Характеризуется температурным

Резисторы являются простейшими элементами электроники, в которых ток прямо пропорционален напряжению. Резистор характеризуется сопротивлением R, ко'торое измеряется в омах (например, Ом, кОм, МОм). Существуют и другие параметры резисторов: допустимая мощность, разброс номиналов, температурный коэффициент. Широко используются последовательное и параллельное соединения резисторов.

В гибридных ИМС контактные площадки образуют два типа контактных переходов: контактная пара «резистивная пленка — низкоомная проводящая пленка» и контактная пара из двух низкоомных пленок. Контакт характеризуется сопротивлением RK, которое имеет существенное значение для перехода первого типа.

Выходное сопротивление каскада на биполярных транзисторах зависит от сопротивления Rr во входной цепи. Это результат действия внутренней обратной связи, свойственной каскадам на биполярных транзисторах. В первых двух включениях эта зависимость определяется значением RT/2, равным среднему сопротивлению источников сигналов (Rrl + Яг2)/2. При симметрировании каскада (путем включения Яг2 в цепь второго входа) эта зависимость характеризуется сопротивлением RT = (Rrl + Я,.2)/2.

Для изготовления трубки применяется поливинилхлоридный пластикат из смолы Р-38. Пластикат выпускается в виде мелких комков (гранул) диаметром 3—5 мм. Он является хорошим диэлектриком, его"уДельн°е сопротивление при 20°С не менее 10й Ом-м. При температуре 180° С наблюдается размягчение пластиката. Пластикат характеризуется сопротивлением разрыва не менее 9,8 МПа (или 100 кгс/см2). Все эти характеристики определяют свойства трубки, обеспечивающие простую технологию сборки и герметичность галетных элементов.

Заземлитель характеризуется сопротивлением, которое окружающая земля оказывает стекающему с него току. Сопротивление заземлителя при стекании с него относительно небольшого по сравнению с токами молнии и медленно меняющегося по времени тока промышленной частоты называется стационарным. При больших токах, характерных для молнии, напряженность электрического поля в земле вблизи поверхности заземлителя превышает пробивную напряженность грунта. В земле возникают искровые процессы, которые как бы увеличивают размеры заземлителя и уменьшают его сопротивление. С другой стороны, при больших скоростях изменения тока по времени, также характерных для молнии, начинает сказываться индуктивность заземлителя. Если заземлитель достаточно длинный, то с удаленных участков заземлителя вследствие влияния индуктивности стекает меньший ток, чем в стационарном режиме, из-за чего эффективная длина заземлителя как бы уменьшается и сопротивление его возрастает. Сопротивление заземлителя при стекании с него токов молнии называется импуль* снын, а отношение импульсного сопротивления к стационарному — • импульсным коэффициентом заземлителя а,

Рассмотрим простейшую электрическую цепь ( 1.2), в которой сопротивлением проводов, соединяющих источник питания с приемником, можно пренебречь. Электрическое поле, возникающее в проводниках между зажимами источника, воздействует на свободные носители зарядов проводников и вызывает электрический ток в цепи. Перемещение носителей зарядов по электрической цепи требует затраты энергии на преодоление противодействия их движению со стороны проводников (элементов) цепи. Это противодействие — результат столкновений носителей электрических зарядов с атомами или молекулами при перемещении их по проводнику. Противодействие проводника направленному движению носителей электрических зарядов, т. е. электрическому току, характеризуется сопротивлением проводника г.

Возможная аппроксимация выходных характеристик в схеме ОБ показана на 16-12. При /э = 0 (на границе активного режима и режима отсечки) в коллекторной цепи течет ток /КБО, что учтено при переключении ключа в положение 2 эквивалентным генератором тока. Некоторый рост тока /к с увеличением напряжения 1/КБ характеризуется сопротивлением Л2. В активном режиме эквивалентная схема помимо генератора /КБО и сопротивления RI = Д2 содержит также генератор тока ос/д, характеризующий рост коллекторного тока с увеличением тока 1Э. В режиме насыщения уменьшение тока /к отображено сопротивлением Л3, через которое ток под действием положительного напряжения [/КБ течет навстречу току а/д.

Статическое состояние открытого ключа графически определяется по точке пересечения ВАХ нагрузки и ВАХ МДП-транзистора (точка В на 4.12). Наклон выходной ВАХ МДП-транзистора на ее крутом участке при больших напряжениях на затворе характеризуется сопротивлением канала гкан [см. (4.44)]. Следует подчеркнуть, что чем больше значение напряжения на затворе i/зи, тем круче наклон выходной ВАХ, меньше сопротивле- a**f ние канала и меньше остаточное напряжение t/ост- Зависимость сопротивления канала от напряжения на затворе — rKaH=f (U зи) приведена на 4.19. Типичные значения сопротивления канала гкан для интегральных транзисторов — не ниже 1 Ом, для мощных — десятые доли ома.

