Изготовления резисторов

Процесс прессования является одной из важнейших операций изготовления различных видов МПП, которая обеспечивает качество изделий. Монолитность структуры и точность ее элементов обеспечиваются качеством прокладочной стеклоткани, тщательностью подготовки слоев, совершенством технологической оснастки и строгим поддержанием режимов прессования.

Конструктивное исполнение всех микросхем серии однотипно. Все они выполняются в однотипном корпусе, расположение одноименных внешних выводов и соответствующих им контактных площадок на подложке обычно совпадает. Совпадают также значения напряжений источников питания и т. д. Технология изготовления различных микросхем одной и той же серий едина. Наиболее распространенные сейчас планарно-эпитаксиальная технология, при которой все элементы микросхемы формируются в эпитаксиальномслое кремния на поверхности подложки, метод прямой диффузии или технологический - процесс формирования МДП-структур и т. д.

Изложены основы физики полупроводников, принцип работы и технологические особенности изготовления различных полупроводниковых приборов.

Процесс изготовления различных изделий существенно отличается по характеру стадий и его организации в зависимости от вида изделий, организации производства (автоматическое, поточное, конвейерно-ручное или смешанное), оснащения предприятия оборудованием, исторически сложившимися иными условиями. Схема основных стадий процесса изготовления представлена на 3.5.

Базовые элементы на МДП-транзисторах одного типа электропроводности. Одной из особенностей схемотехники ИМС является то, что технологическая совместимость является важнейшим критерием выбора элементов для реализации той или иной схемы инвертора из приведенных в табл. 1.1. Под технологической совместимостью понимают возможность изготовления различных схемных элементов в едином технологическом процессе. Предпочтение отдается схемам, содержащим однотипные элементы. Примерами таких схем могут служить инверторы на полевых транзисторах (позиции 2.4, 3.3, 4.5). Наилучшей технологичностью и универсальностью обладают инверторы, в которых нагрузочным и переключательным элементами являются МОП-

Латунь применяют в электротехнике для изготовления различных токопроводящих деталей.

Кремний применяют для изготовления различных диодов и транзисторов, тиристоров, стабилитронов, фотодиодов, датчиков Холла, тензометров и других полупроводниковых приборов, а также интегральных схем.

мещена катушка с обмотками. Часто для изготовления различных по назначению трансформаторов используют совершенно одинаковые материалы.

На втором этапе расчета ИМС определяют параметры активных и пассивных компонентов и производят выбор физической структуры. Важнейшее условие, предъявляемое к этому этапу, заключается в обеспечении необходимой простоты технологических способов изготовления ИМС. Для этого следует провести статистический анализ технологии изготовления различных вариантов ИМС. Технологичность ИМС при заданных ее электрических параметрах, установленных на предыдущем этапе расчета, определяется следующими основными факторами:

Разработанные для этих целей комплекты рабочих программ позволяют успешно решать задачу оперативного проектирования и изготовления различных типов БИС.

Применение ИМС данного класса позволяет не только уменьшить габариты и упростить процесс изготовления различных радиоприемных устройств, но также повысить их функциональную насыщенность и надежность работы.

Позистор имеет положительный температурный коэффициент сопротивления. Материалом для изготовления резисторов служит ' титанат-бариевая керамика с примесью редкоземельных элементов. Этот материал обладает аномальной температурной зависимостью:

Рекомендации по применению методов изготовления тонкопленочных ГИС. Масочный метод применяют при мелкосерийном и серийном производстве. Точность изготовления R- и С-элементов ±10 %. Фотолитографический метод используют в массовом производстве. Достижимая точность изготовления резисторов + 1%. Комбинированный масочный и фотолитографический методы применяют при серийном и массовом производстве. Максимальная разрешающая способность при изготовлении пленочных элементов 50 мкм, точность изготовления R- и С-элементов ±1 и ±10 % соот-

ветственно. Максимальная точность изготовления резисторов (при подгонке) ± 1 %, конденсаторов ± 5%.

Тонкие пленки (до 1 мкм) получают путем вакуумного или ионно-плаз-менного напыления металлов или сплавов с высоким удельным сопротивлением. Для изготовления резисторов используют нихром, тантал, проводящие пленки и пасты, металлокерамические сплавы и т.д. В зависимости от требуемого номинала (от 10 Ом до 1 МОм) подбирают материал с соответствующим удельным сопротивлением с тем, чтобы удобно расположить полоски различной длины и конфигурации. Выводные концы резистивного элемента соеди-

§ 3.6. Принцип изготовления резисторов и конденсаторов на основе п-^-переходов

§ 3.6. Принцип изготовления резисторов и конденсаторов на основе

К моменту изобретения ИМС из полупроводниковых материалов умели изготовлять дискретные транзисторы, диоды, конденсаторы и резисторы. Для изготовления конденсаторов можно было использова!ь емкость обратно смещенного перехода, а для изготовления резисторов — омические свойства тела полупроводника. Объединение этих элементов в рамках одного устройства выглядело вполне естественным.

Проводниковые материалы находят применение в качестве проводов и жил кабелей, термоэлементов, припоев, предохранителей, нагревателей, для изготовления резисторов.

Пленочные резисторы. Для изготовления резисторов применяют большое количество типов тонких и толстых пленок. Удельное сопротивление этих пленок, как и для диффузионных резисторов, характеризуют значением сопротивления слоя Ксл, Ом/П.

Чтобы получить малое значение ур, сопротивление слоя Ксл для тонкопленочных резисторов контролируют в процессе напыления. Для этого в камеру дополнительно устанавливают специальную подложку — «свидетель», контактные площадки которой соединены с омметром. В процессе изготовления резисторов контролируют сопротивление «свидетеля» и прекращают напыление, когда сопротивление достигнет требуемого значения.

Как видно из таблицы, наибольшей диэлектрической проницаемостью обладает пятиокись тантала, которую получают анодировайием пленки тантала, нанесенной на диэлектрическую подложку. При этом пленка тантала с образованным на ее поверхности окислом выполняет роль и нижней обкладки, и диэлектрика. Как было показано, тантал пригоден для выполнения пленочных резисторов. При использовании тантала для изготовления резисторов и конденсаторов резистор и нижнюю обкладку конденсатора получают за одну операцию.