Характеристики аналогичны

Прочностные характеристики алюминиевых проводов

Таблица 7.7. Основные характеристики алюминиевых полых профилей с каналом квадратного сечения

Примечание. Источник — ГОСТ 15176-84. Таблица 7.8. Основные характеристики алюминиевых круглых труб

Таблица 7.33. Основные параметры и характеристики алюминиевых проводов

10-15. Частотные характеристики алюминиевых шин прямоугольного сечения.

10-16. Частотные характеристики алюминиевых шин прямоугольного сечения.

Ю-17. Частотные характеристики медных и алюминиевых шин прямоугольного сечения.

На 10-15—10-17 приведены частотные характеристики алюминиевых и медных шин прямоугольного сечения при расположении шин в одной плоскости широкой ( 10-15 и 10-16) и узкой ( 10-17) стороной друг к другу.

На 10.16—10.18 приведены частотные характеристики алюминиевых и медных шин прямоугольного сечения при расположении шин в одной плоскости широкой ( 10.16 и 10.17) и узкой ( 10.18) стороны друг к другу. Зоны усиления колебаний и резонанса переменного тока частотой 50 Гц определены приближенно в пределах +10 % критических значений: /с = 50 Гц и /с = 2• 50 = 100 Гц.

10.16. Частотные характеристики алюминиевых шин прямоугольного сечения при расположении их в одной плоскости широкой стороной друг к другу

Таблица П1. Характеристики алюминиевых и сталеалюминиевых проводов

При освещении tt-базы в ней генерируются пары электрон — дырка. Для рассматриваемого типа базы неосновными носителями являются дырки, которые диффундируют к коллекторному переходу и переходят в коллекторную область. Это вызывает увеличение обратного тока коллектора. При постоянном напряжении эмиттер — база работа фототранзистора и его характеристики аналогичны характеристикам обычного диода. Переход дырок в коллектор приводит к накоплению в базе нескомпенсированного отрицательного объемного заряда, а следовательно, и уменьшению потенциального барьера эмиттерного перехода и увеличению тока /к. Это явление эквивалентно усилению интегральной чувствительности фототранзистора. Фототранзистор можно включать в измерительные схемы как обычный транзистор по схеме с ОЭ, ОБ и ОК.

Режим фотопреобразователя соответствует подаче напряжения на фотодиод в запирающем направлении ( 8.5, б). Вольт-амперные характеристики фотодиода в этом режиме при разных значениях световых потоков показаны в III квадранте 8.5, а и соответственно этому квадранту на 8.5, в. Как видно, эти характеристики аналогичны коллекторным (выходным) характеристикам биполярного транзистора, включенного по схеме с ОБ (см. 5.7, б), только параметром является не ток эмиттера, а световой поток фотодиода. При наличии нагрузочного резистора RH, включенного последовательно с источником ЭДС (см. 8.5, б), ток I и напряжение ?/Вых можно определить, построив нагрузочную прямую, соответствующую сопротивлению резистора RH (см. 8.5, в). Как видно из построения, ток мало зависит от приложенного напряжения.

Для ГЭС — ГАЭС в каскаде при суточном заряде возможно, что 2Вб и zH6 будут изменяться незначительно. Например, для обратимых агрегатов, которые могут быть установлены на каскадах ГЭС длительного регулирования (Волжско-Камский, Днепровский и др.). В этом случае для режима разряда ГАЭС напорные характеристики аналогичны обычнвш ГЭС. Для насосного режима при zB6=const и zH6=c'onst значения напора Ян можно представить зависящими от фгаэс на основе следующего выражения:

Спектральные характеристики аналогичны подобным характеристикам фотодиодов (см. 14-14, в).

Характеристики аналогичны характеристикам транзистора с управляющим переходом металл—полупроводник и МДП-транзисторов с встроенным каналом ( 5.6, 5.7, 5.19 и 5.20). Они могут быть аппроксимированы формулами (5.6), ,(5.7), (5.9), в которых удельная крутизна определяется по (5.20). Длина канала транзистора с управляющим p-n-переходом значительно больше, чем у транзистора с управляющим переходом металл—полупроводник. Поэтому напряженность продольного электрического поля в канале у них значительно меньше и падения подвижности с ростом напряжения на стоке не наблюдается.

