Химической обработке

= 2,8%, Spn = 1,0 %, NP = 0,9 %, OP = 10,5 %; ЛР = = 29,5 %; \FP = 18,0 % Определить в кДж/кг и процентах потери теплоты от химической неполноты сгорания топлива, если известны содержание в уходящих газах оксида углерода СО == 0,25 % и трехатомных газов RO2 == 17,5 % и температура топлива на входе в топку /т = 20 °С.

Задача 2.19, Определить в процентах и кДж/кг потери теплоты в окружающую среду, если известны температура топлива на входе в топку tT = 20 °С, теплота, полезно использованная в котлоагрегате,
рый уголь с низшей теплотой сгорания QJJ = 15000 кДж/кг. Определить к. п. д. котлоагрегата (брутто) и расход натурального и условного топлива, если известны давление перегретого пара рц.п = 4 МПа, температура перегретого пара ta_a — 450 °С, температура питательной воды /п. в =150 °С, величина непрерывной продувки Р = = 3 %, потери теплоты с уходящими газами qz = 7 %, потери теплоты от химической неполноты сгорания топлива <7з = 0,5 %, потери теплоты от механической неполноты сгорания топлива д4 = 1 % , потери теплоты в окружающую среду qb =1,3 % и потери теплоты с физической теплотой шлака qe = 0,4 %.

где <7з — потери теплоты от химической неполноты сгорания топлива, %;
Задача 2.33. В топке котельного агрегата паропроизво-дительностью D = 7,05 кг/с сжигается природный газ Саратовского месторождения состава: СО2 = 0,8 %; СН4 = = 84,5 %; С2Н6 = 3,8 %; С3Н8 - 1,9 %; С4Н10 = 0,9 %; С6Н1г = 0,3 %; NJJ = 7,8 %. Определить объем топочного пространства и к. п. д. топки, если известны давление перегретого пара рп.п = 1,4МПа, температура перегретого пара tn,n = 280 °С, температура питательной воды tn.B == 110 °С, к. п. д. котлоагрегата (брутто) г$а ==91 %, величина непрерывной продувки Р = 4 % , тепловое напряжение топочного объема Q/VT= 310 кВт/м3, потери теплоты от химической неполноты сгорания топлива q3 == 1,2 % и потери теплоты от механической неполноты сгорания топлива qt = 1 % .

Задача 2.34. Определить площадь колосниковой решетки и к. п. д. топки котельного агрегата паропроизводитель-ностью D == 5,9 кг/с, если известны давление перегретого пара рп.п = 1,4 МПа, температура перегретого пара ?ПЛ1 = 250 °С, температура питательной воды ?п.в ~ 120 °С, к. п. д. котлоагрегата (брутто) ^кРа = 86,5 % , тепловое напряжение площади колосниковой решетки Q/jR = 1260 кВт/м2, потери теплоты от химической неполноты сгорания топлива Q3 = 107,5 кДж/кг и потери теплоты от механической неполноты сгорания топлива Q4 = 1290 кДж/кг. Котельный агрегат работаег на кизеловском угле марки Г с низшей теплотой сгорания горючей массы QH = 31 349 кДж/кг, содержание в топливе золы ЛР = 31 % и влаги ГР = 6 %.

где Qp — располагаемая теплота топлива, кДж/кг; QB — теплота, вносимая в топку с поступающим холодным или горячим воздухом, кДж/кг; <3рц — • теплота рециркулирую-щих газов, кДж/кг; QB.BH — теплота, вносимая в топку воздухом, подогретым вне котлоагрегата, кДж/кг; q3 — потери теплоты от химической неполноты сгорания топлива, %; д4 — потери теплоты от механической неполноты сгорания топлива, %; q№ — потери теплоты с физической теплотой шлака, % .

Задача 2.38. Определить полезное тепловыделение в топке котельного агрегата, работающего на подмосковном угле марки Б2 состава: О - 28,7 %; Нр == 2,2 %; 5РЛ = 2,7 %; NP - 0,6 %; ОР = 8,6 %; ЛР - 25,2 %; Ц7р = 32,0 %, если известны температура топлива на входе в топку /.,, = = 20 °С, температура воздуха в котельной tu = 30 °С, температура горячего воздуха /,,.„ — 300 °С, коэффициент избытка воздуха в топке а,. = 1 ,3, присос воздуха в топочной камере Дсст == 0,05, потери теплоты от химической неполноты сгорания топлива q3 == 0,5 %, потери теплоты от механической неполноты сгорания топлива
Задача 2.39. Определить, на сколько изменится полезное тепловыделение в топке котельного агрегата за счет подачи к горелкам предварительно подогретого воздуха, если известны температура воздуха в котельной /Б = 30 °С, температура горячего воздуха /,,.„ — 250 °С, коэффициент избытка воздуха в топке ат =--= 1,15, присос воздуха в топочной камере Дат = 0,05 и потери теплоты от химической неполноты сгорания топлива q3 — I %. Котельный агрегат работает на природном газе Саратовского месторождения состава: СО2-0,8%; CI-^-84,5%; СаН„-3.8

