Изготовления различают

Постоянные и переменные проволочные резисторы общего назначения, шунтирующие и добавочные резисторы к электроизмерительным приборам и нагревательные приборы изготовляются обычно из различных сплавов, одной из отличительных особенностей которых являются их относительно большие удельные сопротивления. Основным сплавом для шунтирующих и добавочных резисторов является манганин, состоящий из меди, марганца и никеля. Манганин обладает очень малым температурным коэффициентом сопротивления, что необходимо для уменьшения влияния температуры на точность^ измерений. Константан, состоящий из меди и никеля, используется для изготовления постоянных и переменных резисторов и нагревательных приборов с рабочей температурой до 400-450 °С. Для нагревательных приборов с рабочей температурой до 1000—1500°С используются хромоникелевые, железохромоалюминиевые сплавы (нихромы и фехрали).

К магнитно-твердым материалам относятся сплавы железа с алюминием, хромом и вольфрамом, содержащие различные присадки. Магнитно-твердые материалы (кривая 3 на 6.7,6) характеризуются относительно большими значениями Вг и Нс и применяются для изготовления постоянных магнитов.

Магнитно-твердые материалы используются для изготовления постоянных магнитов, а магнитно-мягкие - для изготовления магнито-проводов электротехнических устройств, работающих в режиме перемагничивания по предельному или частым циклам.

Магнитотвердые материалы применяют: 1) для изготовления постоянных магнитов; 2) для записи информации (например, для звукозаписи).

§ 3.4. Технология изготовления постоянных магнитов

7. Каковы основные этапы пропитки, обволакивания, заливки и герметизации намоточных изделий и сборочных единиц, разновидности технологических процессов и применяемых материалов? 8. Какие материалы применяют для изготовления постоянных магнитов и магнитопроводов; каковы особенности технологии и используемого оборудования? 9. Какие материалы используют в производстве печатных плат? 10. Какие существуют методы изготовления печатных плат и в чем заключается их сущность? 11. Каковы методы и особенности изготовления многослойных печатных плат?

§ 3.4. Технология изготовления постоянных магнитов...... 118

Магнитнотвердые материалы намагничиваются с трудом, но намагниченные надолго сохраняют намагниченность. Они имеют относительно большие величины остаточной магнитной индукции (0,2—2,25 Тл) и коэрцитивной силы (20 000—60 000 А/м), широкую петлю магнитного гистерезиса (3.12, в), поэтому их применяют для изготовления постоянных магнитов.

Материалы с большой коэрцитивной силой называют магнитотвер-дыми. Их применяют для изготовления постоянных магнитов (табл. 7.3). На 7.3 представлены кривые В(Н) и w(B) некоторых магнито-твердых материалов, где 1 - ЮНДК25БА, 2 - ЮНДК15, 3 - ЮНД4.

Магнитно-твердые материалы используются для изготовления постоянных магнитов, а магнитно-мягкие - для изготовления магнито-проводов электротехнических устройств, работающих в режиме перемагничивания по предельному или частым циклам.

Магнитно-твердые материалы используются для изготовления постоянных магнитов, а магнитно-мягкие — для изготовления магнито-проводов электротехнических устройств, работающих в режиме перемагничивания по предельному или частым циклам.

По способу изготовления различают сплавные диоды, диоды с диффузионной базой и точечные диоды. В диодах двух первых типов переход получается методами спавления пластин р- и и-типов или диффузии в исходную полупроводниковую пластину примесных атомов. При этом р-п переход создается на значительной площади (до 1000 мм2). В точечных диодах площадь перехода меньше 0,1 мм2. Они применяются главным образом в аппаратуре сверхвысоких частот при значении прямого тока 10—20 мА.

По технологии изготовления различают полупроводниковые и гибридные интегральные микросхемы.

По способу изготовления различают сплавные диоды, диоды с диффузионной базой и точечные диоды. В диодах двух первых типов переход получается методами спавления пластин р- и «-типов или диффузии в исходную полупроводниковую пластину примесных атомов. При этом р-п переход создается на значительной площади (до 1000 мм2). В точечных диодах площадь перехода меньше 0,1 мм2. Они применяются главным образом в аппаратуре сверхвысоких частот при значении прямого тока 10—20 мА.

