Химическим свойствам

конструкцию. Переходы в такой гибкой многослойной плате осуществляются методом сквозной металлизации отверстий химическим осаждением меди.

Для хорошего отвода статических зарядов :о стекол в приборах с пластмассовыми корпусами внутреннюю поверхность корпуса покрывают тонким слоем алюминия, меди или цинка (горячим распылением или химическим осаждением металла). Предварительно внутреннюю поверхность корпуса прибора обезжиривают в 10%-ном растворе едкой щелочи при температуре 313...333 К в течение 10... 20 мин, после чего тщательно промывают и сушат.

в) химическим осаждением пленок в результате протекания химических реакций в газовой фазе над поверхностью подложки с образованием пленкообразующего вещества с последующим его осаждением на подложку.

Омические контакты обычно изготовляют сплавлением, электрохимическим или химическим осаждением, вакуумным испарением, методом термокомпрессии или с помощью ультразвука.

Фоторезисторами называют светочувствительные полупроводниковые преобразователи, обладающие фоторезистивным эффектом и увеличивающие свою электропроводность под воздействием светового потока. Конструктивное оформление фоторезисторов и применяемые светочувствительные материалы разнообразны. В одних фоторезисторах полупроводниковый светочувствительный материал нанесен методом напыления в вакууме или химическим осаждением на изоляционную пластину, которая помещена в пластмассовую или металлическую оправу с окошком для пропускания света. У других фоторезисторов, например ФС-К, светочувствительный элемент изготовлен методом прессования из порошкообразного материала в виде прямоугольных или кольцевых пластинок с последующей наклейкой на изоляционную подложку. Светочувствительный элемент фоторезисторов ФСК-М изготовлен из монокристалла кадмия. Светочувствительный слой всех фоторезисторов покрыт прозрачной защитной лаковой пленкой.

В полупроводниковых микросхемах широко применяются пленки поликристаллического кремния, легированные донорами или акцепторами, нанесенные на поверхность кремниевой пластины, покрытой диоксидом кремния. Такие пленки формируются обычно химическим осаждением из газовой фазы. В отличие от монокристаллического кремния в поликристаллических пленках малы подвижность электронов и дырок и время жизни неосновных носителей. Это объясняется наличием большого числа дефектов структуры, являющихся центрами рассеяния и рекомбинации. Поэтому параметры транзисторов, сформированных в поликристаллической пленке, значительно хуже, чем в монокристалле. Термическая обработка (отжиг) позволяет значительно повысить подвижность носителей заряда в пленке, что делает возможным создание в ней полевых (в частности, МДП) транзисторов с удовлетворительными параметрами.

Для уменьшения сопротивления внутрисхемных соединительных проводников первого уровня на слой поликристаллического кремния наносится пленка силицида толщиной около 0,2 мкм. Слой диоксида 7, полученный химическим осаждением из паровой фазы, покрывает нижний слой соединений из силицида. На слой диоксида наносится слой металла (на рисунке не показан), из которого формируют соединительные проводники второго уровня.

Металлизация элементов включает подготовку поверхности керамики и нанесение металлического покрытия (электродов) химическим осаждением или вакуумным напылением. В качестве основного металла для электродов применяют алюминий, серебро, золото и т. д.

Получение полупроводниковых слоев химическим осаждением было подробно рассмотрено при описании эпитаксиальных процессов роста (гл. 8). Осаждение

У диффузионных диодов электрический переход изготавливается методом общей или локальной диффузии донор-ных и акцепторных примесей в кристалл полупроводника. Диффузию можно проводить однократно и многократно. Например, структура электрического перехода кремниевого диода ( 3.1, г) р+-р-/г-л+-типа изготавливается методом общей многократной диффузии. Область р-типа формируется диффузией акцепторной примеси—алюминия в кремниевую пластину л-типа, а область л+-типа — диффузией в эту же пластину фосфора — донорной примеси. Для образования р+-области проводится вторая диффузия бора в р-область. Омические контакты с р+- и п+-областью структуры изготавливают химическим осаждением никеля и последующим гальваническим золочением.

