Химическое осаждение

монтажных отверстий для сопряжений со схемными элементами по HI4, на размеры крепежных отверстий по HI4, на размеры между осями монтажных отверстий ±0,3, на размеры между крепежными отверстиями для крепления одного схемного или конструктивного элемента (на чертеже выделены) ±0,2; сварные швы в стыках по ГОСТ 14808—69; шероховатость поверхности /?Z80, в отдельных монтажных отверстиях — /?220; покрытие — химическое оксидирование. Для получения исходной заготовки ( 4.1, б) использован листовой материал АМг2М толщиной 1,5 мм.

Химическое оксидирование стали в синий цвет проводят в растворе состава, г/т пшосучьфит натрия 70, ацетат свинца 17,5 при 90—100 °С до получения нужного оттенка

Химическое оксидирование Перед оксидированием магний и его сплавы следует подвергнуть специачьной подготовке — обезжириванию» травлению, осветлению, хроматной обработки Процессы обезжиривания магниевых сплавов приведены в гл 2, а растворы для травления магния н его сплавов — ниже

Химическое оксидирование

Электрохимическое оксидирование

14.1.4.1. Химическое оксидирование

Химическое оксидирование алюминия и его сплавов проводят с целью защиты изделий от коррозии или в качестве грунта под окраску. Толщина оксидных пленок при этом составляет 0,5—4,0 мкм

Пленки, получаемые при химическом оксидировании, по своим защитным и физико-механическим свойствам значительно уступают полученным при электрохимическом оксидировании алюминия. Химическое оксидирование применяют главным образом в тех случаях, когда процесс анодирования затруднен и эиономически нецелесообразен — при покрытии сложнопрофилированных и крупногабаритных деталей, внутренних поверхностей длинных и тонкостенных труб, больших сварных конструкций, а также для оксидирования деталей малоответственкого назначения При этом следует учитывать, что процесс химического оксидирования весьма прост в эксплуатации к в 2—3 раза экономичнее электрохимического оксияирования.

Химическое оксидирование алюминия и его сплавов проводят в ще-лочко-хроматноы, фосфатно-хроматном и хроматно-фторидиом растворах [19, 23].

Химическое оксидирование,

электрохимическое оксидирование

Химическое осаждение — осаждение металла, восстанавливаемого из его соли у поверхности покрываемого металла (а иногда и диэлектрика); получают покрытия из никеля, золота, серебра, палладия.

В качестве доиорных и акцепторных примесей используют галлий, сурьму, мышьяк, индий и другие примеси. Технология изготовления омического, контакта включает .химическое осаждение или вакуумное нанесение металла на полупроводника последующей термической обработкой. В некоторых случаях применяется также сплавление.

2. Электрохимический способ. На соответствующие участки изоляционной платы производят химическое осаждение меди с предварительной обработкой поверхности пескоструйным методом и последующим наращиванием слоя меди толщиной 1—2 мкм в гальванической ванне.

в защитной атмосфере. Механические свойства изделий из порошков близки по свойствам к литым деталям, по отдельным параметрам они выше. Например, для алюминия ств = 300...400 МПа по сравнению с 180...200 МПа. Насыпная плотность алюминиевых порошков составляет 0,7...0,8 г/см3 (ее постоянство определяет стабильность усадки при спекании). Однако детали, изготовленные из порошков, не могут иметь наружной и внутренней резьбы, должны иметь плавные переходы от тонких сечений к толстым и радиусы скругления не менее 1 мм. Методом литья под давлением и прессованием изготовляют детали из пластмассовых пресс-порошков, часто имеющих наполнители (порошки, волокниты, стекловолокниты), с шероховатостью поверхности Ra= 1,25...0,8 мкм, точностью размеров по 11... 13-му квалитетам. Усадка может быть менее 0,1...0,16%. Для полиимидов и стеклопластиков допускается толщина до 0,3 мм при диаметре отверстий до 0,5 мм. К пластмассовым деталям предъявляется ряд ограничений: радиусы скруглений должны быть не менее 0,5...1,0 мм для внутренних и 1...2 мм для наружных поверхностей, не рекомендуются прямоугольная и мелкая резьба (с шагом менее 0,4 мм). Поверхность пластмассовых деталей можно металлизировать. Чаще всего наносится слой меди толщиной от нескольких единиц до нескольких десятков микрометров с последующим электрохимическим нанесением защитного слоя из сплавов олова, никеля, реже — золота. Способы металлизации — химическое осаждение, вакуумное или горячее распыление металлов.

Химическое и электрохимическое осаждение применяют главным образом для нанесения никелевых и золотых контактов. При получении контакта в процессе химического осаждения восстановление металла из соли на поверхности полупроводника осуществляют с помощью восстанавливающего реагента, содержащегося в растворе.

Химическое осаждение никеля происходит из фосфатного электролита, что способствует значительному уменьшению контактного сопротивления на кремнии n-типа. Осаждение золота производят обычно электрохимическими методами из щелочных электролитов на основе хлорного золота или дици-аноаурата калия KAu(CN)2. Скорость осаждения золота из

Химическое осаждение из газовой фазы. Для получения пленок поликристаллического кремния и диэлектриков (SiO2, Si3N4) в технологии полупроводниковых микросхем широко используется химическое осаждение из газовой фазы. Осаждение происходит в результате химической реакции в газовой фазе при повышенной температуре и осуществляется в эпитаксиальных или диффузионных установках. Для осаждения пленок поликристаллического кремния на пластины, покрытые слоем 5Ю2, применяется реакция пиролиза (разложения) сила-на: SiH4 -*- Si + Н2 при Т = 650 °С.

Химическое осаждение из водных растворов. Применяемое в технологии гибридных микросхем химическое осаждение из водных растворов основано на восстановлении металлов из растворов их солей. Электролитическое осаждение производится в электролитических ваннах, где проводящая подложка является катодом, а анод выполнен из материала осаждаемой пленки или инертного по отношению к электролиту металла. При пропускании электрического тока на катоде осаждается металлическая пленка, толщина которой зависит от тока и времени осаждения. Скорость процесса хорошо регулируется в широких пределах изменением тока. Таким образом, можно получать не только тонкие, но и толстые пленки (20 мкм и более), применяемые, например, для создания жестких и балочных выводов (см. §2.12) бескорпусных полупроводниковых микросхем и транзисторов, а также металлических масок (трафаретов).

Химическое осаждение 29

Для нанесения тонких пленок на подложку применяют различные методы: вакуумное напыление, катодное распыление, химическое осаждение и электролитическое анодирование.

Химическое осаждение 101