Характеризующие зависимость

Радиотелеметрические системы предназначены для дистанционного измерения различных физических или технологических величин на удаленном объекте. Таким объектом может быть, например, космический корабль, на котором необходимо измерять давление, температуру среды, биологические параметры космонавтов, параметры, характеризующие состояние различных технических устройств.

А2, ..., А„ — цифры 1 или 0, характеризующие состояние разрядов двоичного кода. Цифра А„ соответствует старшему разряду, a Av — младшему. Условное обозначение четырехразрядного ЦАП приведено на 7.12, б.

При протекании переходного процесса в электрической цепи ток и напряжение можно записать как суммы: t = /' + i", и = и' -\- и". При интегрировании дифференциальных уравнений появляются постоянные интегрирования, число которых определяется порядком соответствующего уравнения. При определении постоянных интегрирования принимаются начальные условия, характеризующие состояние электрической цепи в соответствующий момент времени. При этом число начальных условий равно числу постоянных интегрирования.

В управляющей ЦВМ должна быть обеспечена связь с объектом управления, позволяющая принимать в ЦВМ аналоговые сигналы, характеризующие состояние (параметры) объекта управления, а также выдавать на объект аналоговые сигналы, являющиеся для него управляющими сигналами (сигнал, пропорциональный требуемому значению параметра либо рассогласованию между заданным и истинным значениями параметра объекта). Чаще всего обмен аналоговыми сигналами осуществляется в виде напряжений постоянного тока. Так как ЦВМ оперирует с числами, представленными в двоичной системе счисления, то должно быть обеспечено преобразование аналог — код и код — аналог. Схема многоканального преобразователя и ее связь с процессором рассматриваемого типа представлены на 6-11. Напряжения, характеризующие параметры объекта управления, uBXl + ивх8, подключаются между общей точкой (ОТ) и входами электронного коммутатора /CBxi—КВ*з, выполненного на интегральных схемах типа 1КТ621. Управление входным коммутатором осуществляется от переключателя на МПТ С7—С9 и С4—С6 через сердечники С1—СЗ, которые являются трансформаторами ключей /СВХ1—/(ВХ8. Считывание и регенерация состояния МПТ С7—С9 и С4—С6 осуществляется импульсами тока /ц /а от формирователей на Tl, T2. Напряжения, управляющие состоянием объекта, ывых1 -т- «ВЫХЗ снимаются с выходов аналоговых запоминающих устройств АЗУ1—АЗУЗ, Входы

Важным также является вопрос, куда записывать поступающие из страничной таблицы пары чисел, если все ассоциативные регистры заняты ранее полученной информацией. Очевидно, что необходимо освободить один из регистров, чтобы предоставить место новой информации. Обычно исходят из предположения, что свежие данные используются более ча:то и поэтому применяют алгоритмы, аннулирующие информацию, которая долго находилась в ассоциативной памяти. Для реализации этих алгоритмов в состав ассоциативных регистров вводятся дополнительные разряды, характеризующие состояние самого ассоциативного регистра. Типичными указателями такого рода являются разряд занятости и разряд использования. Рассмотрим их роль в организации работы ассоциативной памяти с помощью примера, представленного на 11-11.

4.74. Схемы замещения, характеризующие состояние машины в переходном процессе по оси d

4.76. Схемы замещения, характеризующие состояние машины по оси q

Если для каждого значения удельного объема, получающегося при движении поршня слева направо, измерять давление и, отложив его по оси ординат, находить на диаграмме точки, характеризующие состояние газа, а затем

Если рассмотреть еще несколько случаев парообразования с повышающимся каждый раз начальным давлением воды, то точки, характеризующие состояние воды при 0° С, будут ложиться на прямой, параллельной оси ординат; точки, принадлежащие воде в состоянии кипения, с ростом давления будут отклоняться вправо, а точки, характеризующие состояния сухого насыщенного пара, — влево. При некотором давлении точки, характеризующие эти два состояния, должны совпасть.