но-лучевым методом, приведена на 3.1, з. На подложке кремния л+-типа выращен эпитаксиальный л-слой, в котором ионной имплантацией создана р+-область. Омические контакты получены химическим осаждением сначала титана, а затем никеля на полупроводниковую пластину с обеих сторон.

По своим физико-химическим свойствам клеи разделяются на необратимые и обратимые. Необратимые клеи в процессе затвердевания претерпевают физико-химическле изменения, в результате которых переходят в нерастворимое и неразмягчаемое состоя-

Радиоактивно загрязненные контурные и внеконтурные воды, кроме радионуклидов, содержат ионизированные нерадиоактивные примеси. По химическим свойствам стабильные и нестабильные изотопы одного и того же элемента практически не отличаются. Поэто-

Обычные иониты и иониты ядерного класса близки по своим физическим и химическим свойствам, но существенно отличаются стоимостью (табл. 9). Таблица 9. Характеристика ионообменных материалов

Переход к новому составу сплава возможен лишь при условии, что футеровка по своим температурным характеристикам и химическим свойствам пригодна для нового сплава. Прежний сплав полностью сливается из печи, и в нее заливается новый. Если прежний сплав не содержал компонентов, недопустимых для нового сплава, то годный металл может быть получен при первой же плавке. Если же такие компоненты в прежнем сплаве содержались, то приходится провести несколько переходных плавок, после каж-

По химическим свойствам медь является относительно малоактивным металлом. Окисляясь на воздухе, медь приобретает зеленоватый цвет закиси меди. К воздействию щелочей медь устойчива, она хорошо растворяется в азотной кислоте, а с серной и соляной кислотами вступает в реакцию только при нагревании.

Для отжига деталей и материала применяют водород А, получаемый электролизом воды. Технический водород по своим физико-химическим свойствам должен содержать водорода по объему не менее 99,7%, кислорода не более 0,3%, влаги не более 25,0 г/м3, что соответствует 25—26° С температуры точки росы; масла не должно быть совсем.

По физико-химическим свойствам элементарные сверхпроводники (чистые металлы) можно разделить на две группы: «мягкие» — Hg, Sn, Pb, In; «жесткие» — Та, Ti, Zr, Nb.

На ГЭУ применяются турбинные (смазочные) и трансформаторные (изоляционные) масла, различные по физико-химическим свойствам и назначению. Турбинные масла используются в системах регулирования

По физико-химическим свойствам их можно подразделить на г и д -рофильные коллоиды, хорошо растворимые в воде и не растворимые в органических растворителях, и олеофильные коллоиды, хорошо растворимые в маслах и органических растворителях, но нерастворимые в воде. Отсюда, клеи бывают водостойкие и- неводостойкие.

Тантал. По своим физическим и химическим свойствам тантал напоминает ниобий, методы получения их аналогичны.. Температура плавления близка к 3000° С, ТЩ = 8,8-10^ 1/град. Тантал, как и ниобий, имеет весьма небольшую интенсивность испарения в вакууме. Применение тантала отчасти связано с его способностью к газопоглощению, особенно при температуре 1800° С. Из тантала изготовляют

ва окисных стекол, титанатов и др., которые в большей удовлетворяли бы требованиям к механическим, электрическим и химическим свойствам пленочных диэлектриков. Катодное распыление получило широкое распространение при осаждении пленок металлов, полупроводников и их композиций. Однако распыление диэлектрических материалов таким путем практически невозможно, так как на поверхности катода быстро образуется положительный заряд, который не может быть нейтрализован. Для получения окисных диэлектрических пленок катодное распыление металлов производят в атмосфере кислорода, и молекулы металла при испарении, вступая в химическое взаимодействие с атомами кислорода, образуют окислы. При этом определенный состав и композиция окислов обеспечиваются композицией сплава в катоде. Таким путем можно получить, например, окислы Та2О5, Nb2O5, TiO2, SiO2 и др., которые можно использовать в качестве диэлектриков пленочных конденсаторов. Основной недостаток катодного распыления — низкая скорость осаждения (порядка 4,0 нм/мин) —устраняется при использовании высокочастотного катодного распыления. В этом случае в качестве катода можно использовать и диэлектрический материал. Положительный заряд, который возникает на поверхности катода в течение от-