Изготовления интегральных

Основные технологические этапы изготовления гибридных микросхем. Гибридные интегральные микросхемы (ГИС) представляют сочетания пленочных пассивных элементов и навесных активных и пассивных компонентов. Резисторы, конденсаторы, контактные площадки и внутрисхемные соединения в ГИС изготовляют либо последовательным напылением на подложку различных материалов в вакууме (тонкопленочная технология), либо нанесением со-" ответствующих материалов

1. Как классифицируются интегральные микросхемы пс конструктивно-технологическому исполнению? 2. Из каких этапов состоит процесс изготовления гибридных интегральных схем? 3. Каковы разновидности методов изготовления тонкопленочных гибридных интегральных схем и их особенности? 4. Каковы особенности технологии изготовления толстопленочных гибрздных интегральных схем? 5. Какова последовательность операций сборки и герметизации интегральных схем, в чем их основное содержание? 6. Какие существуют разновидности больших интегральных схем, особенности их изготовления и использования в электронных измерительных приборах? 7. Каковы перепек- -ивные направления развития микроэлектроники, используемые при изготовление электронных измерительных приборов?

§ 3.4. ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГИБРИДНЫХ ИМС

§ 3.4. Технология изготовления гибридных ИМС...... 75

Данные технического задания позволяют сформулировать требования к технологическому процессу и обоснованно выбрать из всех существующих типовых технологических процессов изготовления гибридных ИМС наиболее приемлемый. В случае, когда существующие технологические процессы не позволяют реализовать разрабатываемую гибридную ИМС в соответствии с техническими требованиями, выбирают метод формирования структуры пассивной части гибридной ИМС, а затем разрабатывают новый технологический процесс.

Однако интегрально-групповая технология изготовления пассивной части гибридных ИМС выдвигает в число основных и другие факторы, определяющие рациональную сложность ИМС. Так, использование для изготовления гибридных ИМС подложек и корпусов различных размеров и совершенствование технологии в целях получения пленочных элементов с минимальными размерами позволяют реализовать на одной плате несколько однотипных схем (две, четыре и более) или одну схему повышенной функциональной сложности. Это, с одной стороны, приводит к созданию ИМС повышенной степени интеграции при одновре-

Какие пленки применяют для изготовления гибридных микросхем? Диэлектрические 66

Изготовление полосковых линий передач ведется по технологии изготовления гибридных микросхем СВЧ диапазона, которая предусматривает выполнение этапов: изготовление групповых диэлектрических подложек, вакуумное напыление промежуточного и проводящего слоев на поверхности подложек, фотолитографическая обработка проводящих слоев для получения заданных размеров и формы проводников, нанесение

Для изготовления гибридных ИМС на толстых пленках обычно используют метод сектографии, который заключается в нанесении вязкой пасты через сетчатый трафарет на поверхность подложки с последующей термообработкой рисунка. Материалами для проводников, резисторов, диэлектриков и изоляторов служат специально приготовленные пасты. Пасты наносят через шаблон, представляющий собой металлическую сетку, покрытую эмульсией (трафарет). После нанесения рисунка на керамическую подложку и высушивания производят обжиг в печи при температурах от 500 до 1200 °С. При этом происходит выгорание органической связки и образование стеклянной фритты. Оборудование для печатания и обжига является весьма простым.

Настоящая книга состоит из пяти частей. В первой части кратко рассматриваются основные методы описания и анализа технологических процессов в производстве интегральных схем. Во второй части приводятся физико-химические основы типовых технологических процессов. В третьей и четвертой частях — основные технологические процессы изготовления гибридных и полупроводниковых интегральных микросхем. В пятой

Классифицировать подложки можно как по способу их использования, так и по структурным признакам-(аморфные, поликристаллические и монокристаллические) . Для изготовления гибридных ИМС можно использовать аморфные поликристаллические и монокристаллические, а для полупроводниковых ИМС только монокристаллические подложки.

Функциональное назначение, конструкции, технология изготовления интегральных микросхем, как и принципы построения аппаратуры на микросхемах, непрерывно изменяются. Возможности интегральной микроэлектроники в настоящее время далеко не исчерпаны, поэтому в ближайшем будущем следует ожидать дальнейшего бурного ее развития и на этой основе дальнейшего прогресса в области конструирования РЭА. Внедрение микросхем не только изменяет элементную базу, но и в большинстве случаев требует радикального изменения принципов построения аппаратуры.

§ 7.1. Технология изготовления интегральных схем

§ 7.1. Технология изготовления интегральных схом....... 242

§ 2.2. Технология изготовления интегральных микросхем

§ 2.2. Технология изготовления интегральных микросхем

§ 2.2. Технология изготовления интегральных микросхем....... 44

длин волн оптического диапазона и не воспринимается глазом, на инжекционные излучатели распространяется термин «светодиоды». Светодиоды обладают высокой эффективностью излучения, достигающей 30%, и значительной долговечностью, превышающей 10 000 ч. Практически решена проблема изготовления интегральных матриц с высоким разрешением и тем самым обеспечена возможность микроминиатюризации передающего блока.

Транзисторы. Основные этапы изготовления интегральных биполярных транзисторов типа п-р-п методом планарно.-диффузионной технологии показаны на 3.2. При этом за основу берут однородную подлож-

Технология изготовления интегральных МДП-транзи-сторов не отличается от рассмотренной, однако количество операций сокращается в 3—3,4 раза, а занимаемая транзистором площадь уменьшается в 20—25 раз.

Дальнейшее усовершенствование технологии изготовления интегральных структур позволило в ОУ второго поколения ( 4.34, б) функции первого и второго каскадов совместить в одном каскаде усиления (ДУ). Промышленная реализация двухкаскад-ных ОУ стала возможной после разработки интегральных транзисторов типа р-п-р с удовлетворительными малосигнальными параметрами и частотными свойствами, что позволило внедрить в схемотехнику сложные дифференциальные каскады, обладающие повышенным коэффициентом усиления. При этом общее усиление двухкаскадных ОУ сохраняется на прежнем уровне.

Недостатки, связанные с применением таких конденсаторов, в значительной степени можно устранить, если воспользоваться другим способом формирования конденсатора, в частности МДП-конденсатора на основе слоя двуокиси кремния. Эти конденсаторы отличаются лучшими электрическими характеристиками и находят применение в широком классе перспективных полупроводниковых ИМС, в том числе в линейных полупроводниковых ИМС. Процесс изготовления интегральных МДП-кон-денсаторов не требует дополнительных технологических операций, так как получение оксида, используемого в качестве диэлектрика, можно легко совместить с одной из операций локальной диффузии. Структура и эквивалентная схема МДП-конденсатора показаны на 2.40, а, б.