Редукционная камера ЭМ-503А показана на 46. Она имеет экран 2, объектив и кассету с фотопластинами. Эти узлы и вспомогательные элементы смонтированы на литой станине 4 с амортизаторами 3 и 5. Экран 2 предназначен для закрепления оригиналов. За экраном находится система освещения для создания определенной равномерной освещенности. Съемка производится в проходящем свете. Экран может перемещаться по направляющим станины и фиксироваться в необходимом положении. Редукционная камера ЭМ-503А имеет набор высокоразрешающих объективов, позволяющих производить уменьшение в 20, 30, 100 раз. Время экспозиции можно устанавливать в пределах от 1 до 999 с. С помощью декадных переключателей, находящихся в пульте управления 1. В установке используют фотопластины размером 90X120 мм и 50X90 мм, точность репродукции ±2 мкм. Редукционная камера ЭМ-513 отличается от описанной выше масштабом уменьшения (50, 40, 30 раз) и размерами фотопластин (90x120, 60x90, 70x70, 51x51 мм), а остальные характеристики аналогичны.

Комплекс измерительной аппаратуры «Вероятность» — предназначен для измерения параметров цифровых и аналоговых интегральных схем средней степени интеграции. Число выводов, подключаемых к модели: для цифровых интегральных схем — 24, для аналоговых — 14. Остальные технические характеристики аналогичны модели «Вахта-1».

Типичные входные статические характеристики транзистора для схемы с общей базой приведены на 7.9, а. Из рисунка видно, что входные характеристики аналогичны вольтамперной характеристике р-п перехода для прямого тока, причем изменение напряжения (/КБ слабо влияет на ток эмиттера. Это объясняется тем, что электрическое поле, создаваемое напряжением С/КБ в схеме с общей базой, почти полностью сосредоточено в коллекторном переходе и оказывает незначительное влияние на прохождение зарядов через эмиттерный переход. Так, на 7.9, а входные характеристики, снятые при (/КБ Ф 0, практцчески сливаются. Поэтому в справочниках обычно приводят лишь две входные характеристики для данного типа транзистора — одну, снятую при (/КБ = = 0, и вторую, снятую при (/КБ ?= 0, например при (/КБ = — = —5 В.

Спектральные характеристики аналогичны подобным характеристикам фотодиодов (см. 14-14, в).

Режим фотопреобразователя соответствует подаче напряжения на фотодиод в запирающем направлении ( 8.5, б). Вольт-амперные характеристики фотодиода в этом режиме при разных значениях световых потоков показаны в III квадранте (см. 8.5, а) и соответственно этому квадранту на рисунке 8.5, в. Как видно, эти характеристики аналогичны коллекторным (выходным) характеристикам биполярного транзистора, включенного по схеме с ОБ (см. 5.7, б), только параметром является не ток эмиттера, а световой поток фотодиода. При наличии нагрузочного резистора RH, включенного последовательно с источником ЭДС (см. 8.5, б), ток / и напряжение f/Bblx можно определить, построив нагрузочную прямую, соответствующую сопротивлению резистора RH (см. 8.5, в). Как видно из построения, ток мало зависит от приложенного напряжения.

буждения уже нельзя включать параллельно. Динамические характеристики аналогичны характеристикам при неподвижной системе компаундирования, хотя и несколько хуже, чем при тиристорном регулировании. Быстрое снятие возбуждения, естественно, также невозможно.

Импульсный способ регулирования переменных ЭП с асинхронным двигателем предусматривает периодическое (импульсное) изменение сопротивления добавочных резисторов в цепях обмоток двигателя или питающего напряжения с помощью полупроводниковых устройств (ключей). Получаемые характеристики аналогичны характеристикам, рассмотренным выше при непрерывном (аналоговом) изменении этих факторов и рассматриваются в [55.15].