духа в котельной 2"в =•- 30 °С, температура горячего воздуха ?,,.„ --- 295 °С, козффнп.иепт избытка воздуха в топке сст — 1.3, присос воздуха в топочной камере Аат ~ 0,05, потер;! теплоты от химической неполноты сгорания топлива с/-,, -'----• 0,5 %, потери теплоты от механической неполноты

ной камере Дсст = 0,05, температура газов на выходе из топки Ф" = 1000 °С, поте;ри теплоты от химической неполноты сгорания топлива q3 — 1 % и потери теплоты в окружающую среду q6 == 1,0 %.

Свойства, режимы склеивания и особенности применения наиболее часто встречаемых клеев приводятся в отраслевых стандартах. Технологический процесс склеивания состоит из следующих операций: подготовки поверхности деталей, приготовления клея, склеивания и контроля качества соединения. Перед склеиванием детали тщательно очищают от загрязнений, используя обезжиривание в органических растворителях или механическую обработку (гидроабразивную, шлифование). Отдельные материалы для улучшения адгезии подвергаются специальной химической обработке, например: полиэтилен — в хромовой смеси, фторопласт 4 — в растворе уксусно-кислого калия или в натрийнафталиновом комплексе и др.

Известны физические способы активации поверхности полиимида в плазме тлеющего разряда при плотности тока разряда 10—103 А/м2 и давлении между электродами 2,7 X х102— 2,7 • 103Па. Более сильное химическое взаимодействие с осаждаемым металлом наступает при наличии на поверхности полиимида перекисных радикалов (R — О — — О), С-О-групп и других кислородосодержащих групп, которые возникают при химической обработке разбавленной хромовой смесью на основе серной кислоты при повышенной температуре с последующей термической обработкой (450— 550 К) в инертной атмосфере или в вакууме. Адгезия ваку-

В соответствии с ПТЭ [4-16] теплосеть должна заполняться тщательно подготовленной подпиточнои водой, которая должна также использоваться и для восполнения утечек из теплосети. Для этой цели исходная вода, используемая для восполнения потерь в теплосети, подвергается химической обработке (обычно по схеме N'a-катионирования) и термической деаэрации с целью удаления кислорода и углекислого газа.

шой. Кроме того, из-за значительной длины выводов недопустимо (для быстродействующих схем) увеличиваются омическое сопротивление выводов (более 0,5 Ом) и паразитная емкость (более 5 пФ). Выходом из положения является использование корпусов типа 5 с выводами, расположенными по периметру (периферии) или по всей площади основания (см. 1.16, тип 5; табл. 1.3). Такие корпуса в нашей стране называют микрокорпусами (периферийными и матричными), а за рубежом — кристаллодержателями или кристал-лоносителями. В тех случаях, когда корпус выполнен из материала с малой теплопроводностью (например, из полимерного материала), в него могут быть введены теплоотводящие шины ( 1.18). Бескорпусные элементы являются объектом отраслевой стандартизации. Они имеют малые габариты ( 1.19) и массу и используются в составе микросборок или герметизированных блоков (часто для бортовых РЭС и РЭС СВЧ). Выводы бескорпусных элементов выполняются в виде контактных площадок, могут быть проволочными или балочными. В ряде случаев бескорпусные элементы располагаются на ленточном пленочном носителе ( 1.20), что облегчает их контроль, электротренировку, автоматизацию сборки и монтажа. Лентой-носителем служит тонкая (толщиной 0,05 ...0,15 мм) пластмассовая (поли-имидная, полиэфирная и др.) одно-, двух-, трехслойная пленка (лента) шириной 8...70 мм. Полиимидные ленты обладают высокой термостойкостью (возможен их кратковременный нагрев до 400° С), а также стабильными физическими и химическими свойствами при воздействии кислот. Кроме того, их можно подвергать селективной химической обработке и использовать в качестве подложек для вакуумного напыления металлических пленок. Полиэфирные пленки Mylar на основе полиэтилентереф-

