Характеристике соответствует

При увеличении прямого напряжения С/пр туннельный ток сначала возрастает. Затем условия, необходимые для возникновения туннельного эффекта, нарушаются и туннельный ток падает. При дальнейшем увеличении Unp туннельный ток исчезает и появляется прямой ток, соответствующий прямому току обычного диода. Таким образом, прямой ток туннельного диода представляет собой сумму двух токов: сначала нарастающего, а затем падающего до нуля при увеличении 1/пр туннельного и обычного, связанного с инжекцией, диффузионного. В результате, на вольт-амперной характеристике появляется участок спада прямого тока.

Основной характеристикой туннельного диода является вольт-амперная характеристика, для снятия которой используется схема включения, приведенная на 22, а. На участке 0—/ ( 22, б) ток через переход увеличивается с ростом прямого напряжения t/np. При дальнейшем увеличении напряжения Unp прямой ток /пр убывает, и на вольт-амперной характеристике появляется участок (1—2) с отрицательным сопротивлением. В точке 2 будет минимум тока, протекающего через диод, /mm. Дальнейшее увеличение прямого напряжения f/p приводит к росту диффузионного прямого тока (участок 2—3), значение которого будет изменяться по закону экспоненты в зависимости от приложенного напряжения. При подаче на туннельный диод обратного напряжения возникнет обратный ток, который быстро возрастает с увеличением обратного напряжения. Обратное сопротивление туннельного диода незначительно.

переход, в результате чего на вольт-амперной характеристике появляется область отрицательного сопротивления (участок АВ на 62). На этом участке наблюдается рост эмиттерного тока /э и уменьшение напряжения U э. При дальнейшем увеличении эмиттерного тока /э зависимость сопротивления эмиттерного р—/г-перехода от тока /э уменьшается и при некотором значении /выкл оно не зависит от тока (область насыщения). Дальнейшее увеличение эмиттерного тока /э (участок ВС) связано с повышением внешнего эмиттерного напряжения t/э . При уменьшении напряжения t/BiB2 вольт-амперная характеристика смещается влево (кривая 2) и при отсутствии его обращается в характеристику открытого перехода (кривая 3).

При уменьшении отрицательного потенциала сетки анодный ток возрастает, но начиная с некоторого значения сеточного напряжения увеличение анодного тока замедляется. На анодно-сеточной характеристике появляется верхний загиб. Это явление объясняется возникновением тока в цепи сетки /с, что приводит к соответствующему уменьшению анодного тока /а [см. (1.1)].

неизменным до тех пор, пока будет соблюдаться условие Е^эБ) ^ ^^Б (У1ас~ ток / на вольт-амперной характеристике прибора, 15-3, в). Когда напряжение t/9B1 превысит Л?/Б, переход окажется включенным в прямом направлении и потечет ток /э навстречу току /Обр- Вследствие инжекции неосновных носителей в базу, ее объемное сопротивление уменьЕштся, снизится напряжение Л#Б, примое напряжение на переходе увеличится и возрастет ток /э. Это приведет к дальнейшему уменьшению напряжения Д(7Б и т. д. Рост тока /з сопровождается снижением напряжения между эмиттером и выводом ?>i вследствие снижения величины объемного сопротивления базы на участке между плоскостью А и выводом Б1. На вольт-амперной характеристике появляется участок 2 ( 15-3, в) с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Дальнейший рост тока /э соответствует вольт-амперной характеристике р-п перехода, находящегося под прямым напряжением (участок 3).

неизменным до тех пор, пока будет соблюдаться условие Е^эБ) ^ ^^Б (У1ас~ ток / на вольт-амперной характеристике прибора, 15-3, в). Когда напряжение t/9B1 превысит Л?/Б, переход окажется включенным в прямом направлении и потечет ток /э навстречу току /Обр- Вследствие инжекции неосновных носителей в базу, ее объемное сопротивление уменьЕштся, снизится напряжение Л#Б, примое напряжение на переходе увеличится и возрастет ток /э. Это приведет к дальнейшему уменьшению напряжения Д(7Б и т. д. Рост тока /з сопровождается снижением напряжения между эмиттером и выводом ?>i вследствие снижения величины объемного сопротивления базы на участке между плоскостью А и выводом Б1. На вольт-амперной характеристике появляется участок 2 ( 15-3, в) с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Дальнейший рост тока /э соответствует вольт-амперной характеристике р-п перехода, находящегося под прямым напряжением (участок 3).

:1) Характер частотной и фазовой характеристик в области нижних частот у реостатно-траисформаторного каскада определяется коэффициентом dH, при значении которого меньше У 2 «а частотной характеристике появляется подъём; величина последнего растёт с уменьшением dH. Связь между коэффициентом частотных искажений Мн на частоте максимального подъёма и значением dH определяется выражением, аналогичным i(5.125)

Исследование ур-ния (5.187) показало [ЛИ, стр. 134], что увеличение коэффициента высокочастотной коррекции а расширяет полосу усиливаемых частот, но при а>0,414 ,на частотной характеристике появляется подъём, растущий с увеличением а.

1) Характер частотной и фазовой характеристик в области нижних частот у реостатно-трансформаторного каскада определяется коэффициеном dH, при значении которого меньше }^2 на частотной характеристике появляется подъём; величина последнего растёт с уменьшением dH, Связь между коэффициентом частотных искажений Мн на частоте максимального подъёма и значением dH определяется выражением, аналогичным (5.125)

Исследование ур-нйя (5.187) показало [Л 11, стр. 134], что увеличение коэффициента высокочастотной коррекции а расширяет полосу усиливаемых частот, но при а>0,414 на частотной характеристике появляется подъём, растущий с увеличением а.

