Характером зависимости

Заземляющее устройство, состоящее из одиночного заземлителя, обычно обладает значительным сопротивлением и неблагоприятным характером распределения напряженности электрического поля в зоне растекания тока замыкания, поэтому обычно заземляющее устройство состоит из нескольких заземлителей. При этом суммарное сопротивление заземляющего устройства снижается. Однако в результате взаимного экранирования полей заземлителей результирующее сопротивление не будет точно обратно пропорционально числу заземлителей. Поэтому во всех случаях, когда расстояние между заземлите-лями соизмеримо с их длиной, общее сопротивление заземляющего устройства определяют с учетом коэффициента использования:

Заземляющее устройство, состоящее из одиночного заземлителя, обычно обладает значительным сопротивлением и неблагоприятным характером распределения напряженности электрического поля в зоне растекания тока замыкания, поэтому обычно заземляющее устройство состоит из нескольких заземлителей. При этом суммарное сопротивление заземляющего устройства снижается. Однако в результате взаимного экранирования полей заземлителей результирующее сопротивление не будет точно обратно пропорционально числу заземлителей. Поэтому во всех случаях, когда расстояние между заземли-телями соизмеримо с их длиной, общее сопротивление заземляющего устройства определяют с учетом коэффициента использования:

Методы расчета магнитных напряжений различных участков цепи имеют особенности, обусловленные размерными соотношениями, характером распределения потока, необходимостью учета влияния потока рассеяния и другими факторами [12].

Четырехзондовый метод применяют для измерения удельного сопротивления тонких слоев на подложках, отличающихся от слоя значением удельного сопротивления или типе м электропроводности. Обычно проводят измерения не только поверхностного сопротивления, характеризующего слой в целом, нз и распределение удельного сопротивления по толщине слоя, которое непосредственно связано с характером распределения легирующей примеси, т. е. профилем легирования. В наиболее простом случае слой расположен на изолирующей или высокоомной подложке. Примером такой структуры может служить слой кремния на сапфировой подложке, т. е. структура КНС. >Если слой имеет противоположный по сравнению с подложкой тип электропроводное- -и, то образующийся на границе между ними р-л-переход изолирует слой и подложку друг от друга. Тем не менее при измерении слоев, изолированных /э-л-переходом, возникает ряд трудностей.

где К, — постоянная величина, пропорциональная площади р-п-перехода; п — показатель степени, определяемый характером распределения концентраций примесных атомов вблизи р-п-пе-рехода.

Заземляющее устройство, состоящее из одиночного заземлителя, обладает значительным сопротивлением и неблагоприятным характером распределения напряженности электрического поля в зоне растекания тока замыкания, поэтому обычно заземляющее устройство состоит из нескольких заземлителей. При этом суммарное сопротивление заземляющего устройства снижается в результате взаимного экранирования полей заземлителей. Поэтому во всех случаях, когда расстояние между за-землителями соизмеримо с их длиной, общее сопротивление заземляющего устройства определяют с учетом коэффициента использования

Участки деревянных траверс на опорах оказываются соединенными последовательно с гирляндами изоляторов. Однако общая электрическая прочность такой комбинированной изоляции получается существенно ниже суммы прочностей отдельно взятых ее элементов. Объясняется это сложным характером распределения напряжения между гирляндой и участком траверсы, зависящим к тому же от формы воздействующего напряжения.

Под структурой ИС понимают определенное расположение ло глубине кристалла локальных областей, отличающихся толщиной, типом электропроводности и характером распределения примеси. О структуре ИС можно судить по структуре наиболее сложного элемента — транзистора.

мерными соотношениями, характером распределения потока, необходимостью учета влияния потока рассеяния и другими факторами.

сматриваемых условиях характер изменения э. д. с. в проводнике в зависимости от времени целиком определяется характером распределения магнитной индукции под полюсом.

Под структурой ИС понимают определенное расположение ло глубине кристалла локальных областей, отличающихся толщиной, типом электропроводности и характером распределения примеси. О структуре ИС можно судить по структуре наиболее сложного элемента — транзистора.

7.2. Спектральная плотность искажения связаны с нелинейным узкополосного сигнала характером зависимости коэффици-

что следует из формул (5-12) и (5-14). Выясним, стремится ли к нулю собственное сопротивление га, если тг -»• 0, Известно, что когда тг ->• о, то зависимость плотности тока в цилиндре от координаты становится линейной. Отсюда следует, что сопротивление г2, определяемое характером зависимости Jm — / (R), стремится к некоторому предельному значению.

