Химических соединений

С экономической точки зрения вследствие высокой производительности текстильных станков изготовление ТУК в 5—'6 раз дешевле, чем изготовление аналогичных по структуре ПП или плат с проводным монтажом. Одновременно достигается экономия цветных и драгоценных материалов и химических реактивов, снижение затрат на инструмент. Монтаж ТУК находит применение при изготовлении связной электронной аппаратуры, а также в тех устройствах, где требуется изменение формы структур после выполнения монтажно-сборочных работ.

5) устойчивостью к воздействию химических реактивов в процессе подготовки поверхности подложки перед нанесением пленок, при электрохимической обработке и химическом осаждении пленок;

участки подложки (селективное осаждение). Метод может использоваться при электролитическом осаждении электропроводящих материалов. Этот метод нельзя применять для создания многослойных конструкций ГИС, так как для получения рисунка очередного слоя требуется обработка травителем и тщательная очистка подложки от химических реактивов, без чего невозможно добиться удовлетворительной адгезии при осаждении последующих слоев. Поэтому технологический процесс стараются построить так, чтобы нанести все слои микросхемы, а затем последовательным избирательным травлением получить их рисунок.

При включении испарителей в тепловую схему электростанции без потерь тепловой экономичности стоимость дистиллт определяется в основном стоимостью предварительной химической подготовки питательной воды испарителей и отчислениями от капитальных затрат на испарительную установку. Обычно при солесодержании исходной воды более 300—400 мг/кг дистиллят дешевке воды, обработанной методом глубокого обессоливания. Кроме то:ч>, следует иметь в виду, что при термическом обессоливании воды расходуется значительно меньше химических реактивов, вследствие ч;го снижается общее количество солей, содержащихся в сбросных водах

Все операции химической обработки тщательно контролируются как в процессе выполнения, так и после завершения. Особое внимание уделяется чистоте применяемых химических реактивов, которая по классу не должна быть ниже чистоты используемых полупроводниковых материалов.

Вследствие высокой химостойкости, влагостойкости, возможного широкого диапазона эластичности и малого изменения электрических свойств при воздействии влаги и химических реактивов поливинил-хлорид находит применение в радиопромышленности, связи и электропромышленности в следующих изделиях:

электролита, электро ins желательно вести с реверсированием тока тк та=Ю 1. Электролит 3 —для кадмнрования изделий сложной конфигурации и получения покрытий с меньшей степенью наводорожи-вання Электролит 4 обладает лучшей рассеивающей способностью среди всех других сульфатных электролитов кадмнроваиия Пригоден для покрытия сложнопрофилнрованных деталей н пружин. Электролит 5 разработан Днепропетровским химико-технологическим институтом. Добавки ДХТИ 203А н Б выпускаются Ереванским заводом химических реактивов

Для этого к затратам на собственно просвечивание нужно прибавить еще расходы на оборудование, материалы и выполнение вспомогательных операций, как-то, на амортизацию радиоизотопной аппаратуры; приобретение пленки и химических реактивов; транспортирование источников; проявление пленки; расшифровку снимков и прочие расходы.

Затраты на приобретение пленки и химических реактивов определяются по ценам прейскуранта, суммируются за период и относятся на одну операцию (снимок, просвечивание, исследование).

8. Каталог химических реактивов и высокочистых химических веществ. М. 1971.

г) значительные концентрации паров, кислот, щелочей газов, способные при соприкосновении с влагой образовывать слабые растворы кислот, щелочей, обладающих большой коррозирующей способностью Цехи химических заводов по выработке кислот, щелочей, едких химических реактивов, ядохимикатов, удобрений. Цехи гальванических покрытий и гальванопластики различных отраслей промышленности с применением электролиза 1,8/6 1,6/4 1,6/2

Для энергообеспечения судовых установок применяют специальные АБ (на основе химических соединений серебра и магния), активируемые морской водой. Эти АБ обладают повышенной удельной энергией (до Жуд«450 кДж/кг), но их стоимость больше, чем у АБ других типов.

Корону можно при определенных условиях наблюдать около острых краев электродов: она ограничена относительно узкой областью, прилегающей к электроду. Под воздействием короны и образующихся под ее влиянием химических соединений изоляционные материалы органического происхождения начинают разрушаться, и через некоторое время tKOp возможен их пробой.

