Характеризуется параметром

Задача 8.67. Условия задачи 8.66. ОУ характеризуется параметрами Д[/2см = 20 мкВ/°С, Д/1см=ЮО нА при 25° С, AA/,CM =

Перовскиты. Монокристаллы с ромбической структурой типа перовскита образуются из бинарных смесей оксидов редкоземельных элементов и алюминия, взятых в соотношении 1 : 1 (см. 39—41),. и имеют общую формулу Аа+В3+О3, где А — иттрий или ионы редкоземельных элементов, а В — ионы Al, Sc, In, Cr или Fe. Несколько особую роль играет скандий, который может входить в матрицу как на места ионов А3+, так и на места ионов В3+. Ромбическая решетка перовскита характеризуется параметрами а, & и с, которые в монокристаллах YA1O3 соответственно равны 0,5176, 0,5307 и 0,7355 нм. Близость значений параметров а и b элементарной ячейки способствует двойникованию и проявлению ферроэластичных свойста монокристаллов, т. е. самопроизвольной или под действием нагрузки их переориентации. Чем ближе значения параметров а и Ь, тем сильнее проявляются эти свойства. В обычных условиях эти соединения являются парамагнетиками, однако при низких температурах (порядка 4 К) происходит их антиферромагнитное упорядочение.

Интегральные схемы представляют собой законченные функциональные узлы, качество которых характеризуется параметрами многополюсника. Различают контроль статических и динамических параметров, а также функциональный контроль ИС. Основные требования при проведении контроля следующие: а) методы и средства контроля должны обеспечивать заданную точность; б) к выходу проверяемой интегральной схемы подключают соответствующие интегральные схемы или их эквиваленты; в) контакты и разъемы должны обеспечивать надежное электрическое соединение, не повреждая ИС; г) необходимо обеспечить защиту интегральных схем от перегрузок, возникающих в цепях коммутации во время переходных процессов, от воздействия статического электричества и паразитного самовозбуждения.

Задача 1.33. Транзистор характеризуется параметрами А11Б = 25 Ом; /г12Б = 2- 10~4; А21Б = 0,98; А22Б=1мкСм. Определить все физические параметры соответствующей схемы замещения.

\ 11.88. Цепь ( 11.88) характеризуется параметрами: С =

433. Симметричная нагрузка, каждая фаза которой характеризуется параметрами: г — 0,85 Ом и XL = 1,8 Ом, соединена треугольником и подключена к трехпроводной сети. Вычислить сопротивление каждого соединительного провода, если падение напряжения на нем составляет 1% от напряжения фазы потребителя.

Режим системы, т. е. ее состояние в данный момент времени, характеризуется параметрами, определяющими процесс ее функционирования. К таким параметрам режима относятся следующие величины: мощность, напряжение, ток, частота и т. д. Режимы подразделяются на установившиеся и переходные. Параметры установившихся режимов сохраняются на рассматриваемом интервале времени неизменными или изменяются относительно медленно. Переходные режимы соответствуют переходу системы от одного установившегося режима к другому; для них характерны медленные и малые или быстрые и значительные изменения параметров. Для того чтобы электроэнергетическая система могла нормально функционировать, а потребители электрической энергии могли работать согласно заложенным в их конструкции

Импульсная модуляция сигнала. Часто в качестве переносчика используют периодическую последовательность сравнительно узких импульсов. Последовательность прямоугольных импульсов одного знака ua(t) ( 12.29) характеризуется параметрами: амплитудой импульсов U0; длительностью (шириной) импульсов ?и; частотой следования (или тактовой частотой) /т = 1 /Т, где Г—период следования импульсов; положением (фазой) импульсов относительно тактовых (отсчетных) точек. 294

Закон Вейбулла сложнее . _/»л экспоненциального, так как * он характеризуется параметрами б и to.

Обычно верхний бьеф ГЭС характеризуется параметрами водохранилища. Для деривационных ГЭС дополнительно учитывается характеристика напорного бассейна с открытой поверхностью, если таковой имеется. Уровень воды в напорном бассейне полностью определяется режимом работы ГЭС, а также видом деривации — саморегулирующаяся или несаморегулирующаяся, (см. гл. 1).

Рассмотрим сначала простейшую задачу — подключение разомкнутой линии к источнику синусоидальной э. д. с. с внутренней индуктивностью Ьа. Будем считать, что все три фазы включаются одновременно; при таких условиях сумма не только вынужденных, но и свободных составляющих переходного процесса в трех фазах равна нулю, и переходный процесс характеризуется параметрами прямой последовательности. Поскольку максимальное напряжение наблюдается в конце разомкнутой линии, ограничимся определением и (/).

