамических конденсаторов и других высококачественных радиоэлементов. Толстопленочная технология широко применялась также при изготовлении элементов микромодулей, в частности микромодулей этажерочной конструкции. Здесь находили применение процессы нанесения пленок вжиганием из паст проводящих, резистивных и диэлектрических слоев.

Наибольшее распространение получил способ изоляции с помощью обрат-носмещенных переходов. Как видно из упрощенного 5.2,а, при изготовлении элементов таким способом в процессе локальной диффузии атомы донор-ной примеси "растекаются" не только в глубину подложки или кристалла р-типа, но и по боковым направлениям. Кроме того, для облегчения работы

поверхности двуокиси кремния. В этих окнах смесью фтористого аммония и плавиковой кислоты двуокись кремния стравливается и тем самым селективно открывается поверхность полупроводниковой подложки. Таким образом обеспечиваются условия для использования процессов диффузии и эпитаксии при изготовлении элементов ИС.

§ 24. СВОЙСТВА КОМПОНЕНТОВ ЭЛЕКТРОЛИТА И МАТЕРИАЛОВ, ПРИМЕНЯЕМЫХ ПРИ ИЗГОТОВЛЕНИИ ЭЛЕМЕНТОВ И БАТАРЕЙ

Сборка элементов и секций батарей «Рубин-1» мало отличается от сборки батарей «Крона-ВЦ». На 163 схематично показаны сборочные операции для батареи «Рубин-1». Основные различия в сборке заключаются в изготовлении элементов. В по-ливинилхлоридные корпуса 5 с пастирован-ным цинком 4 вставляют пастовые диафрагмы 6 и положительные электроды 8. На верхние кромки положительного электрода каждого элемента надевают второй корпус с пастировакным цинком и настовой диафрагмой. Токоотводы двух отрицательных электродов одного элемента располагаются сверху и снизу элемента. Токоотвод положительного электрода проходит через середину элемента.

изготовлении элементов и батарей .................. GH

Технология ионной имплантации при изготовлении:; элементов ИМС имеет большие возможности. Ее основными преимуществами являются следующие.

Основной недостаток толстопленочных элементов — низкая точность номинального значения (15—20 %). Поэтому при изготовлении элементов, особенно резисторов, необходима их подгонка к номинальному значению. g

При изготовлении элементов ИМС часто используют высоколегированные области исходных подложек. Например, эмиттерные области эпитаксиально-планарных транзисторов /г-р-п-типа, а также области истока и стока МДП-транзистора формируют при поверхностной концентрации диффундирующего фосфора около ^I.S-IO21 см™3; Процесс диффузии фосфора при такой высокой поверхностной концентрации характеризуется рядом особенностей, которые необходимо учитывать при расчете и проектировании элементов ИМС.

Предложенный способ построения .примесного профиля основан на обобщении многочисленных экспериментальных данных, причем действительный примесный профиль можно с высокой степенью точности характеризовать двумя областями, которым соответствуют различные значения поверхностных концентраций. Введение фиктивной поверхностной концентрации позволяет аппроксимировать участки профиля функциями дополнительного интеграла ошибок. Рассмотренная модель дает возможность учитывать зависимость коэффициента диффузии от концентрации примеои не только для фосфора, но и для других атомов примеси, IB частности бора, который, так же, как и фосфор, относится к важнейшим примесям, используемым при изготовлении элементов ИМС.

Если при изготовлении фотошаблонов используется обычный чертеж ПП, то он с помощью координатоскопа (Минск-2009) кодируется на перфоленту.

При использовании тонкопленочной технологии для изготовления коммутационных плат с высокой разрешающей способностью предъявляются высокие требования к качеству фотошаблонов (точность совмещения слоев на поле 150 мм составляет ±5 мкм, точность выполнения линий ± 1 мкм). При тиражировании фотошаблонов удобно использовать управляемые ЭВМ координатографы (графопостроители) и фотонаборные установки. На этапе опытного-производства при составлении ограниченного числа описаний топологии невысокой сложности при объеме информации до 42 тыс. точек целесообразно применение полуавтоматической системы изготовления фотошаблонов: разработка топологии и кодирование информации вручную, обработка информации, изготовление фотошаблонов и чертежей с помощью ЭВМ. Используемое оборудование — ЭВМ типа 1020 или 1033, графопостроитель ЭМ-712, координатосъем-щик ЭМ-709, координатографы типа ЭМ-703 или КПА — обеспечивает объем работы по оснащению производства необходимыми инструментом и документацией. Система технического обеспечения в настоящее время достаточна гибка, например она позволяет отказаться от координатографов при изготовлении фотошаблонов и использовать более высокопроизводительные фотомонтажные (типа М-2005 или ЭМ-538) и микрофотонаборные (типа ЭМ-549 или ЭМ-559) установки.

• Ошибка, вносимая в процессе фотолитографии, обусловлена неточностями, возникающими при изготовлении фотошаблонов, размерными ошибками проявленного изображения, связанными с режимом экспонирования, размерными ошибками, возникающими при травлении оксида кремния, неточностями совмещения фотошаблонов с подложкой.

щает изображение защитного рельефа е изображением на фотошаблоне. Для совмещения используются специальные отметки, предусмотренные при изготовлении фотошаблонов.

При изготовлении фотошаблонов прибегают « процессу избирательного травления хрома. Рекомендуемым травителем является 50%-ный раствор соляной кислоты. Процесс протекает в две стадии:

Краткие сведения об изготовлении фотошаблонов. Изготовление комплекта фотошаблонов — это наиболее сложный этап подготовки производства полупроводниковых ИС. Высокая точность элементов рисунка и относи-

стве. Эффективнее эти процессы при изготовлении фотошаблонов. На каком этапе производства фотошаблонов следует применять электронолитографию — зависит от практически достигнутой точности. Известно, например, что электронно-лучевое экспонирование было успешно применено для изготовления фотооригинала в масштабе 10 : 1 с точностью ±0,004 мм. С совершенствованием процесса (повышением разрешающей способности) станет возможным изготовление фотошаблонов сразу в натуральном масштабе.

( 25, а). Для совмещения используют специальные отметки, нанесенные при изготовлении фотошаблонов.

Оборудование для изготовления фотошаблонов. Фотошаблон представляет собой^высокоточный фотографический негатив или позитив, содержащий набор повторяющихся изображений, образующих топологию одного из слоев структуры ИМС. Для проведения процесса фотолитографии при изготовлении ИМС необходим комплект фотошаблонов. При изготовлении фотошаблонов выполняют следующие операции: изготовление оригинала, репродукция оригинала, мультипликация, изготовление копий.

При изготовлении фотошаблонов прибегают « процессу избирательного травления хрома. Рекомендуемым травителем является 50%-ный раствор соляной кислоты. Процесс протекает в две стадии:

Краткие сведения об изготовлении фотошаблонов. Изготовление комплекта фотошаблонов — это наиболее сложный этап подготовки производства полупроводниковых ИС. Высокая точность элементов рисунка и относи-