Химически чистая вода почти не проводит электрического тока, не изменяется под действием химических соединений, которые она растворяет, так как является инертным растворителем.

Число полупроводниковых материалов, известных в настоящее время, значительно превышает число металлов и диэлектриков. К полупроводникам относятся некоторые химические элементы (Si, Ge, Se), интерметаллические соединения (InSb, GaAS), окислы (Cu2O, ZnO), сульфиды (CdS, ZnS), карбиды (SiC) и множество других химических соединений.

Газофазная (парофазная) эпитаксия. В прямых процессах этого типа осаждаемое вещество в исходной среде находится в виде атомного или молекулярного пара (молекулярных пучков) в вакууме или инертной атмосфере. В непрямых — осаждаемое вещество или его компоненты содержатся в исходной среде в виде пара (или газообразных) химических соединений или их смесей с газовыми химически активными реагентами и инертными газами-носителями (часто химически активный газ выполняет и функцию газа-носителя).

Для синтеза тонких слоев химических соединений вблизи поверхности твердого тела иногда используют метод ионного внедрения одного из компонентов соединения с последующей кристаллизацией в процессе эпитаксиального отжига. Примерами служат образование слоя A1N на поверхности ос-А12О3 после имплантации азота или Si3N4 на поверхности Si. К настоящему времени эпитаксия в твердой фазе — наименее изученный процесс. Применение ее в технологии полупроводниковых приборов ограничено.

Нитрид кремния обладает более высокой химико-термической стабильностью, электрической прочностью, диэлектрической проницаемостью, маскирующей способностью. Коэффициент диффузии ионов натрия в Si3N4 почти на порядок ниже, чем в SiO2. В системе Si3N4 — SiO2 возможно формирование широкого ряда химических соединений — оксинитридов кремния, что позволяет в необходимых пределах модифицировать свойства бинарных компонентов как с той, так и с другой стороны. Наиболее распространенным оксинитридом является Si2ON2.

Элементы в микросхемах соединяются тонкопленочными проводниками. Предварительно в слое SiO2, покрывающем поверхность пластины, вытравливают контактные отверстия. Проводящую пленку наносят на всю поверхность, а затем ее травят через маску и формируют рисунок соединений. Материал пленки должен обеспечивать омический контакт с кремнием, иметь низкое удельное сопротивление, хорошую адгезию к кремнию и диоксиду, без разрушения выдерживать высокую плотность тока. Он должен быть механически прочным, не повреждаться при изменениях температуры (из-за разных ТКР пленки, пластины и слоя SiO2), а также не подвергаться коррозии и не образовывать химических соединений с кремнием. Металла, удовлетворяющего всем этим требованиям, не существует. Наиболее полно им отвечает алюминий, имеющий удельное сопротивление 2,6-10~* Ом-см. Он наносится термическим вакуумным испарением. При толщине 0,5... 1 мкм сопротивление слоя равно 0,025 ...0,05 Ом/П.

Образование химических соединений, обладающих полупроводниковыми свойствами, подчиняется определенным правилам. Первое из них— правило нормальной валентности (заполненные электронные оболочки у составляющих соединение ионов), позволяющее представить полупроводниковые соединения, имеющие предпочтительно ковалентный тип химической связи, в виде обычных ионных формул. В качестве примера можно привести формулы двойных соединений, принадлежащих к важнейшим группам полупроводниковых соединений: Cu'+Br'-; Mg'^'Sn4™; Pb2+S2-; Zn2+Se2-; Cu^Te~ Ga3+As3- и др.

Основным признаком, положенным в основу классификации процессов синтеза, является форма, в которой компоненты соединения находятся в используемых для синтеза исходных веществах. От того, находятся они в элементарной форме или в виде химических соединений, зависит не только характер химических реакций, протекающих в процессе синтеза, но и характер последующих процессов разделения. Форма исходных веществ определяет аппаратуру и режимы проведения процессов, т. е. технологию получения полупроводниковых соединений.

Включения второй фазы в монокристаллах полупроводников могут представлять собой твердые неметаллические включения контейнерного материала, тугоплавких химических соединений полупроводников с различными элементами, втом числе и легирующими ( 4.47, а), а также капли легкоплавкого расплава. Последние в случае элементарных полупроводников представляют собой капли сильно ле-