В качестве примера на 15, а, б показаны прямые и обратные ветви вольт-амперной характеристики (ВАХ) кремниевого диффузионного выпрямительного диода 2Д217 средней мощности, имеющего до 298 К и от 298 до 398 К /пртах соответственно 3 и 1 А. Поскольку диод 2Д217 предназначен для работы на сравнительно высоких частотах (до 100 кГц), его быстродействие характеризуется параметром, называемым зарядом переключения Qn, не превышающим 20 нКл при переключении с прямого тока 0,2 А на обратное напряжение 10 В.

Управляющее действие сетки зависит от числа витков сетки («густоты» сетки). Воздействие напряжений Uct и С/ак на изменение катодного тока характеризуется параметром D, называемым проницаемостью лампы:

Надежность подстанции «Л» относительно точки присоединения к линии ПО кВ характеризуется параметром потока аварийных отключений ю4В-д= = 1,5 (1/год) со средней продолжительностью тав-л=0,5 (ч) и параметром

Так как мощность, потребляемая элементом, который характеризуется параметром г,

В электронных печах с аксиальными пушками пучок, выходящий из пушки, проходит при отсутствии внешних электрических и магнитных полей путь длиной 1—2 м. Этот пучок характеризуется параметром, именуемым первеансом пучка р:

При переключении напряжения с прямого на обратное рассасывание избыточной концентрации инжектированных носителей в базе за счет диффузии и рекомбинации происходит не мгновенно. Этот процесс характеризуется параметром tBOC — временем восстановления обратного сопротивления, диода. Это время измеряют от момента /?а — переключения напряжения с прямого на обрат-

В установившемся режиме подводимая к переходу РПОДВ и отводимая от него РОТв мощности должны быть равны и не превышать максимально допустимой мощности РМакс, рассеиваемой диодом, т.е. РПОДВ = Ротв = Ро^==Рмаке- В противном случае, когда рассеиваемая диодом мощность Ра превышает Рмакс, тепловой режим прибора неустойчив и в его электрическом переходе возникает тепловой пробой (см. § 2.5). Качество теплоотвода в диоде характеризуется параметром эксплуатационного режима — тепловым сопротивлением RT— (Упер—То)/Р0, под которым подразумевз-ется отношение разности температур электрического перехода и корпуса диода к мощности, рассеиваемой на диоде в установившемся режиме. Тепловое сопротивление характеризует необходимый перепад температур перехода и корпуса для отвода в окружающую среду 1 Вт мощности, выделяемой в электрическом переходе диода. Уменьшение Rr позволяет при заданном значении Р0 увеличить рабочую температуру перехода или при известном перепаде температур Тпер—Т0 повысить прямые и обратные токи и напряжения диода.

При переключении напряжения с прямого на обратное рассасывание избыточной концентрации инжектированных носителей в базе за счет диффузии и рекомбинации происходит не мгновенно. Этот процесс характеризуется параметром tBOC — временем восстановления обратного сопротивления, диода. Это время измеряют от момента /?а — переключения напряжения с прямого на обрат-

Аналогичные энергетические процессы (накопление энергии в виде энергии электрического поля) свойственны конденсатору, который характеризуется параметром С - электрической емкостью. Связь между напряжением на емкости ис и протекающим через нее током имеет вид :

Управляющее действие сетки зависит от числа витков сетки («густоты» сетки). Воздействие напряжений UCK и f7aK на изменение катодного тока характеризуется параметром D, называемым проницаемостью лампы:

При приложении к затвору отрицательного напряжения вокруг управляющих р+-п~-переходов формируется область пространственного заряда, главным образом простирающаяся в глубь л"-слоя. При смыкании обедненных областей происходит отсечка проводящего канала, и ток в структуре отсутствует ( 2.37). Если увеличить выходное напряжение сток-исток при заданном отрицательном смещении на затворе, электрическое поле стока будет проникать в глубь канала и снижать потенциальный барьер обратносмещенного перехода При определенном значении выходного напряжения потенциальный барьер исчезает и в канале появляется ток Способность структуры перекрывать воздействие внешнего напряжения характеризуется параметром т, называемым коэффициентом блокирования. Этот коэффициент определяется как отношение абсолютных значений внешнего напряжения сток-исток к управляющему напряжению затвор-исток при некотором минимально допустимом токе стока. Геометрические и электрофизические параметры эпитаксиального гг-слоя определяют максимально допустимые значения блокируемых напряжений. Одним из главных механизмов пробоя в структуре СИТ является лавинный механизм умножения носителей, названный лавинным пробоем. Данный пробой возникает при чрезмерном увеличении напряженности электрического поля в гг-области или с ростом температуры кристалла и всегда проявляется в виде пробоя между стоком и затвором.