По способу изготовления различают сплавные диоды, диоды с диффузионной базой и точечные диоды. В диодах двух первых типов переход получается методами спавления пластин р- и л-типов или диффузии в исходную полупроводниковую пластину примесных атомов. При этом р-п переход создается на значительной площади (до 1000мм2). В точечных диодах площадь перехода меньше 0,1 мм2. Они применяются главным образом в аппаратуре сверхвысоких частот при значении прямого тока 10—20 мА.

По технологии изготовления различают сплавные транзисторы, электронно-дырочные переходы которых изготовляют путем вплавления (как у сплавных диодов), диффузионные транзисторы, у которых электронно-дырочные переходы получают путем диффузии в вакууме (аналогично диффузионным диодам), выращенные транзисторы, у которых электронно-дырочные переходы получают путем введения примесей в процессе выращивания кристалла, мезатранзис-торы и планарные транзисторы.

p-n-Переходы изготовляют введением небольшого количества примеси в тонкий поверхностный слой полупроводника. По способу изготовления различают сплавные и диффузионные р-п-переходы.

По технологии изготовления различают полупроводниковые, пленочные и гибридные И С. В полупроводниковой ИС все элементы и межэлементные соединения выполнены в объеме и на поверхности полупроводника. В пленочной ИС все элементы и межэлементные соединения выполнены в виде проводящих, диэлектрических и резистивных пленок (слоев) на подложке. Вариантами пленочных ИС являются тонкопленочные с толщиной пленок до 1 мкм и толстопленочные с толщиной пленок свыше 1 мкм — до десятков микрометров. Гибридные ИС кроме элементов содержат компоненты. Частным случаем гибридной ИС является многокристальная И С, содержащая в качестве компонентов несколько бескорпусных полупроводниковых ИС на одной подложке. Наиболее распространены полупроводниковые и гибридные ИС.

В зависимости от технологии изготовления различают полупроводниковые, пленочные и гибридные ИС. В полупроводниковой ИС все элементы и межэлементные соединения выполнены в объеме и на поверхности полупроводниковой подложки. В пленочной ИС все элементы и межэлементные соединения выполнены только в виде пленок проводящих и диэлектрических материалов на поверхности диэлектрической подложки. Различают две разновидности пленочных ИС: тонкопленочные, если используются пленки толщиной менее 1 мкм; толстопленочные, если используются пленки толщиной более 1 мкм. В гибридных ИС, кроме элементов, содержатся простые и сложные бескорпусные компоненты (например, кристаллы полупроводниковых ИС), расположенные на поверхности диэлектрической подложки.

устройства с большой степенью интеграции (БИС). На таких микросхемах построены, например, карманные инженерные калькуляторы с широкими возможностями вычислений на основе программ, заложенных в память калькуляторов. Непрерывное совершенствование технологии и схемотехники больших интегральных микросхем обусловило создание и развитие из наиболее универсальных БИС — микропроцессоров. По технологии изготовления различают полупроводниковые, гибридные, совмещенные и пленочные ИС.

Степень приближения действительных значений, формируемых при изготовлении детали параметров к их заданному значению, называется точностью изготовления. Различают точность отдельно взятой детали и точность изготовленной партии деталей. Точность отдельной детали оценивают отклонениями параметров непосредственно по результатам измерений. При измерении параметров партии деталей одни и те же параметры разных деталей отличаются своими значениями. Такое наблюдаемое различие формируемых параметров называют рассеянием или разбросом. Точность изготовления при наличии рассеяния контролируемых величин (параметров) можно оценить лишь с помощью вероятностных статистических характеристик, основные из которых следующие: среднее арифметическое значение параметра, диапазон рассеяния, характеристики рассеяния значений параметров внутри диапазона и др.

По конструкции и методу изготовления различают следующие типы электролитических конденсаторов: жидкостные, сухие и твердые. Устройство основных элементов различных типов электролитических конденсаторов показано на 2.23.

В зависимости от технологии изготовления различают полупроводниковые, пленочные и гибридные ИС. В полупроводниковой ИС все элементы и межэлементные соединения выполнены в объеме и на поверхности полупроводниковой подложки. В пленочной ИС все элементы и межэлементные соединения выполнены только в виде пленок проводящих и диэлектрических материалов на поверхности диэлектрической подложки. Различают две разновидности пленочных ИС: тонкопленочные, если используются пленки толщиной менее 1 мкм; толстопленочные, если используются пленки толщиной более 1 мкм. В гибридных ИС, кроме элементов, содержатся простые и сложные бескорпусные компоненты (например, кристаллы полупроводниковых ИС), расположенные на поверхности диэлектрической подложки.