Описанный метод используют для измерений диффузионной длины носителей заряда для германия, которая в данном случае достаточно велика. Кроме того, легко образуются запирающие слои на прижимных металлических контактах. Подобные измерения на кремнии затруднены из-за высокой скорости повер>ностной рекомбинации носителей заряда, высокого уровня шумои, нелинейности ВАХ коллекторного контакта и возникновения инверсных поверхностных слоев. При выполнении измерений на германии с электронной электропроводностью используют вольфрамовье зонды, а для германия с дырочной электропроводностью — сплаз на основе серебра. Для уменьшения скорости поверхностной рекомбинации носителей заряда перед измерениями поверхность образца тщательно шлифуют и подвергают химической обработке в соответствующем травителе. Метод позволяет измерять диффузионн>ю длину в пределах от 0,1 до нескольких миллиметров с погрешностью 15—20%. При измерении малых диффузионных длин в узкозонных полупроводниках А3В5 регистрация неосновных носителей заряда осу-

и отработавших твэлах, природном уране и отвале обогатительных производств соответственно, кг/кг; Q — тепловая мощность реактора, МВт; т — длительность кампании, сут; G — количество топлива, загруженного в реактор, т; е — коэффициент, учитывающий потери ядерного топлива при изготовлении твэлов, химической обработке топлива, а также в процессах сублимации и дообогащения; KB — коэффициент воспроизводства плутония в активной зоне реактора (по отношению к разделившемуся 235U); 6S — доля разделившегося в реакторе 2 3 s U [6] .

Сущность операции состоит в том, что на поверхность оксида или другого защитного материала, подвергнутую предварительно химической обработке, наносят слой фоторезиста, который экспонируют через фотошаблон, содержащий набор идентичных повторяющихся рисунков необходимых размеров и конфигурации. Характер полученного изображения в зависимости от типа фоторезиста может быть позитивным или негативным. Скрытое изображение проявляют химически. Затем производят травление оксида в окнах плавиковой кислотой, после чего остатки резистивной маски удаляют сжиганием в кислородсодержащей плазме. Полученное изображение в оксиде контролируют по четкости края окон, наличию остатков оксида в окнах или резиста на поверхности оксида.

После облучения монокристалл кремния подвергают операции дезактивации. Она необходима для удаления активных веществ, образующихся на поверхности кристалла, а также продуктов коррозии и распыления материала реактора. Дезактивацию проводят, подвергая монокристалл механической и химической обработке. От объемной активации избавляются, выдерживая монокристалл кремния в течение нескольких дней до безопасного уровня радиации.

0,5 мм, подвергаемых предварительно химической обработке — фос-фатированию, т. е. образованию на поверхности листа тонкого слоя фосфатов (солей фосфорной кислоты в смеси с другими химическими элементами). Фосфатированная поверхность стальных листов обладает высокой стойкостью против коррозии и имеет хорошую изоляцию,

Рассмотрим основные процессы производства печатных плат на примере изготовления двусторонней платы комбинированным позитивным методом. Технологическая схема процесса состоит из следующих операций: 1) резки заготовок, пробивки или сверления технологических отверстий; 2) подготовки поверхности заготовок; 3) нанесения фоторезиста; 4) экспонирования рисунка схемы (фотопечать); 5) проявления рисунка; 6) задубливания фоторезиста; 7) нанесения защитного лака для предохранения фольги при химической обработке; 8) сверления отверстий; 9) сенсибилизации, активирования и химического меднения отверстий; 10) снятия защитного лака; 11) электролитического гальванического меднения; 12) покрытия гальваническими сплавами или электролитическое нанесение металла — резиста; 13) удаления фоторезиста; 14) травления меди с пробельных участков схемы; 15) осветления защитного металлического покрытия; 16) механической обработки по контуру; 17) маркировки; 18) контроля; 19) консервации.

кул тонким слоем окисла, покрывающим поверхность полупроводниковой подложки. Состояния, расположенные на границе раздела кремний — двуокись кремния, менее чувствительны к воздействию окружающей среды и зависят от качества обработки поверхности подложки и процесса выращивания окисла. Таким образом, любые несовершенства, возникающие при химической обработке поверхности полупроводникового материала, влияют на плотность поверхностных состояний.