В статическом режиме полупроводниковый диод достаточно полно характеризуется своей вольт- амперной характеристикой. При практических расчетах обратносмещенный диод обычно характеризуется сопротивлением утечки или током утечки, а также тепловым током р-п перехода с учетом его температурной зависимости. В справочниках для комнатной и максимальной рабочей температуры указывается обратный ток /обр диода, определяемый при обратном смещении, близком к максимально допустимому напряжению.

Возможная аппроксимация выходных характеристик в схеме ОБ показана на 16-12. При /э = 0 (на границе активного режима и режима отсечки) в коллекторной цепи течет ток /КБО, что учтено при переключении ключа в положение 2 эквивалентным генератором тока. Некоторый рост тока /к с увеличением напряжения 1/КБ характеризуется сопротивлением Л2. В активном режиме эквивалентная схема помимо генератора /КБО и сопротивления RI = Д2 содержит также генератор тока ос/д, характеризующий рост коллекторного тока с увеличением тока 1Э. В режиме насыщения уменьшение тока /к отображено сопротивлением Л3, через которое ток под действием положительного напряжения [/КБ течет навстречу току а/д.

изменению тока Д/ соответствует малое изменение напряжения At/ Напряжение стабилизации t/CT, равное напряжению пробоя р-л-перехода при некотором заданном токе стабилизации /ст, зависит от концентрации легирующей примеси в полупроводнике и растет с уменьшением ее. Стабилизирующие свойства стабилитрона характеризуются его дифференциальным сопротивлением гст = A.U/AI, которое в идеальном случае должно быть равно нулю. С ростом тока стабилизации /ст дифференциальное сопротивление лст уменьшается ( 23). Температурная зависимость напряжения стабилизации (Уст характеризуется температурным коэффициентом напряжения аст.

Температурная стабильность характеризуется температурным коэффициентом сопротивления TKR:

Если после прекращения температурного воздействия емкость возвращается к своему первоначальному значению, то такое изменение называют обратимым (цикличным). Обратимое изменение характеризуется температурным коэффициентом емкости

Обратимое изменение характеризуется температурным коэффициентом индуктивности

Указанные параметры магнитных материалов не являются строго стабильными. Так, магнитная проницаемость ц зависит от температуры сердечника; температурная нестабильность ц характеризуется температурным коэффициентом магнитной проницаемости:

Последней операцией этапа формирования металлостеклянного спая (независимо от используемого метода) является операция спаивания, которая выполняется чаще всего в электрических конвейерных печах, реже — в печах с высокочастотным нагревом. Операция спаивания характеризуется температурным, газовым и временным режимами работы. На 10.3 показан примерный температурно-временной режим спая, состоящий из трех этапов: на этапе / проводится разо-

Из рассмотрения характеристики видно, что с повышением температуры сопротивление термистора убывает. Степень уменьшения сопротивления характеризуется температурным коэффициентом ат, под которым понимают относительное изменение сопротивления термистора при изменении температуры на ГС. Величина ат с изменением температуры меняется в широких пределах.

Для диодных оптопар характерна относительно слабая температурная зависимость kj ( 5.64), обусловленная главным образом зависимостью от температуры Т параметров излучателя; в диапазоне от —60 до +85 °С зависимость ki=f(T) практически линейна и характеризуется температурным коэффициентом:

Термостабильность приборов характеризуется температурным коэффициентом (ТК) того или иного параметра. Температурный коэффициент определяет обратимое изменение параметров прибора. Необратимые изменения параметров прибора оцениваются коэффициентом температурной нестабильности (ТКН).

Температурная стабил ь-н ость времени задержки широко используемых ЛЗ характеризуется температурным коэффициентом a/3 г^ (150-^300) -10-61/град.

За фазовую погрешность fop принимают наибольшую разность фаз ЭДС АТГ при номинальной и минимальной частотах вращения в рабочем диапазоне (/V = <рп ном -у>л min) . Амплитудную &U и фазовую t*p погрешности АТГ можно значительно уменьшить путем подбора характера нагрузки. При определенной активно-емкостной нагрузке минимальна амплитудная погрешность, при активно-индуктивной — фазовая. Наличие нулевого (остаточного) напряжения EQ в АТГ обусловлено технологическими причинами, вызывающими магнитную асимметрию. С целью уменьшения последней АТГ проектируют с числом полюсов 2р>4. Температурная погрешность АТГ характеризуется температурным коэффициентом выходного напряжения. Последний равен изменению ?/г при изменении температуры на 1 °С. В современных АТГ температурная погрешность невелика — 0,0054-0,15 %/°С.