Если провести линии через точки одинаковых характерных состояний ( 3-1), то получим три кривые: /, // и ///. Линия / соединит все точки, характеризующие состояние воды при 0° С и разных давлениях. Так как мы исходим из предположения, что вода несжимаема, эта линия должна быть параллельна оси ординат. Линия // представляет собой геометрическое место точек, характеризующих воду в состоянии кипения при разных давлениях, а линия /// — точек, характеризующих сухой насыщенный пар. Эти две линии соединяются в точке К. Это значит, что при некотором давлении нет прямолинейного участка перехода воды в пар. Очевидно, что в этой точке кипящая вода и сухой насыщенный пар обладают одними и теми же параметрами состояния. Эта точка называется критической точкой. Все параметры ее называются критическими и имеют для водяного пара следующие значения: критическое давление ркр = 221,145 бар; критическая температура tKp = 374,116° С; критический удельный объем икр = 0,003145 м3/кг, критическая энтальпия СР = = 2094,8 кдж/кг.

Важным также является вопрос, куда записывать поступающие из страничной таблицы пары чисел, если все ассоциативные регистры заняты ранее полученной информацией. Очевидно, что необходимо освободить один из регистров, чтобы предоставить место новой информации. Обычно исходят из предположения, что свежие данные используются более часто и поэтому применяют алгоритмы, аннулирующие информацию, которая долго находилась в ассоциативной памяти. Для реализации этих алгоритмов в состав ассоциативных регистров вводятся дополнительные разряды, характеризующие состояние самого ассоциативного регистра. Типичными указателями такого рода являются разряд занятости и разряд использования. Рассмотрим их роль в организации работы ассоциативной памяти-с помощью примера, представленного на 11-11.

Рассматривая транзистор как активный четырехполюсник ( 3.37, а и б), можно получить его малосигнальные параметры, характеризующие зависимость между переменными составляющими напряжения и тока на входе (uit /x) и выходе (ыг> 4) транзистора.

На 3.26, г изображены две кривые, характеризующие зависимость / = /(со) для цепи с неизменными L, С и Е при двух различных значениях /?. Для кривой 2 сопротивление /? меньше (а добротность Q больше), чем для кривой /.

Скорость движения дуги. Кривые, характеризующие зависимость скорости движения дуги в широкой щели (8 = 16 мм) от тока при разных напряженностях магнитного поля, приведены на 6-7. Характер кривых качественно аналогичен характеру кривых для открытой дуги (штриховые кривые). Количественного совпадения между кривыми не наблюдается.

На 6-8 изображены кривые, характеризующие зависимость скорости движения дуги от тока в узкой щели. И здесь вначале с ростом тока скорость движения дуги растет (участки кривых слева от кривой 6). Далее явление приобретает неустойчивый характер: дуга либо движется с соответствующей скоростью (штриховые линии), либо ее скорость падает до нуля. В более узких щелях и при меньших напряженностях магнитного поля неустойчивое движение дуги (вплоть до остановки) наблюдается при меньших токах. Ток, при котором наступает неустойчивое движение дуги и ее остановка, назовем критическим /кр. Кривая 6 отделяет те области, в которых дуга не останавливается, от тех областей, где имеется ее остановка.

Статические параметры цепи экранирующей сетки. В некоторых случаях нагрузка может быть включена в цепь экранирующей сетки. Тогда важно знать статические параметры, характеризующие зависимость тока /С2 от напряжений на электродах лампы.

Влияние режима работы. При обсуждении физических процессов в транзисторе и рассмотрении их физических параметров (§ 12-2) были приведены выражения, характеризующие зависимость этих параметров от токов и напряжений на электродах транзистора. В § 12-6 были приведены соотношения между физическими параметрами транзистора и ^-параметрами. Таким образом, при-

Параметры модели у и Сбаро, характеризующие зависимость барьерной емкости от обратного напряжения, задают, используя так называемый метод выравнивания характеристики, при этом зависимость C6ap(U) перестраивают

где гБо, // — параметры модели, характеризующие зависимость сопротивления базы тиристора от тока.

В некоторых случаях нагрузка может быть включена в цепь экранирующей сетки, тогда используют статические параметры, характеризующие зависимость la от напряжений на электродах лампы.

На 3.27, б изображены две кривые, характеризующие зависимость /=/(о>) для цепи с неизменными L, С и Е при двух различных значениях R. Для кривой 2 сопротивление R меньше (а добротность Q больше), чем для кривой 1.

Статические параметры цепи экранирующей сетки. В некоторых случаях нагрузка может быть включена в цепь экранирующей сетки. Тогда важно знать статические параметры, характеризующие зависимость тока /С2 от напряжений на электродах лампы.