При больших освещенностях увеличение светового тока отстает от роста светового потока, на энергетической характеристике намечается тенденция к насыщению, однако явного участка насыщения нет. Сопротивление нагрузки в цепи фоторезистора проявляется лишь при больших освещенностях. В этом случае участок насыщения на энергетической характеристике появляется вследствие перераспределения напряжения источника. Световой ток / в диапазоне обычно реализуемых осве-щенностей намного больше темнового, т. е. М^/ф. Тем-новые токи фоторезисторов ограничиваются соответствующими ТУ и ГОСТ только по верхнему пределу. Ни-

При малых напряженностях электрического поля в полупроводнике все электроны находятся в нижнем центральном минимуме и плотность тока через полупроводник ji=qn\i\E. С ростом напряженности электрического поля, как только у части электронов появится энергия больше АЕС, они смогут перейти в боковой ми* нимум с малой подвижностью. Напряженность поля ?пор, при которой начинается такой переход, называется пороговой. При достижении напряженности электрического поля Е0 все электроны перейдут в боковой минимум и плотность тока J2=qnii2Eo- Если при напряженностях этих полей выполняется неравенство \11ЕЛОр>щЕ0, то соответственно /i>/2 и с ростом Е от ?Пор до Е0 произойдет уменьшение тока через полупроводник. Это означает, что на вольт-амперной характеристике появляется участок с отрицательной дифференциальной проводимостью, т. е. характеристика относится к N-типу.

Номинальному режиму на входной характеристике соответствует точка /. За номинальное значение Л2Эиом применяем его среднее значение

Амплитудно-частотная и фазо-частотная характеристики взаимосвязаны, и для большинства радиоэлектронных Систем каждой амплитудно-частотной характеристике соответствует только одна фазово-частотная характеристика.

3. Нелинейно-возрастающая (параболическая) механическая характеристи-к а (кривая 3 на 2.4). Этой характеристике соответствует х = 2; момент сопротивления 7ИС здесь зависит от квадрата скорости. Механизмы, обладающие такой характеристикой, называют иногда механизмами с вентиляторным моментом, поскольку у вентиляторов момент сопротивления зависит от квадрата скорости. К меха-

В активной области / эмиттерный переход открыт и инжектирует" неосновные носители заряда в базу, которые, двигаясь к коллектору, образуют коллекторный ток. В области отсечки // эмиттер не инжектирует носители в базу, поэтому ток коллектора равен обратному току коллекторного перехода. В области насыщения /// коллекторный переход смещается в прямом направлении, увеличивая инжекцию неосновных носителей из коллектора в базу, и вследствие этого усилительные свойства транзистора сильно ухудшаются. Область пробоя на выходных характеристиках IV реализуется при высоком напряжении на коллекторе: в этой области коллекторный ток быстро растет с йовышением напряжения, что в конечном счете приводит к пробою и выходу прибора из строя. Область отсечки по входу V на входной характеристике соответствует обратным напряжениям на эмиттерном переходе, она распространяется до области пробоя эмиттерного перехода VI.

Область 1 на вольт-амперной характеристике соответствует несамостоятельному разряду. Переход от точки А к точке Б происходит при уменьшении R ( 8-1); для всех точек этого участка кривой число электронов, уходящих с катода, мало, ионизация газа незначительна (а и Y небольшие), а М < 1. Сопротивление R очень велико, и через прибор лротекает незначительный ток.

Область 1 на вольт-амперной характеристике соответствует несамостоятельному разряду. Переход от точки А к точке Б происходит при уменьшении R ( 8-1); для всех точек этого участка кривой число электронов, уходящих с катода, мало, ионизация газа незначительна (а и Y небольшие), а М < 1. Сопротивление R очень велико, и через прибор лротекает незначительный ток.

Входные и выходные характеристики транзистора, включенного по схеме ОЭ ( 12, а), приведены на 12, б к в. Входная характеристика выражает связь между током базы i6 (являющимся для этой схемы входным) и напряжением между эмиттером и базой иъ(, при постоянном значении напряжения между коллектором и эмиттером. Рассмотрим входную характеристику транзистора при Um ~ 0 ( 12, б). Точке / на этой характеристике соответствует распределение концентрации дырок в базе, показанное прямой /

Эквивалентная схема и специфичные схемы. Квазистатической градуировочной характеристике соответствует эквивалентная схема на 3.60. Струнные датчики имеют 3 практически развязанные цепи; входную механическую цепь, которая характеризуется податливостью ПР упругого элемента; питающую цепь, которая по-

На 3.11, а, б приведены типовые выходная и передаточная характеристики «-канального транзистора. Выходная имеет две характерные области: крутую 1 и пологую 2. В крутой области ток стока /с возрастает линейно с увеличением напряжения сток—исток «си при постоянном напряжении на затворе относительно истока, что свидетельствует о постоянстве сопротивления канала транзистора в этом режиме. В пологой области характеристик ток стока ic почти не зависит от напряжения мси, а зависит лишь от напряжения затвор— исток изи. Точка а на характеристике соответствует току стока насыщения /сн при напряжении и№ = 0. При любом другом отрицательном напряжении справедливо следующее соотношение для тока стока [701:

Индукция Bftf- на переходной характеристике соответствует МДС F$z , которая при холостом ходе создает тот же магнитный поток Ф, что и МДС /W при нагрузке.