Для изготовления особо ответственных изделий, а также изделий сложной формы (например, шестерен) применяются так называемые стали с регламентированной прокаливаемостью, характеризующиеся весьма высокой критической скоростью охлаждения. В этом случае требуется не только получить определенный слой х'^, содержащий чистый мартенсит, но и провести термообработку сердцевины, прогрев ее до надкритической температуры. Тогда на глубине, определяемой требованиями максимальной механической прочности изделия, образуется троосто-сорбитная структура, обеспечивающая высокие механические свойства сердцевины. Механические свойства изделия в целом в сильной степени определяются характером зависимости температуры от времени, как при нагреве, так и при охлаждении. Необходимые зависимости Т = f (t) реализуются с помощью программных регуляторов. Этот вариант поверхностной закалки хотя и нашел применение в промышленности, но изучен еще недостаточно [43 ].

В общем случае суммарное приэлек-тродное падение Us весьма слабо зависит от тока. Следовательно, ход статической характеристики длинной дуги Uc > U3 в основном определяется характером зависимости напряженности поля ствола от тока Ес = А т!1т. Статические вольт-амперные характеристики ствола дуги в потоке воздуха при v = v3B и р = = 0,5 • 106 Па (кривая /), при поперечном движении в воздухе v = 100м/с и р = 0,1 • 10е Па (кривая 2), в узкощелевом канале при б = 1 мм (кривая 3) и 2 мм (кривая 4) приведены на 5.3. Динамическая вольт-амперная характеристика представляет собой зависимость напряжения на дуге от тока, изменяющегося определенным образом во времени при неизменной длине ствола и определенных условиях теплообмена между дугой и окружающей средой:

оси /э на 12-9, в). Это и понятно, так как ток /Б , составляет лишь незначительную долю (0,01—0,05) тока эмиттера и, следовательно, во много раз меньше тока /к- Отклонение характеристик от прямолинейного закона, т. е. зависимость р (/Б)> объясняется теми же причинами, что и зависимость а (/э), но следует иметь в виду, что при изменении а всего лишь на 5% (от 0,9 до 0,95) коэффициент р увеличивается более чем в два раза. Поэтому на характеристике /к = Ф3 (/Б) заметно уменьшение Р не только в области больших токов /в, что соответствует уменьшению а. при больших токах /э, но и снижение коэффициента р при очень малых токах базы. Уменьшение коэффициентов а и р в области малых токов происходит по причине возрастающего относительного влияния тока рекомбинации в эмиттерном переходе и, следовательно, уменьшения коэффициента инжекции у. В соответствии с этим характером зависимости р (/в) изменяется и интервал между выходными характеристиками ( 12-10, б).

оси /э на 12-9, в). Это и понятно, так как ток /Б , составляет лишь незначительную долю (0,01—0,05) тока эмиттера и, следовательно, во много раз меньше тока /к- Отклонение характеристик от прямолинейного закона, т. е. зависимость р (/Б)> объясняется теми же причинами, что и зависимость а (/э), но следует иметь в виду, что при изменении а всего лишь на 5% (от 0,9 до 0,95) коэффициент р увеличивается более чем в два раза. Поэтому на характеристике /к = Ф3 (/Б) заметно уменьшение Р не только в области больших токов /в, что соответствует уменьшению а. при больших токах /э, но и снижение коэффициента р при очень малых токах базы. Уменьшение коэффициентов а и р в области малых токов происходит по причине возрастающего относительного влияния тока рекомбинации в эмиттерном переходе и, следовательно, уменьшения коэффициента инжекции у. В соответствии с этим характером зависимости р (/в) изменяется и интервал между выходными характеристиками ( 12-10, б).

Развитие новых методов вызвано сложным и разнообразным характером зависимости функции цели и ограничителей от независимых переменных. Функция цели может иметь несколько экстремумов (максимумов или минимумов). Только один или несколько равных экстремумов соответствуют абсолютно наилучшему варианту, называемому обычно глобальным оптимумом. Остальные экстремумы называют локальными.

ной информации, погрешностью метода расчета, а также пологим характером зависимости приведенных затрат вблизи оптимума.

При выборе оптимального варианта фактически следует рассматривать некоторую зону оптимальных решений, в пределах которой находятся равноэкономичные варианты. Наличие такой зоны связано прежде всего с неточностью и неполнотой задания исходной информации, погрешностью метода расчета, а также характером зависимости приведенных затрат вблизи оптимума.

Активность' 60Со в системе, исследованной Велтоном и Хес-фордом [1], растет.со временем по квадратичному закону, что соответствует линейному росту интенсивности источника. Рассмотренные здесь модели совместимы с таким характером зависимости в начальный период работы установки. Однако, как показывают настоящие расчеты по модели Велтона и Хесфорда с использованием их параметров, переход на линейный рост ак-

Плавное регулирование возбуждения может производиться при помощи импульсного преобразователя (ИП), включенного параллельно или последовательно с ОВ [62.30, 62.31, 62.49, 62.51]. В тяговом режиме преимущественно используется параллельное включение ИП и ОВ, при торможении — последовательное. Это обусловлено характером зависимости коэффициента ослабления поля Р(Х) от коэффициента заполнения ИП.